公开(公告)号：KR1020140017787A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：KR1020120084315

申请日：2012-08-01

Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

Inventor： 조길원 ,  조새벽 ,  김광수 ,  홍병희 ,  박재성

IPC: H01L51/00 ,  B32B9/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: B32B9/007 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/78696

Abstract: Disclosed are laminations comprising graphene and a method for manufacturing the same. The laminations of the present invention comprise self-assembled monolayers (SAMs) including a first molecule having one selected from an electron-donating group and an electron-withdrawing group; a graphene layer which is arranged on the SAMs and includes graphene; a thin film layer which is arranged on the graphene layer and includes a second molecule having one selected from the electron-donating group and the electron-withdrawing group; and a base which is arranged on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the SAMs or on the opposite surface to the surface facing the graphene layer among both surfaces of the thin film layer. Therefore, an electron device or a transistor device including the laminations of the present invention is manufactured by reforming both of double layered upper and lower graphene layers based on a molecular method, thereby improving the performance due to a higher on/off current ratio than the existing graphene device without requiring a high resolution lithography process, simplifying the manufacturing processes, and saving the costs.

Abstract translation: 公开了包括石墨烯的叠片及其制造方法。 本发明的叠片包括自组装单层（SAM），其包括选自供电子基团和吸电子基团的第一分子; 石墨烯层，其布置在SAM上并且包括石墨烯; 薄膜层，其设置在石墨烯层上，并且具有选自供电子基团和吸电子基团的第二分子; 以及在所述SAM的两个表面之间或与所述薄膜层的两个表面中的面向所述石墨烯层的表面的相反表面上的与面向所述石墨烯层的表面相反的表面上配置的基部。 因此，通过基于分子法对双层上，下石墨烯层进行重整来制造包含本发明的层叠体的电子器件或晶体管器件，由此能够提高由于比开关电流比高于 现有的石墨烯器件，而不需要高分辨率光刻工艺，简化了制造工艺，节省了成本。

公开(公告)号：KR101441062B1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：KR1020120084315

申请日：2012-08-01

Applicant: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단

Inventor： 조길원 ,  조새벽 ,  김광수 ,  홍병희 ,  박재성

IPC: H01L51/00 ,  B32B9/00 ,  H01L29/786

Abstract: 그래핀을 포함한 적층체 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 적층체는 전자주는 기(electron-donating group) 및 전자받는 기(electron-withdrawing group) 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제1분자를 포함하는 자기조립단분자층(SAMs; Self-Assembled Monolayers); 자기조립단분자층 상에 배치되고, 그래핀을 포함하는 그래핀층(graphene layer); 그래핀층 상에 배치되고, 전자주는 기 및 전자받는 기 중에서 선택된 어느 하나를 갖는 제2분자를 포함하는 박막층; 및 자립조립단분자층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되거나 또는 상기 박막층의 양 측면 중 그래핀층과 대향하는 면의 반대면 상에 배치되는 기재;를 포함할 수 있다. 이에 의하여, 본 발명의 적층체를 포함하는 전자소자 또는 트랜지스터 소자는 이중겹의 그래핀 상층과 하층을 모두 분자적 방법을 기반으로 개질함으로써 고해상도의 리소그래피 공정과정을 필요로 하지 않고 종래 그래핀 소자에 비하여 점멸비에 따른 성능향상을 도모함은 물론 제조공정을 간단히 하고 비용을 절감할 수 있다.