公开(公告)号：JP2005252241A

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：JP2005023999

申请日：2005-01-31

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： OOSTERLAKEN THEODORUS G M ,  HUUSSEN FRANK ,  HENDRIKS MENSO

IPC: H01L21/324 ,  C01B17/22 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/31658

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of effectively removing gas in a reaction chamber to exchange gas atmospheres while minimizing an influence that a change of a gas atmosphere will exert on a resultant product of a process. SOLUTION: Substrates in a reaction chamber are sequentially exposed to at least three gas atmospheres: a first atmosphere of a first purge gas, a second atmosphere of a process gas and a third atmosphere of a second purge gas. The gases are introduced into the reaction chamber from one end of the reaction chamber and discharged from the opposite end. Successive gases entering the chamber are selected so that a stable interface with the immediately preceding gas can be maintained. For example, when the gases are fed into the chamber at the chamber's top end and are exhausted at the bottom end, the gases are chosen with successively lower molecular weights. In effect, each gas atmosphere stays on top of the previously introduced gas atmosphere and pushes the gas atmosphere from the top down to exhaust out of the reaction chamber. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种有效地除去反应室中的气体以交换气体气体的方法，同时最小化气体气氛的变化对过程的所得产物将产生的影响。 解决方案：反应室中的底物依次暴露于至少三种气体环境：第一吹扫气体的第一气氛，处理气体的第二气氛和第二吹扫气体的第三气氛。 气体从反应室的一端引入反应室并从相对端排出。 选择进入腔室的连续气体，使得能够保持与前一个气体的稳定界面。 例如，当气体在室的顶端进料到室中并在底端被排出时，气体以连续较低的分子量被选择。 实际上，每个气体气体保持在先前引入的气体气氛的顶部，并且从顶部向上推动气体气体排出反应室。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005503484A

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：JP2003530012

申请日：2002-09-10

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： カイ エリク エレルス ,  ウェイ−ミン リー

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/32 ,  C23C16/36 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/532

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

Abstract: 本発明の方法は、金属窒化物、金属炭化物、および金属ナイトライドカーバイド薄膜を含む、成長するコンフォーマル金属薄膜（１５０）のためのツールを提供する。 特に、攻撃的な化学物質からこのような膜を成長させるための方法が提供される。 腐食性化学物質化合物（例えば、ハロゲン化水素）の量は、例えば、金属および酸化物のような種々の表面上に、遷移金属、遷移金属炭化物、遷移金属窒化物、および遷移金属ナイトライドカーバイド薄膜の堆積の間に減少される。 ゲッター化合物は、例えば、アンモニウム、銅、酸化ケイ素および堆積される層のようなハロゲン化水素およびハロゲン化アンモニウムに感受性の表面を、浸食に対して保護する。 金属薄膜を組み込むナノラミネート構造およびこれを形成するための方法もまた開示される。

公开(公告)号：JP2004527099A

公开(公告)日：2004-09-02

申请号：JP2002547231

申请日：2001-11-26

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： ユーハ フーヤネン ,  イボ ラアイマケルス

IPC: G01R33/09 ,  C23C16/40 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F41/22 ,  H01F41/30 ,  H01F41/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/22 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01F10/3231 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/22 ,  H01F41/307 ,  H01L43/12

Abstract: 磁気デバイス用の薄膜を均一に形成する方法を提供する。 原子層成長によって、原子オーダーの均一な厚さの層を生成させることができる。 例えば、４単原子層またはそれ未満の完全に均一な厚さの磁気トンネル接合絶縁層が提供される。 さらに、磁性体層12,16および非磁性体層14を含む導体層が、スパイキングやその他の不均一性のような欠陥を含むことなく、ＡＬＤ法によって提供される。 ここに開示する方法は、ＡＬＤを複数回繰り返すことによる金属オキサイド層の形成と、それに続くオキサイドの還元を含んでいる。 オキサイドは、その生成の間、より安定な境界面を維持する傾向がある。

公开(公告)号：JP2004134731A

公开(公告)日：2004-04-30

申请号：JP2003128286

申请日：2003-05-06

Applicant: Asm Internatl Nv ,  エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.Asm International N.V.

Inventor： KUZNETSOV VLADAMIR ,  GRANNEMAN ERNST H A

IPC: C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B33/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4583 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67248

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To make uniform the temperatures on the surfaces of a wafer at a gas-floated reactor processing, in a rapid thermal anneal. SOLUTION: A reactor 1 for the heat treatment of a substrate includes a processing chamber present in a substrate storing structure, and includes a supporting structure so formed as to interpose the substrate between the top and bottom portions of the processing chamber at predetermined spaces during the processing of the substrate. Gas flows can so lift the substrate from the supporting structure as to float the substrate 60. A plurality of heating elements are associated with at least one of the top and bottom portions of the processing chamber, and so arranged as to define heating zones. A controller 100 regulates individually the heating elements 101, 102, 103, 104. As a result, the respective heating zones are so formed as to have the predetermined temperatures determined by the controller 100. The heating zones are so set as to obtain the non-uniform heatings ranging laterally from one end to the other end of the upper/lower portions adjacent to the substrate. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

公开(公告)号：JP6797816B2

公开(公告)日：2020-12-09

申请号：JP2017545549

申请日：2016-03-21

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： フランネマン,エルンスト ヘンドリック アウフスト ,  コーレン,ミヒール レオナルド マチュー ,  ファン フェルゼン,ヴィルヘルムス ヘラルドゥス

IPC: C23C16/44 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06 ,  H01L21/308 ,  C23C4/10 ,  C23C4/129 ,  C23G1/14 ,  C23C28/00

公开(公告)号：JP6306813B2

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：JP2012208203

申请日：2012-09-21

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： オーステルラケン,テオドルス へー.エム.

IPC: B65G49/07 ,  H01L21/205 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67184 ,  H01L21/67161

公开(公告)号：JP5902964B2

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：JP2012047277

申请日：2012-02-16

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： デ リッデル, クリス ヘー. エム.

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/683

CPC classification number: F27D3/0084 ,  F27D5/0037

公开(公告)号：JP5857304B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2012539836

申请日：2010-11-19

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： フランネマン,アーンスト ヘンドリク アウヒュスト

IPC: H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67784 ,  C23C16/45551

公开(公告)号：JP5857294B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2012551108

申请日：2011-01-31

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ. ヴェー. ,  ASM International N.V.

Inventor： クズネツォフ,フェラディミル ,  タク,ピーテル

IPC: C23C14/56 ,  H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C14/568 ,  H01L21/67784

公开(公告)号：JP5739574B2

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：JP2014203157

申请日：2014-10-01

Applicant: エーエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. ,  ASM INTERNATIONAL N.V.

Inventor： ブロムベルク トム イー. ,  トワ エヴァ イー. ,  フッガレ ロベルト ,  マエス ヤン ウィレム ,  マッカウトサン ヴラジーミル ,  ピエルー ディーター

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531