公开(公告)号：TW201334143A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：TW101134430

申请日：2012-09-20

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU ,  井上廣司 ,  INOUE, HIROSHI ,  板倉悟 ,  ITAKURA, SATORU ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  堀將彥 ,  HORI, MASAHIKO ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一種半導體裝置，其係包含：半導體元件；支撐基板；絕緣材料層，其係用於密封該半導體元件及其周圍；金屬薄膜佈線層，其係設於該絕緣材料層中並且其一部份暴露在外表面上；以及數個金屬通孔，其係設於該絕緣材料層中，且電性連接至該金屬薄膜佈線層，其中係裝設有複數個該半導體元件，以及經由絕緣材料堆疊各個該等半導體元件使得每個半導體元件的電路表面面向該金屬薄膜佈線層，且每個半導體元件的電極墊係經暴露而不被堆疊於其上方之該半導體元件掩蓋，且電性連接至該金屬薄膜佈線層。該半導體裝置可以更小及更薄的尺寸製成以及藉由使複數個半導體晶片成為垂直堆疊結構而可減少製造步驟數。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，其系包含：半导体组件；支撑基板；绝缘材料层，其系用于密封该半导体组件及其周围；金属薄膜布线层，其系设于该绝缘材料层中并且其一部份暴露在外表面上；以及数个金属通孔，其系设于该绝缘材料层中，且电性连接至该金属薄膜布线层，其中系装设有复数个该半导体组件，以及经由绝缘材料堆栈各个该等半导体组件使得每个半导体组件的电路表面面向该金属薄膜布线层，且每个半导体组件的电极垫系经暴露而不被堆栈于其上方之该半导体组件掩盖，且电性连接至该金属薄膜布线层。该半导体设备可以更小及更薄的尺寸制成以及借由使复数个半导体芯片成为垂直堆栈结构而可减少制造步骤数。

公开(公告)号：TW201312713A

公开(公告)日：2013-03-16

申请号：TW101126752

申请日：2012-07-25

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO ,  井上廣司 ,  INOUE, HIROSHI ,  澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  板倉悟 ,  ITAKURA, SATORU ,  山地泰弘 ,  YAMAJI, YASUHIRO

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/0951 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種半導體裝置，係包括：一有機基板1；在其厚度方向穿透有機基板1的貫通孔4；設於有機基板1之正面及背面以及電性連接至該等貫通孔4的外部電極5b及內部電極5a；以其元件電路表面朝上地經由一接合層3安裝於有機基板1之一主要表面上的一半導體元件；用於密封該半導體元件及其周圍的一絕緣材料層6；設在該絕緣材料層中的一金屬薄膜佈線層7，以及此金屬薄膜佈線層之一部份係暴露於一外部表面上；設於該絕緣材料層以及電性連接至該金屬薄膜佈線層的金屬通孔10；以及形成於該金屬薄膜佈線層7上的外部電極9，其中，金屬薄膜佈線層7係構成為使配置於半導體元件2之元件電路表面上的該等電極、該等內部電極5a、該等金屬通孔10以及形成於該金屬薄膜佈線層上的該等外部電極9呈電性連接。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，系包括：一有机基板1；在其厚度方向穿透有机基板1的贯通孔4；设于有机基板1之正面及背面以及电性连接至该等贯通孔4的外部电极5b及内部电极5a；以其组件电路表面朝上地经由一接合层3安装于有机基板1之一主要表面上的一半导体组件；用于密封该半导体组件及其周围的一绝缘材料层6；设在该绝缘材料层中的一金属薄膜布线层7，以及此金属薄膜布线层之一部份系暴露于一外部表面上；设于该绝缘材料层以及电性连接至该金属薄膜布线层的金属通孔10；以及形成于该金属薄膜布线层7上的外部电极9，其中，金属薄膜布线层7系构成为使配置于半导体组件2之组件电路表面上的该等电极、该等内部电极5a、该等金属通孔10以及形成于该金属薄膜布线层上的该等外部电极9呈电性连接。

公开(公告)号：TW201803023A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106102176

申请日：2017-01-20

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 矢田貴弘 ,  YADA, TAKAHIRO ,  吉光克司 ,  YOSHIMITSU, KATSUSHI

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2224/83

Abstract: 在此提供一種半導體封裝件之製造方法，其能夠提升生產性且製造高品質的半導體封裝件。方法包含於承載基板之第一面配置間隔放置之多個半導體裝置，形成分別連接至此些半導體裝置之配線，且形成第一絕緣樹脂層以掩埋此些半導體裝置，自此第一面於此些半導體裝置間之區域中實施切削加工，而形成貫穿此第一絕緣樹脂層且露出此承載基板之第一溝部，且於與此第一面相反之第二面形成阻劑圖案，此阻劑圖案具有對應於此第一溝部之位置之開口部，自此第二面於此開口部實施蝕刻加工，而於此第二面形成第二溝部，藉此單片化成各個半導體封裝件。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体封装件之制造方法，其能够提升生产性且制造高品质的半导体封装件。方法包含于承载基板之第一面配置间隔放置之多个半导体设备，形成分别连接至此些半导体设备之配线，且形成第一绝缘树脂层以掩埋此些半导体设备，自此第一面于此些半导体设备间之区域中实施切削加工，而形成贯穿此第一绝缘树脂层且露出此承载基板之第一沟部，且于与此第一面相反之第二面形成阻剂图案，此阻剂图案具有对应于此第一沟部之位置之开口部，自此第二面于此开口部实施蚀刻加工，而于此第二面形成第二沟部，借此单片化成各个半导体封装件。

公开(公告)号：TW201739027A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106112545

申请日：2017-04-14

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 丸谷尚一 ,  MARUTANI, HISAKAZU ,  甲斐稔 ,  KAI, MINORU ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC: H01L23/492 ,  H01L21/306 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8201 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83

Abstract: 在此提供一種維護頻率降低之半導體封裝件之製造方法。半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。於基材上配置多個半導體裝置。形成覆蓋多個半導體裝置之樹脂絕緣層。於樹脂絕緣層形成溝槽，溝槽圍繞多個半導體裝置之各個半導體裝置。令雷射照射於基材之對應於溝槽之區域中，以分離多個半導體裝置之各個半導體裝置。溝槽亦可到達基材。於形成溝槽時，亦可於基材之對應於形成有溝槽之位置形成凹部。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种维护频率降低之半导体封装件之制造方法。半导体封装件之制造方法包含以下步骤。于基材上配置多个半导体设备。形成覆盖多个半导体设备之树脂绝缘层。于树脂绝缘层形成沟槽，沟槽围绕多个半导体设备之各个半导体设备。令激光照射于基材之对应于沟槽之区域中，以分离多个半导体设备之各个半导体设备。沟槽亦可到达基材。于形成沟槽时，亦可于基材之对应于形成有沟槽之位置形成凹部。

公开(公告)号：TWI597806B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW102144961

申请日：2013-12-06

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 友永義幸 ,  TOMONAGA, YOSHIYUKI ,  大井田充 ,  OOIDA, MITSURU ,  渡邊勝己 ,  WATANABE, KATSUMI ,  佐藤秀成 ,  SATO, HIDENARI

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

公开(公告)号：TW201725644A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105132621

申请日：2016-10-07

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 甲斐稔 ,  KAI, MINORU

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/681 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75316 ,  H01L2224/7532 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/8317 ,  H01L2224/8318 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00012

Abstract: 在此提供一種半導體製造裝置及使用於此半導體製造裝置之接合頭，其能夠提升半導體裝置對於被裝設體之被附著面的裝設精確度，且可提升被裝設體之被附著面與半導體裝置間的接合性。在此提供一種接合頭及適用此接合頭之半導體製造裝置，接合頭於與半導體裝置接觸的部分含有彈性構件，接合頭具有校準標記辨識區域，能夠檢測出設置於前述半導體裝置之被接觸面上且設置成光學可讀取之標記。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体制造设备及使用于此半导体制造设备之接合头，其能够提升半导体设备对于被装设体之被附着面的装设精确度，且可提升被装设体之被附着面与半导体设备间的接合性。在此提供一种接合头及适用此接合头之半导体制造设备，接合头于与半导体设备接触的部分含有弹性构件，接合头具有校准标记辨识区域，能够检测出设置于前述半导体设备之被接触面上且设置成光学可读取之标记。

公开(公告)号：TWI587476B

公开(公告)日：2017-06-11

申请号：TW102141746

申请日：2013-11-15

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 須田亨 ,  SUDA, TORU

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/3157 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/556 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/00 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02245 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201611186A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW104129281

申请日：2015-09-04

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 提供一種半導體裝置之製造方法以抑制晶片破裂及凸狀電極連接不良且提升良率及信賴性，包含以下步驟。經由凸狀電極電性連接半導體晶片及半導體晶圓。連接前或後，於二者間隙形成第一絕緣樹脂層。於半導體晶圓上形成第二絕緣樹脂層以掩埋半導體晶片。研磨第二絕緣樹脂層及半導體晶片至半導體晶片成為指定厚度。第二絕緣樹脂層上及半導體晶片上形成第一絕緣層，且於第一絕緣層及第二絕緣樹脂層形成露出電極之開口部。導電性材料埋設於開口部。於第一絕緣層上形成配線連接導電性材料。形成第一端子電性連接配線。研磨半導體晶圓達到完成厚度。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备之制造方法以抑制芯片破裂及凸状电极连接不良且提升良率及信赖性，包含以下步骤。经由凸状电极电性连接半导体芯片及半导体晶圆。连接前或后，于二者间隙形成第一绝缘树脂层。于半导体晶圆上形成第二绝缘树脂层以掩埋半导体芯片。研磨第二绝缘树脂层及半导体芯片至半导体芯片成为指定厚度。第二绝缘树脂层上及半导体芯片上形成第一绝缘层，且于第一绝缘层及第二绝缘树脂层形成露出电极之开口部。导电性材料埋设于开口部。于第一绝缘层上形成配线连接导电性材料。形成第一端子电性连接配线。研磨半导体晶圆达到完成厚度。

公开(公告)号：TWI520137B

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW102136871

申请日：2013-10-11

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 板倉悟 ,  ITAKURA, SATORU ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO ,  梅木昭宏 ,  UMEKI, AKIHIRO ,  白石靖 ,  SHIRAISHI, YASUSHI ,  阿部純一郎 ,  ABE, JUNICHIRO

IPC: G11C16/06 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/30 ,  G06F3/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C5/06 ,  G11C5/063 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1069 ,  G11C11/4096 ,  H01L22/10 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105

公开(公告)号：TW201605002A

公开(公告)日：2016-02-01

申请号：TW104122944

申请日：2015-07-15

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  出町浩 ,  DEMACHI, HIROSHI ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  中村卓 ,  NAKAMURA, TAKASHI ,  本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/373

CPC classification number: H05K1/181 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/141 ,  H05K2201/0275 ,  H05K2201/066 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2203/1311 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 以提供於堆疊型半導體封裝中減輕從下側晶片朝向上側晶片之熱量傳遞之半導體封裝為目的。提供一種堆疊型半導體封裝，包含一第一半導體封裝、一第二半導體封裝及一熱傳導材料。第一半導體封裝包含一第一電路基板及安裝於第一電路基板之一第一半導體元件。第二半導體封裝包含一第二電路基板及安裝於第二電路基板之一第二半導體元件。第二半導體封裝堆疊於第一半導體封裝。熱傳導材料配置於第一半導體元件上及位於第一半導體元件之周邊之第一電路基板上。

Abstract in simplified Chinese: 以提供于堆栈型半导体封装中减轻从下侧芯片朝向上侧芯片之热量传递之半导体封装为目的。提供一种堆栈型半导体封装，包含一第一半导体封装、一第二半导体封装及一热传导材料。第一半导体封装包含一第一电路基板及安装于第一电路基板之一第一半导体组件。第二半导体封装包含一第二电路基板及安装于第二电路基板之一第二半导体组件。第二半导体封装堆栈于第一半导体封装。热传导材料配置于第一半导体组件上及位于第一半导体组件之周边之第一电路基板上。