公开(公告)号：TW200606602A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：TW094121193

申请日：2005-06-24

Applicant: 萊卡微縮系統石版印刷股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS LITHOGRAPHY GMBH

Inventor： 彼得胡德 HUDEK, PETER ,  戴克貝耶 BEYER, DIRK ,  蘭克麥爾奇奧 MELCHIOR, LEMKE

IPC: G03F

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31769 ,  Y10S430/143

Abstract: 本發明提供一種電子束微影成像系統中減少霧化效應的方法，其中控制曝光來得到處理後與設計數據相符的最後圖案。通過個別的改變至少控制函數的基本輸入參數來擬合霧化效應的模型，按照鄰近校正器中所用的Kernel型來選擇函數類型。為獲得鄰近和霧化效應的公共控制函數，也考慮鄰近效應和一組最佳化的參數。採用與標準鄰近校正器中所實施的相同算法，只在一個數據處理步驟中通過單個組合鄰近效應控制函數和霧化效應控制函數，來控制採用電子束微影成像系統寫入的圖案。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电子束微影成像系统中减少雾化效应的方法，其中控制曝光来得到处理后与设计数据相符的最后图案。通过个别的改变至少控制函数的基本输入参数来拟合雾化效应的模型，按照邻近校正器中所用的Kernel型来选择函数类型。为获得邻近和雾化效应的公共控制函数，也考虑邻近效应和一组最优化的参数。采用与标准邻近校正器中所实施的相同算法，只在一个数据处理步骤中通过单个组合邻近效应控制函数和雾化效应控制函数，来控制采用电子束微影成像系统写入的图案。

公开(公告)号：TW588161B

公开(公告)日：2004-05-21

申请号：TW090131831

申请日：2001-12-21

Applicant: 萊卡微縮系統耶拿股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS JENA GMBH

Inventor： 卡斯坦爾本 KARSTEN URBAN

IPC: G02B ,  G01N

CPC classification number: G02B21/0016 ,  G02B21/18

Abstract: 一種用於目視檢查基板(S)的布置係包括：顯微鏡(2)，係用於觀測出現在檢查點(I)上的基板(S)；至少一個視野(11)，係配置於緊鄰顯微鏡觀測埠(2a)處，用於觀測該基板上某一影像或影像面積；及/或至少一個另一視野(12)，係配置於緊鄰顯微鏡觀測埠(2a)處用於直接觀測該基板(S)或該基板(S)上某一部分；其中相對於操作位置(P)而配置該顯微觀測埠(2a)及各視野(11,12)，其方式是觀測者從該操作位置(P)沿著垂直該顯微觀測埠(2a)之第一觀測方向(A)，及在各例中至少沿著大概垂直各視野(11,12)之一的另一觀測方向(B,B')觀看。該第一觀測方向(A)與另一觀測方向(B,B')圍成一銳角(α,α')。結果是產生了一種顯著地符合人體工學且具有輕便設計規範的布置。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于目视检查基板(S)的布置系包括：显微镜(2)，系用于观测出现在检查点(I)上的基板(S)；至少一个视野(11)，系配置于紧邻显微镜观测端口(2a)处，用于观测该基板上某一影像或影像面积；及/或至少一个另一视野(12)，系配置于紧邻显微镜观测端口(2a)处用于直接观测该基板(S)或该基板(S)上某一部分；其中相对于操作位置(P)而配置该显微观测端口(2a)及各视野(11,12)，其方式是观测者从该操作位置(P)沿着垂直该显微观测端口(2a)之第一观测方向(A)，及在各例中至少沿着大概垂直各视野(11,12)之一的另一观测方向(B,B')观看。该第一观测方向(A)与另一观测方向(B,B')围成一锐角(α,α')。结果是产生了一种显着地符合人体工学且具有轻便设计规范的布置。

公开(公告)号：TW200617369A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW094139578

申请日：2005-11-11

Applicant: 萊卡顯微系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTOR GMBH

Inventor： 里雀爾 喬吉 RICHTER, JOERG ,  麥克森 岱特雷夫 MICHELSSON, DETLEF

IPC: G01N

CPC classification number: H01L22/34 ,  G01N21/95607

Abstract: 為了檢驗一種晶圓(10)，目前所用的方式是對整個晶圓(10)進行一種晶圓對晶圓之比較。為了確保可提早辨認此晶圓(10)上的缺陷或缺陷發展情況，則一種晶圓對晶圓之比較過程只限制在可由使用者所選取之特定的比較區(22)上。

Abstract in simplified Chinese: 为了检验一种晶圆(10)，目前所用的方式是对整个晶圆(10)进行一种晶圆对晶圆之比较。为了确保可提早辨认此晶圆(10)上的缺陷或缺陷发展情况，则一种晶圆对晶圆之比较过程只限制在可由用户所选取之特定的比较区(22)上。

公开(公告)号：TW200604517A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW094119578

申请日：2005-06-14

Applicant: 萊卡微縮系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTER GMBH

Inventor： 亨林貝克豪司 BACKHAUSS, HENNING ,  艾伯特克雷 KREH, ALBERT

IPC: G01N ,  H01L

CPC classification number: G01N21/9503 ,  G01N2021/8825 ,  G06T7/001 ,  G06T2207/30148

Abstract: 本發明涉及一種晶圓(16)檢測用之方法和裝置，其特別是用來偵測巨觀缺陷(例如，曝光上的誤差)，其中晶圓表面(17)之至少一部份以一種輻射源(22)來照明，藉由一種相機(7)來攝取該表面的圖像且依據所攝取的圖樣像來檢測該表面。為了在最佳之圖像對比時進行誤差的偵測，建議以小的照明孔徑(4)使晶圓表面(17)受到電氣中央式之照明，輻射源(22)因此設有一種相對應的透鏡系統(11)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种晶圆(16)检测用之方法和设备，其特别是用来侦测巨观缺陷(例如，曝光上的误差)，其中晶圆表面(17)之至少一部份以一种辐射源(22)来照明，借由一种相机(7)来摄取该表面的图像且依据所摄取的图样像来检测该表面。为了在最佳之图像对比时进行误差的侦测，建议以小的照明孔径(4)使晶圆表面(17)受到电气中央式之照明，辐射源(22)因此设有一种相对应的透镜系统(11)。

公开(公告)号：TWI226517B

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：TW088120043

申请日：1999-11-17

Applicant: 萊卡微縮系統石版印刷股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS LITHOGRAPHY GMBH

Inventor： 彼得漢曼 HAHMANN, PETER (DR.) ,  迪克拜爾 BEYER, DIRK (DR.) ,  多羅西寇屈思 KRAUHS, DOROTHEE ,  湯瑪士艾斯特 ELSTER, THOMAS (DR.)

IPC: G03F

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/004

Abstract: 本發明係有關一種基板(1)(其設有光阻系統(2))之曝光所用之方法，其中在接地電位和基板(1)及/或光阻系統(2)之各層Sl至Sn中至少一層之間形成一種導電性連接。此外，本發明亦涉及此種方法進行時所用之配置。
依據本發明，須在一個步驟中藉由彈簧元件E1至E4使接觸尖端K1向前移動至層S1，接觸尖端K2經由層 S1向前移動至層S2，接觸尖端K3經由層S1和S2向前移動至層S3等等。由層S1而來之電荷經由接觸尖端 K1而引導至接地電位，由層S2而來之電荷經由接觸尖端K2等等及/或由基板(1)而來之電荷經由接觸尖端K4而引導至接地電位。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种基板(1)(其设有光阻系统(2))之曝光所用之方法，其中在接地电位和基板(1)及/或光阻系统(2)之各层Sl至Sn中至少一层之间形成一种导电性连接。此外，本发明亦涉及此种方法进行时所用之配置。 依据本发明，须在一个步骤中借由弹簧组件E1至E4使接触尖端K1向前移动至层S1，接触尖端K2经由层 S1向前移动至层S2，接触尖端K3经由层S1和S2向前移动至层S3等等。由层S1而来之电荷经由接触尖端 K1而引导至接地电位，由层S2而来之电荷经由接触尖端K2等等及/或由基板(1)而来之电荷经由接触尖端K4而引导至接地电位。

公开(公告)号：TW200604518A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：TW094119579

申请日：2005-06-14

Applicant: 萊卡微縮系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTER GMBH

Inventor： 亨林貝克豪司 BACKHAUSS, HENNING ,  艾伯特克雷 KREH, ALBERT

IPC: G01N

CPC classification number: G01N21/956 ,  G01N21/9501

Abstract: 本發明涉及一種晶圓(16)檢測用之方法和裝置，其特別是用來偵測巨觀缺陷(例如，曝光上的誤差)，其中晶圓表面(17)之至少一部份以一種輻射源(22)來照明，藉由一種相機(7)來攝取該表面的圖像且依據所攝取的圖樣像來檢測該表面。為了在最佳之圖像對比時進行誤差的偵測，建議以小的照明孔徑(4)使晶圓表面(17)受到電氣中央式之照明，輻射源(22)因此設有一種相對應的透鏡系統(11)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明涉及一种晶圆(16)检测用之方法和设备，其特别是用来侦测巨观缺陷(例如，曝光上的误差)，其中晶圆表面(17)之至少一部份以一种辐射源(22)来照明，借由一种相机(7)来摄取该表面的图像且依据所摄取的图样像来检测该表面。为了在最佳之图像对比时进行误差的侦测，建议以小的照明孔径(4)使晶圆表面(17)受到电气中央式之照明，辐射源(22)因此设有一种相对应的透镜系统(11)。

公开(公告)号：TW200520126A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：TW093133575

申请日：2004-11-04

Applicant: 萊卡微縮系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTER GMBH

Inventor： 亞伯特克雷 HREH, ALBERT ,  亨琳布雷克霍斯 BACKHAUSS, HENNING ,  雷妮尚克 SCHENCK, RENE

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67288 ,  H01L21/67017

Abstract: 本發明揭示一種用於檢測大型缺陷之系統，該系統以一殼(50)來包圍，而且被劃分成為第一區隔(6)、第二區隔(8)及第三區隔(10)。在第二區隔(8)內被設置在X方向及Y方向中可移動之平台(2)，晶圓(25)安置在平台(2)上。呼吸裝置(36)位在第一區隔(6)中，經由空氣導管(37)其導引所呼吸的空氣進入第二區隔(8)，空氣導管(37)包含數個空氣導引板(38)，使得一空氣流(60)以平行方式被引導於晶圓(25)上面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于检测大型缺陷之系统，该系统以一壳(50)来包围，而且被划分成为第一区隔(6)、第二区隔(8)及第三区隔(10)。在第二区隔(8)内被设置在X方向及Y方向中可移动之平台(2)，晶圆(25)安置在平台(2)上。呼吸设备(36)位在第一区隔(6)中，经由空气导管(37)其导引所呼吸的空气进入第二区隔(8)，空气导管(37)包含数个空气导引板(38)，使得一空气流(60)以平行方式被引导于晶圆(25)上面。

公开(公告)号：TW200514182A

公开(公告)日：2005-04-16

申请号：TW093128662

申请日：2004-09-22

Applicant: 萊卡微縮系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTER GMBH ,  慕太克自動顯微鏡及測量技術股份有限公司 MEUTEC AUTOMATISIERTE MIKROSKOPIE UND MESSTECHNIK GMBH

Inventor： 渥夫甘弗瑞斯 VOLLRATH, WOLFGANG ,  法蘭克希爾曼 HILLMANN, FRANK ,  吉德舒琳 SCHEURING, GERD ,  漢斯-喬琴布魯克 BRUECK, HANS-JUERGEN

IPC: H01L

CPC classification number: G01B11/14 ,  G01B11/028 ,  G02B21/33

Abstract: 本發明係要揭露一種用以量測半導體產業之光罩(1)上特徵寬度之設備。該設備包含以減震方式保持在基座架(14)中之載板(16)；放置在載板(16)上，用以載送待測光罩(1)，界定光罩(1)的表面(4)之掃瞄台(18)；及相對光罩(1)排列之物鏡(2)。液體(25)被提供在物鏡(2)和光罩(1)的表面(4)之間。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系要揭露一种用以量测半导体产业之光罩(1)上特征宽度之设备。该设备包含以减震方式保持在基座架(14)中之载板(16)；放置在载板(16)上，用以载送待测光罩(1)，界定光罩(1)的表面(4)之扫瞄台(18)；及相对光罩(1)排列之物镜(2)。液体(25)被提供在物镜(2)和光罩(1)的表面(4)之间。

公开(公告)号：TW200511469A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：TW093118722

申请日：2004-06-28

Applicant: 萊卡微縮系統半導體股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS SEMICONDUCTER GMBH

Inventor： 格拉克史蒂芬 GERLACH, STEFFEN

IPC: H01L ,  G01B

CPC classification number: G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  H01L21/67259

Abstract: 揭露一種用以測量重疊位移之方法。獲得至少一參考元件之一影像，其中該至少一參考元件包括在一第一平面中之至少一第一圖案元件及在一第二平面中之至少一第二圖案元件。同樣地，獲得一測量元件之一影像。藉由比較上述參考元件之影像與上述測量元件之影像來確定上述參考元件與上述測量元件間之位移值。一使用者介面之輸出指示是否超過一預定容許值。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种用以测量重叠位移之方法。获得至少一参考组件之一影像，其中该至少一参考组件包括在一第一平面中之至少一第一图案组件及在一第二平面中之至少一第二图案组件。同样地，获得一测量组件之一影像。借由比较上述参考组件之影像与上述测量组件之影像来确定上述参考组件与上述测量组件间之位移值。一用户界面之输出指示是否超过一预定容许值。

公开(公告)号：TWI291083B

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：TW094121193

申请日：2005-06-24

Applicant: 萊卡微縮系統石版印刷股份有限公司 LEICA MICROSYSTEMS LITHOGRAPHY GMBH

Inventor： 彼得胡德 HUDEK, PETER ,  戴克貝耶 BEYER, DIRK ,  蘭克麥爾奇奧 MELCHIOR, LEMKE

IPC: G03F

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31769 ,  Y10S430/143

Abstract: 本發明提供一種電子束微影成像系統中減少霧化效應的方法，其中控制曝光來得到處理後與設計數據相符的最後圖案。通過個別的改變至少控制函數的基本輸入參數來擬合霧化效應的模型，按照鄰近校正器中所用的Kernel型來選擇函數類型。為獲得鄰近和霧化效應的公共控制函數，也考慮鄰近效應和一組最佳化的參數。採用與標準鄰近校正器中所實施的相同算法，只在一個數據處理步驟中通過單個組合鄰近效應控制函數和霧化效應控制函數，來控制採用電子束微影成像系統寫入的圖案。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种电子束微影成像系统中减少雾化效应的方法，其中控制曝光来得到处理后与设计数据相符的最后图案。通过个别的改变至少控制函数的基本输入参数来拟合雾化效应的模型，按照邻近校正器中所用的Kernel型来选择函数类型。为获得邻近和雾化效应的公共控制函数，也考虑邻近效应和一组最优化的参数。采用与标准邻近校正器中所实施的相同算法，只在一个数据处理步骤中通过单个组合邻近效应控制函数和雾化效应控制函数，来控制采用电子束微影成像系统写入的图案。