公开(公告)号：CN105679699B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201510870819.8

申请日：2015-12-02

Applicant: SOITEC公司

Inventor： V·雷诺 ,  M·勒孔特

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种层转移工艺。用于转移有用层(40)的工艺包括下列步骤：a)提供施主衬底(10)，所述施主衬底包括中间层(30)、承载衬底(20)和有用层(40)，中间层(30)适于变软；b)提供受主衬底(50)；c)组装受主衬底(50)和施主衬底(10)；以及d)对受主衬底(50)和施主衬底(10)进行热处理，该热处理在高于第一温度的第二温度下进行，所述工艺的特征在于，中间层(30)不含易于放气的物质，而且，形成了附加层(60)，所述附加层(60)包括适于在步骤d)中扩散到中间层(30)中并在中间层中形成弱化区(31)的化学物质。

公开(公告)号：CN104205594B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201380016083.7

申请日：2013-03-22

Applicant: SOITEC公司

Inventor： R·费兰特

IPC: H02M3/07

CPC classification number: H02M3/07 ,  H02M3/073 ,  H02M2003/078

Abstract: 本发明涉及一种电荷泵电路，其包括：用于输入待升高的电压的输入节点；用于输出已升高的电压的输出节点；串联在所述输入节点与所述输出节点之间的多个泵级，每个泵级包括至少一个电荷转移晶体管，其中所述至少一个电荷转移晶体管是双栅极晶体管，其包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极用于根据施加到所述第一栅极的第一控制信号导通或关断所述晶体管，所述第二栅极用于根据施加到所述第二栅极的第二控制信号修改所述晶体管的阈值电压，其特征在于所述第一控制信号和第二控制信号具有相同相位。

公开(公告)号：CN104081461B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380005532.8

申请日：2013-01-16

Applicant: SOITEC公司

Inventor： R·费兰特 ,  R·休斯

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/4091 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C7/08 ,  G11C7/062 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C2211/4016

Abstract: 本发明涉及一种用于感测一对双信号线上的电压差的电路，所述一对双信号线包括第一信号线(BL)和与第一信号线互补的第二信号线(/BL)，所述电路包括：‑一对交叉联接的反相器，所述一对交叉联接的反相器布置于所述第一信号线和第二信号线之间，每个反相器具有上拉晶体管(T1、T2)和下拉晶体管(T3、T4)，所述上拉晶体管或下拉晶体管的源极分别连接至第一拉动电压信号(VHIO)和第二拉动电压信号(VH/IO)，‑解码晶体管(T11、T12)，所述解码晶体管具有分别联接至所述第一信号线和第二信号线中的一个的源极和漏极终端，以及由解码控制信号(CSL)控制的栅极，由此当所述解码晶体管被所述解码控制信号打开时，在所述第一信号线和第二信号线之间建立了短路，电流从所述第一拉动电压信号和第二拉动电压信号中的一个流过所述第一信号线和第二信号线，从而在所述第一拉动电压信号和第二拉动电压信号之间产生扰动。

公开(公告)号：CN101027769B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN200480044032.6

申请日：2004-09-21

Applicant: SOITEC公司

Inventor： S·凯尔迪勒 ,  C·马勒维尔 ,  F·勒泰特 ,  O·雷萨克

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种用于将一层材料从顶施主晶片10转移到接收操作晶片20上的方法，该顶晶片和接收晶片包含各自的要键合的表面，该方法包括：用于处理要键合的至少一个表面的处理步骤，对晶片的给定表面的该处理在所述晶片的相反表面上产生污染；用于直接键合顶晶片和操作晶片的要键合的表面的键合步骤，以形成中间多层晶片30；用于从顶晶片移除多余材料的移除步骤，该方法的特征在于，在处理步骤期间，仅处理顶晶片的要键合的表面。

公开(公告)号：CN103238203B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180056302.5

申请日：2011-11-23

Applicant: SOITEC公司 ,  代理并代表亚利桑那州立大学的亚利桑那董事会

Inventor： C·阿里纳 ,  R·T·小伯特伦 ,  E·林多 ,  S·马哈詹 ,  I·韩

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/0665 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: 在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。

公开(公告)号：CN105453226A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043709.8

申请日：2014-08-05

Applicant: SOITEC公司

Inventor： Y·桑坎 ,  J-M·贝图 ,  O·科农丘克

IPC: H01L21/268 ,  H01L31/0687 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/06875 ,  H01L33/0079

Abstract: 该方法包括下列步骤：a)提供衬底(2)，b)在衬底(2)上形成吸收性的分离层(3)，c)在分离层(3)上形成待分离的结构(1)，d)通过衬底(2)使分离层(3)暴露于电磁辐射(IE)，使得分离层(3)在吸收所导致的热量的影响下分解，该方法的特征在于，其包括在分离层(3)上形成热障层(4)的步骤b1)，暴露时长和热障层(4)的厚度被调节为，使得待分离的结构(1)的温度在整个暴露期间保持在阈值之下，超过所述阈值时在所述结构(1)中容易出现缺陷。

公开(公告)号：CN105324840A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480034615.4

申请日：2014-06-11

Applicant: SOITEC公司

Inventor： D·朗德吕 ,  O·科农丘克 ,  C·古德尔 ,  C·达维德 ,  S·穆热尔 ,  X·施奈德

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/7624

Abstract: 该工艺包括下列步骤：a)提供适于接收多个结构(S)的腔室(10)，b)使气体流(F)在腔室(10)中循环，使得腔室(10)具有非氧化性气氛，c)在高于阈值的温度下对多个结构(S)进行热处理，在高于阈值的温度下，电介质的氧化物中存在的氧扩散通过有源层，与有源层的半导体材料反应，并生成挥发性材料；该方法的特征在于，步骤b)进行为使得气体流(F)在多个结构(S)之间的循环速度大于挥发性材料扩散进入气体流的速度。

公开(公告)号：CN105308860A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480020179.5

申请日：2014-03-21

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·辛克 ,  E·德博内

IPC: H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明涉及表面声波器件(20)的制造方法，所述方法包括下列步骤：(a)提供压电结构(200)；(b)提供介电结构，其中步骤(b)包括将介电结构(220、221)金属化(S22)的步骤(b1)，并且所述方法进一步包括下述步骤：(c)将金属化的介电结构(231)键合(S24)至压电结构(200)。

公开(公告)号：CN105144389A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480016853.2

申请日：2014-03-13

Applicant: SOITEC公司

Inventor： C·马聚尔 ,  F·霍夫曼

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7855 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7845

Abstract: 本发明涉及双栅极finFET(1000)，其包括：至少两个鳍(FIN)，其实现单一的沟道；背栅(BG)，其放置在鳍之间；以及前栅(FG)，其放置在鳍的外侧。此外，本发明还涉及产生双栅极finFET的制造工艺。

公开(公告)号：CN105074350A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019228.3

申请日：2014-03-05

Applicant: SOITEC太阳能有限责任公司

Inventor： T·雷米 ,  P·黑朗贝尔特

IPC: F24J2/54 ,  F24J2/52 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明涉及太阳能追踪器组件，其特别是用于太阳能集热器(4)，包括：桌台结构(2)，所述桌台结构(2)用于支撑太阳能集热器(4)，特别是太阳能集热器板和/或太阳能集热器组件；和组件基部(6)，所述组件基部(6)用于支承所述桌台结构(2)，其中所述桌台结构(2)能够相对于所述组件基部(6)至少围绕一个旋转轴线(23)旋转。为了使得用于支撑相应的太阳能板的桌台具有足够大的尺寸以便以简单的方式容纳数目增加的太阳能集热器，并且同时能够通过减少的工作量以精确的角度定位所述桌台，建议至少所述桌台结构(2)的一部分和/或所述组件基部(6)的一部分以桁架结构的形式形成。