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公开(公告)号：KR20200142169A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：KR20190069027
申请日：2019-06-12
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： KIM SUNG YONG , KIM KYUNG MIN , OH HYUK , LEE HYEOK JONG , JUNG SEUNG HOON , JOO WOONG , CHAE HEE SUNG
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 아날로그디지털컨버터가제공된다. 본발명의실시예에따른아날로그디지털컨버터는, 클록신호생성기로부터코드생성클록신호를수신하고, 코드생성클록신호에따라카운트코드를출력하는카운트코드생성기, 카운트코드를래치하는래치, 래치의일단에연결되고, 카운트코드의카운트값을생성하고, 카운트값에기초하여디지털신호를출력하는연산부및 카운트코드를래치를통해연산부에전달되도록하는전달제어회로로서, 전달제어회로는클록신호생성기로부터생성되는카운트인에이블클록신호의논리레벨에따라카운트코드의전달여부를결정하는전달제어회로를포함한다.
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公开(公告)号：KR20200141952A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20200070468
申请日：2020-06-10
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： KATO FUMIAKI , FURUTA KEIGO , TSUJI MASASHI , FUJIYAMA TAKAHIRO , MOTOYAMA TAKAO , KONISHI YUSAKU
Abstract: 본발명은, 일렉트로루미네선스소자에있어서, 특히양자도트발광소자에있어서도, 발광수명을향상시킬수 있는고분자재료를제공하기위한것으로, 특정구조의구성단위의교대공중합체의세그먼트를포함하고, 유리전이온도가 50℃이상 250℃이하인고분자재료에관한것이다.
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公开(公告)号：KR20200141948A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20200070106
申请日：2020-06-10
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： KACHARE RAMDAS P , LAU JIMMY K
Abstract: 솔리드스테이트드라이브(SSD)가개시된다. 상기솔리드스테이트드라이브는데이터를저장하는플래시메모리스토리지, 휘발성메모리스토리지, 호스트머신으로부터요청들을수신하는호스트인터페이스계층및 솔리드스테이트드라이브컨트롤러를포함할수 있다. 상기솔리드스테이트드라이브컨트롤러는논리블록어드레스들및 물리블록어드레스들사이를변환하는플래시변환계층, 상기플래시메모리스토리지에액세스하는플래시메모리컨트롤러, 상기휘발성메모리스토리지에액세스하는휘발성메모리컨트롤러, 및데이터이동인터커넥트(DMI)에명령어들을전송하는오케스트레이터를사용하여상기플래시메모리스토리지에서데이터를읽고, 상기플래시메모리스토리지에데이터를쓰는것을관리할수 있다. 상기데이터이동인터커넥트는적어도두 개의커널들, 버퍼관리자, 메세징을처리하는상기커널들및 상기버퍼관리자와관련된복수의링 에이전트들, 데이터이동을관리하는데이터이동관리자(DMM), 상기링 에이전트들사이에서데이터를이동하기위한적어도두 개의데이터링들, 및상기링 에이전트들및 상기데이터이동관리자사이에서명령들및 승인들을공유하기위한컨트롤링을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR20200141813A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20190068811
申请日：2019-06-11
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： SHIN DEOK HA
IPC: H04N5/378 , G06N3/08 , H04N5/3745
Abstract: 본개시는이미지신호프로세서, 및이를포함하는이미지센서가개시된다. 이미지센서는, 수신되는광 신호를전기적신호들로변환하는픽셀어레이, 상기전기적신호들을이미지데이터로변환하고, 상기이미지데이터를출력하는리드아웃회로및 제1 트레이닝데이터및 제2 트레이닝데이터중 상기이미지데이터의노이즈레벨을기초로선택된트레이닝데이터를기초로, 상기이미지데이터에대하여딥 러닝기반의이미지처리를수행하는이미지신호프로세서를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR20200141809A
公开(公告)日：2020-12-21
申请号：KR20190068805
申请日：2019-06-11
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： KANG JUN GOO , LEE HYUN SUK , CHO GI HEE , AHN SANG HYUCK
IPC: H01L27/108 , H01L29/92
Abstract: 집적회로장치는커패시터구조물을포함하고, 상기커패시터구조물은, 기판상에배치되는하부전극; 상기하부전극의측벽상에배치되는서포터; 상기하부전극및 상기서포터상에배치되는유전층; 및상기유전층상에서상기하부전극을커버하는상부전극을포함하고, 상기하부전극은, 상기기판상에서상기기판의상면에수직한제1 방향으로연장되는베이스전극층과, 상기베이스전극층의상기측벽과상기유전층사이, 및상기베이스전극층의상면과상기유전층사이에배치되며, 니오븀질화물을포함하는도전캡핑층을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR20200141231A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：KR20190067959
申请日：2019-06-10
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： DOIL KANG , MINSOO KIM , JIWOO LEE
Abstract: 다양한실시예들에따르면, 슬라이드(slide) 타입(type)의전자장치는메인바디(main body); 상기메인바디와결합되고회전운동이가능한가이드레일; 상기메인바디와결합되고상기가이드레일의회전운동을제어하는구동장치; 상기메인바디와결합되는가이드구조체; 슬라이드바디(slide body); 및상기슬라이드바디와결합되는연결구조체(connector structure)를포함하고, 상기연결구조체는, 상기회전운동에따라직선이동하도록상기가이드레일과결합되고, 상기연결구조체의직선이동에따라상기슬라이드바디는지정된영역에서유동적으로배치되고, 상기연결구조체의일 면과상기가이드구조체의일 면은전기적연결을형성하도록구성될수 있다.
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公开(公告)号：KR20200141114A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：KR20190067677
申请日：2019-06-10
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD , SEMES CO LTD
Inventor： JUNG DAE SUNG , KIM HEE HWAN , LEE JI YOUNG , SONG JONG MIN , SOH SANG YOON
Abstract: 케미컬들의치환감지센서는상부전극및 전기적신호측정회로를포함할수 있다. 상기상부전극으로는제 1 및제 2 케미컬들이순차적으로제공될수 있다. 상기상부전극은상기제 1 및제 2 케미컬들과마찰대전되어서로다른전기적신호들이상기상부전극을통해흐를수 있다. 상기전기적신호측정회로는상기전기적신호들을측정하여, 상기제 1 및제 2 케미컬들사이의치환을감지할수 있다. 따라서, 제 2 케미컬을치환시점부터반도체기판으로제공할수가있게되어, 반도체제조공정시간의지연을방지하면서제 2 케미컬의본래기능이유지될수 있다.
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公开(公告)号：KR20200140713A
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：KR20200063885
申请日：2020-05-27
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Abstract: 하나이상의인스트럭션들을저장하는메모리, 및상기메모리에저장된상기하나이상의인스트럭션들을실행하는적어도하나의프로세서를포함하며, 상기적어도하나의프로세서는상기하나이상의인스트럭션을실행함으로써, 저품질입력이미지패치및 고품질입력이미지패치를획득하고, 상기저품질입력이미지패치를제1 신경네트워크모델에입력함으로써저품질출력이미지패치를획득하고, 상기고품질입력이미지패치를제2 신경네트워크모델에입력함으로써고품질출력이미지패치를획득하고, 상기저품질출력이미지패치와상기고품질입력이미지패치간의오차및 상기고품질출력이미지패치와상기고품질입력이미지패치간의오차를감소시키도록설정된손실함수에기초하여상기제1 신경네트워크모델을학습시키며, 상기제2 신경네트워크모델과상기제1 신경네트워크모델과동일한, 이미지디테일향상을위한신경네트워크모델학습장치가개시된다.
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公开(公告)号：KR20200140645A
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：KR20190067556
申请日：2019-06-07
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： PARK TAE JIN , KIM KEUN NAM , KIM HUI JUNG , PARK SO HYUN , CHO JAE HWAN , HWANG YOO SANG
IPC: H01L27/108 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 반도체장치는, 기판상에형성된비트라인구조물, 상기비트라인구조물에인접하여상기기판의상면에수직한수직방향으로연장된콘택플러그구조물, 및상기콘택플러그구조물에전기적으로연결된커패시터를포함할수 있으며, 상기콘택플러그구조물은순차적으로적층된하부콘택플러그, 금속실리사이드패턴, 및상부콘택플러그를포함할수 있고, 상기금속실리사이드패턴은상기수직방향으로의단면이 "L"자형상을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR20200140601A
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：KR20190067441
申请日：2019-06-07
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor： PARK JEONG HEE , PARK KWANG MIN , PARK JI HO , OH GYU HWAN , LEE JUNG MOO , HORIIHIDEKI
IPC: H01L45/00 , H01L21/768
Abstract: 정보저장물질패턴을포함하는반도체소자를제공한다. 이반도체소자는반도체기판상의제1 도전성구조물; 상기제1 도전성구조물상의제2 도전성구조물; 및상기제1 도전성구조물과상기제2 도전성구조물사이의제1 메모리셀 구조물을포함한다. 상기제1 메모리셀 구조물은상기제1 도전성구조물상의정보저장물질패턴, 상기정보저장물질패턴상의중간도전성패턴, 및상기중간도전성패턴상의스위칭물질패턴을포함하고, 상기스위칭물질패턴의폭은상기정보저장물질패턴의폭 보다크고, 상기중간도전성패턴의적어도일부의폭은상기스위칭물질패턴의폭 보다크다.
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