조리용 가열 기기
    41.
    实用新型
    조리용 가열 기기 无效
    烹饪加热器

    公开(公告)号:KR2020170002715U

    公开(公告)日:2017-07-31

    申请号:KR2020160000324

    申请日:2016-01-20

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본고안은조리용가열기기에관한것이다. 본고안의일 실시예에따른조리용가열기기는조리용용기가각각올려지는기판; 상기기판의상기조리용용기가접하는면의반대면의일측에위치하는하이라이트형발열체, 인덕션형발열체및 핫플레이트형발열체중 적어도하나를포함하는제 1 발열부; 상기기판의상기반대면의타측에위치하고, 인가되는전원에의해발열하는제 2 발열부; 및상기제 1 발열부및 상기제 2 발열부에전원공급을제어하는전원제어부를포함하고, 상기제 2 발열부는, 상기반대면의상기타측상에적층되어, 상기전원인가에따라발열하는면상발열층; 및상기면상발열층상에전기적으로접속된전극들을포함한다.

    Abstract translation: 本文涉及用于烹饪的加热装置。 根据本发明的一个实施例,用于烹饪的加热设备包括基底,在基底上炊具升起; 第一加热单元,其包括位于与所述炊具接触的所述基板的表面的相反侧的一侧上的突出型加热元件,感应型加热元件和热板型加热元件中的至少一个; 第二发热单元,所述第二发热单元位于所述底部基板朝向表面的另一侧上并且通过施加的电源产生热量; 以及电源控制单元,用于控制对所述第一发热单元和所述第二发热单元的电力供应,其中所述第二发热单元堆叠在所述相对表面的另一侧上,并且所述表面发热层 。 和电连接到表面加热层的电极。

    유해 가스 오염원의 정화 장치
    43.
    发明公开
    유해 가스 오염원의 정화 장치 审中-实审
    有害气体污染源净化装置

    公开(公告)号:KR1020170065744A

    公开(公告)日:2017-06-14

    申请号:KR1020150171833

    申请日:2015-12-03

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본발명은유해가스오염원의정화장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른유해가스오염원의정화장치는기재; 상기기재상에형성되며산소흡착표면을제공하는주석산화물을포함하는제 1 발열박막; 및상기제 1 발열박막에접속되고, 상기산소흡착표면을활성화시키기위해상기제 1 발열박막으로전력을공급하기위한전극들을포함한다.

    Abstract translation: 净化有害气体污染源的设备本发明涉 根据本发明实施例的净化有害气体污染源的设备包括:基板; 第一加热薄膜,形成在基板上并包括氧化锡以提供氧吸附表面; 以及用于向第一加热薄膜提供电力以激活氧气吸附表面的电极,电极连接到第一加热薄膜。

    발열 플랫폼 및 이를 포함하는 3 차원 프린팅 장치
    44.
    发明公开
    발열 플랫폼 및 이를 포함하는 3 차원 프린팅 장치 审中-实审
    一种加热平台和一种包括该加热平台的三维打印装置

    公开(公告)号:KR1020170057900A

    公开(公告)日:2017-05-26

    申请号:KR1020150161035

    申请日:2015-11-17

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본발명은발열플랫폼및 3 차원프린팅장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른발열플랫폼은, 3 차원객체를형성하기위하여상기 3 차원객체의하단부를지지하는제 1 표면및 상기제 1 표면과반대되는제 2 표면을갖는기저기판; 상기제 1 표면및 제 2 표면중 어느하나이상의표면상에코팅되어상기삼차원객체의상기하단부를가열하기위하여, 2 차원적으로균일한온도를갖는가열표면을제공하는발열박막; 및상기발열박막에전력을공급하기위하여상기발열박막에전기적으로접속된제 1 전극및 제 2 전극을포함한다.

    Abstract translation: 加热平台和三维打印设备技术领域本发明涉及加热平台和三维打印设备。 根据本发明的一个实施例的加热平台包括:基底基板,具有支撑所述三维物体的下端以形成三维物体的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面; 发热薄膜,涂覆在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上,以提供具有二维均匀温度的加热表面,用于加热所述三维物体的下端; 并且第一电极和第二电极电连接到加热薄膜以向加热薄膜供应电力。

    발열 구조체 및 이의 제조 방법
    45.
    发明公开
    발열 구조체 및 이의 제조 방법 有权
    加热结构及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170053220A

    公开(公告)日:2017-05-16

    申请号:KR1020150155407

    申请日:2015-11-05

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본발명은발열구조체및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른발열구조체는기재, 상기기재상에형성되며, 불소가도핑된주석산화물을포함하는발열박막및 상기발열박막상에형성된확산장벽층을포함할수 있다.

    Abstract translation: 发热结构及其制造方法技术领域本发明涉及发热结构及其制造方法。 根据本发明实施例的发热结构可以包括衬底,形成在衬底上并包括氟掺杂氧化锡的发热薄膜以及形成在发热薄膜上的扩散阻挡层。

    박막 형성을 위한 전구체 공급 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치
    46.
    发明授权
    박막 형성을 위한 전구체 공급 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 有权
    用于提供用于形成薄膜的前体的装置和具有该前体的成膜装置

    公开(公告)号:KR101694751B1

    公开(公告)日:2017-01-10

    申请号:KR1020140109293

    申请日:2014-08-21

    Applicant: (주)세온

    CPC classification number: C23C16/448

    Abstract: 본발명은박막형성을위한전구체공급장치, 이를포함하는박막형성장치, 및이를이용하는박막형성방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른전구체공급장치는, 액상원료를저장하는원료저장부; 상기원료저장부에결합되어, 액적형태로상기액상원료를토출하는액적공급부; 및기화공간을한정하는챔버월; 상기챔버월의제 1 측부에형성되고, 상기액적공급부로부터상기기화공간으로액적들이통과하는액적인렛(inlet); 상기기화공간에결합되어상기기화공간내의상기액적들을기화시켜, 상기기화공간내에기상전구체를형성하는가열부; 상기기화공간내부로운반가스를인입하기위해상기챔버월의제 2 측부에형성된운반가스인렛; 상기챔버월의제 3 측부에형성되고상기반응챔버로상기운반가스에혼합된상기기상전구체를출력하는전구체아웃렛(outlet)을포함하는전구체기화부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成薄膜的前体供应装置,包括它的薄膜形成装置和使用它的薄膜形成方法。 根据本发明的一个实施方案的前体供应装置包括:用于储存液体原料的原料储存部分; 液滴供给部,其与所述原料收纳部连结,将液状原料排出液滴状; 以及前体蒸发部分,其包括室壁,液滴入口,加热部分,载体气体入口和前体出口,所述室壁限制蒸发空间,所述液滴入口形成在所述室壁的第一侧部分上 为了使液滴从液滴供给部通过到蒸发空间,加热部与蒸发空间连接,蒸发气化空间内的液滴,由此在汽化空间中形成蒸气前体,载气入口形成在 用于将载气引入蒸发空间内的室壁的第二侧部分,并且前体出口形成在室壁的第三侧部上,用于将与载气混合的蒸气前体输出到反应室。

    액적 발생 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치
    47.
    发明公开
    액적 발생 장치 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 审中-实审
    液滴生成装置和包括其的薄膜形成装置

    公开(公告)号:KR1020160141328A

    公开(公告)日:2016-12-08

    申请号:KR1020150076807

    申请日:2015-05-30

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본발명은박막형성을위한액적발생장치, 이를포함하는박막형성장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른액적발생장치는, 소스용액을수용하는제1 용기및 소스용액으로부터분무될액적들을형성하기위한에너지소스를포함하는액적생성부, 제1 용기에연통되어소스용액의일부를수용하는제2 용기및 제2 용기에수용된소스용액의일부의레벨을측정하는센서부를포함하는레벨센싱부및 센세부에서측정된결과에기초하여에너지소스에인가되는전기에너지를조절하여분무될액적들의양이일정하게유지되도록제1 용기에수용된소스용액의레벨을미리설정된레벨로유지시키는레벨제어부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成薄膜的液滴生成设备以及包括该液滴生成设备的薄膜形成设备。 根据本发明实施例的液滴生成设备包括液滴生成单元,该液滴生成单元包括用于接收源溶液的第一容器和用于形成将从源溶液喷射的液滴的能量源, 以及传感器单元,用于测量容纳在第二容器中的部分源溶液的液位,以及控制单元,用于基于在传感器单元中测量的结果来控制施加到能量源的电能, 以及液位控制单元,用于将容纳在第一容器中的源溶液的液位保持在预定的水平,使得待保持的液滴的量是均匀的。

    박막 형성을 위한 노즐 및 이를 포함하는 박막 형성 장치
    48.
    发明公开
    박막 형성을 위한 노즐 및 이를 포함하는 박막 형성 장치 审中-实审
    用于形成薄膜的喷嘴和具有该薄膜的装置

    公开(公告)号:KR1020160140283A

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:KR1020150076776

    申请日:2015-05-29

    Applicant: (주)세온

    Abstract: 본발명은박막형성을위한노즐및 이를포함하는박막형성장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른노즐은, 공급유로에연결되어상기공급유로로부터전달되는소스전구체를함유하는전구체스트림이인입되는제 1 인렛및 상기인입된전구체스트림을기판상에분사하는제 1 아웃렛을포함하는분사노즐; 및상기분사노즐에인접배치되어상기분사된전구체스트림이상기기재상에서층류를형성하도록잔류전구체스트림을흡입하는제 2 인렛및 상기제 2 인렛으로흡입된상기잔류전구체스트림을외부로배출하기위한제 2 아웃렛을포함하는배출노즐을포함한다.

    FTO/폴리이미드 필름 상 금속 배선 구조 및 FTO/폴리이미드 필름 상 금속 배선 방법
    49.
    发明公开
    FTO/폴리이미드 필름 상 금속 배선 구조 및 FTO/폴리이미드 필름 상 금속 배선 방법 无效
    FTO / PolyImide膜的金属图案形成结构以及用于FTO / PolyImide膜的金属图案化方法

    公开(公告)号:KR1020150033781A

    公开(公告)日:2015-04-02

    申请号:KR1020130112686

    申请日:2013-09-23

    Abstract: 본발명은「폴리이미드유연기판에 FTO 투명전도막이코팅된 FTO/폴리이미드필름상에형성된금속배선구조로서, 상기 FTO/폴리이미드필름상에형성된라인형태의음각부; 상기음각부상에임의의간격과패턴으로형성되되상기폴리이미드유연기판의일정깊이까지파인다수개의홈; 및상기음각부및 상기다수개의홈에충전된금속;을포함하여구성되어, 상기금속이배선을이루되상기다수개의홈에충전된부분이핀형구조를이루고있는것을특징으로하는 FTO/폴리이미드필름상 금속배선구조」및 「(a) 폴리이미드유연기판에 FTO 투명전도막이코팅된 FTO/폴리이미드필름을준비하는단계; (b) 레이저스크라이빙(laser scribing)을통해상기 FTO 투명전도막을필요한부분만큼깎아내어라인형태의음각부를형성시키는단계; (c) 상기음각부상에임의의간격과패턴으로레이저를조사(照射)하여상기폴리이미드유연기판의일정깊이까지파인다수개의홈을형성시키는단계; 및 (d) 상기음각부및 상기다수개의홈에금속을충전시키는단계;를포함하는 FTO/폴리이미드필름상 금속배선방법」을제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及在聚酰亚胺柔性基板上涂覆有FTO透明导电膜的FTO /聚酰亚胺膜上形成的金属布线结构。 FTO /聚酰亚胺膜上的金属图案形成结构包括:形成在FTO /聚酰亚胺膜上的线状的凹部; 多个凹槽以一定的图案形成并以一定的间隔形成在凹部上,并在聚酰亚胺柔性基板上凹陷一定的深度; 和填充在凹部和凹槽中的金属。 因此,金属形成布线并且填充在凹槽中的部分是销状结构。 另外,在FTO /聚酰亚胺膜上提供金属配线方法,其特征在于,包括以下步骤:(a)在聚酰亚胺柔性基板上制备涂布有FTO透明膜的FTO /聚酰亚胺膜; (b)通过激光划线将FTO透明膜与所需部分相切形成线状凹部; (c)通过以一定的图案和一定的间隔将激光照射到凹部来形成在聚酰亚胺柔性基板上凹陷一定深度的多个凹槽; 和(d)在所述凹部和所述槽中填充金属。

    고헤이즈를 위한 불소가 도핑된 산화 주석 박막 식각 방법
    50.
    发明公开
    고헤이즈를 위한 불소가 도핑된 산화 주석 박막 식각 방법 有权
    氟化钛氧化物膜的高效蚀刻方法

    公开(公告)号:KR1020140140687A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:KR1020130061289

    申请日:2013-05-29

    Applicant: (주)세온

    CPC classification number: C25F3/06 H05K3/07

    Abstract: 고헤이즈를 위한 불소가 도핑된 산화 주석 박막 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 불소가 도핑된 산화 주석 박막 식각 방법은 불소가 도핑된 산화 주석 박막의 일부 영역에 형성된 제1 전극과 식각 용액이 들어있는 식각 용기의 일부 영역에 형성된 제2 전극에 미리 결정된 전압을 인가하는 단계; 상기 불소가 도핑된 산화 주석 박막을 딥 코터를 이용하여 미리 결정된 속도로 상기 식각 용액에 딥 코팅하는 단계; 및 상기 딥 코팅을 통해 상기 불소가 도핑된 산화 주석 박막을 식각하는 단계를 포함하고, 상기 미리 결정된 전압은 상기 불소가 도핑된 산화 주석 박막의 식각 전 면저항과 식각 후 면저항의 변화가 0~20[%]에 해당하는 전압인 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 公开了一种用于高雾度氟掺杂氧化锡膜的蚀刻方法。 根据本发明,该方法包括以下步骤:对形成在氟掺杂氧化锡膜的区域上的第一电极授权预定电压,以及形成在蚀刻容器的包含蚀刻溶液的区域上的第二电极 ; 使用深层涂布机以预定的速度将氟掺杂的氧化锡膜深深地涂覆到蚀刻溶液中; 并通过深度涂层蚀刻氟掺杂的氧化锡膜。 与蚀刻后的氟掺杂氧化锡膜相比,蚀刻前的氟掺杂氧化锡膜的电阻值的设定电压设定为0〜20 [%]。

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