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公开(公告)号：CN115398334B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN116594258A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652861.7
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为50nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述碳纳米管片具有面内取向的所述捆彼此缠绕的网状结构，该网状结构具有基于以特定观察倍率拍摄的特定范围的SEM图像或AFM图像观察到的、3根以上的捆缠绕而连结的捆的连结点。
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公开(公告)号：CN116594257A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310652312.X
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜及其组件和组件框体、以及组件制造方法。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的曝光原版、曝光装置和半导体装置的制造方法。本发明的防护膜是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向，上述防护膜的碳纳米管片的膜厚方向的峰强度与碳纳米管片的面内方向的峰强度之比RB为0.40以上，上述防护膜具有50％以上的透射率。
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公开(公告)号：CN106662806B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201580046947.9
申请日：2015-09-17
Applicant: 三井化学株式会社
IPC: G03F1/64 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供远紫外光光刻用的防护膜组件、其制造方法以及曝光方法。本发明涉及的防护膜组件具备：第1框体，该第1框体配置有防护膜；第2框体，该第2框体具有厚部和第2面，并将上述防护膜和上述第1框体从外侧包围，所述厚部包含第1面，所述第1面承接与上述第1框体的配置有上述防护膜的面相反侧的面，所述第2面与上述第1面连接并承接上述第1框体的侧面；贯通孔，该贯通孔配置在上述第2框体的上述厚部；以及过滤器，该过滤器配置在与配置有上述防护膜的上述第1框体的面交叉的上述第2框体的外侧的侧面，并覆盖上述贯通孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107533283B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201680023233.0
申请日：2016-04-11
Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
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公开(公告)号：CN109416503A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780038819.9
申请日：2017-07-03
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/162
Abstract: 本发明提供EUV透射性进一步高的防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件。此外，提供能够以此进行高精度的EUV光刻的、曝光原版、半导体装置的制造方法。一种曝光用防护膜，是铺设在支撑框的开口部的曝光用防护膜，上述防护膜的厚度为200nm以下，上述防护膜包含碳纳米管片，上述碳纳米管片具备由多个碳纳米管形成的捆，上述捆的直径为100nm以下，上述捆在上述碳纳米管片中进行面内取向。
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公开(公告)号：CN107533283A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023233.0
申请日：2016-04-11
CPC classification number: G03F1/24 , C09J7/38 , G03F1/54 , G03F1/60 , G03F1/62 , G03F1/64 , G03F1/76 , G03F1/80 , G03F1/82
Abstract: 本发明的课题是抑制在裁剪时产生的异物粒子附着于防护膜组件。本发明涉及的防护膜组件的制造方法是制造包含防护膜和支撑该防护膜周围的防护膜组件框的防护膜组件的方法，所述方法包含如下操作：在基板上形成防护膜(101)，将具有伸缩性且在受到来自外部的刺激时粘着力会降低的粘着片(106，107)粘贴于基板的两面侧，在粘贴有粘着片的部分的基板的内部形成切口，维持粘贴有粘着片的状态，将基板的形成了上述切口的部分的外侧的基板外周部(111)分离从而形成防护膜组件框，对粘着片给予刺激而剥离粘着片。
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公开(公告)号：CN107003602A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003768.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 三井化学株式会社
Abstract: 防护膜组件存在如下的问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。对此，本发明提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后至少去除基板的一部分。此外，在去除基板的一部分之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。
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公开(公告)号：CN106233201A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580018782.4
申请日：2015-04-27
Applicant: 三井化学株式会社
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/62 , G03F7/2004 , H01L21/67359
Abstract: 本发明提供防护膜组件框，其具备框主体，所述框主体具有：设置在一端面的槽，所述一端面是厚度方向的一端面并且是支撑防护膜侧的一端面；以及贯通外周面与设置在上述一端面的槽的壁面之间的贯通孔。
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