-
公开(公告)号：CN102968220A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
-
公开(公告)号：CN102903723A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210034691.8
申请日：2012-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G06F3/042
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/042
Abstract: 提供了一种感光设备、驱动感光设备的方法以及光触摸屏设备。所述感光设备中的感光像素中的光传感器晶体管由用于感测光的氧化物半导体晶体管形成，所述感光设备包括：感光像素阵列，具有按照行列布置的多个感光像素；多条栅极线，沿着行方向被布置并将栅极电压分别提供给感光像素，其中，每个感光像素包括用于感测光的光传感器晶体管和用于输出来自光传感器晶体管的感光信号的开关晶体管，布置在任意行中的感光像素的光传感器晶体管的栅极连接到布置在所述任意行之前或之后的行中的栅极线。
-
公开(公告)号：CN102759400A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210115204.0
申请日：2012-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 根据示例实施例，一种光感测装置可以包括光感测像素的阵列、第一栅极驱动器和信号输出单元。每一个光感测像素可以包括被配置为感测光的光传感器晶体管、被配置为输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管、以及在开关晶体管的光入射表面上的导电遮光膜。所述光传感器晶体管和开关晶体管可以具有相同的氧化物半导体晶体管结构。第一栅极驱动器可以被配置为向每一个光感测像素提供栅极电压和负偏置电压。所述信号输出单元可以被配置为从每一个光感测像素接收光感测信号并输出数据信号。
-
公开(公告)号：CN101183705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
-
公开(公告)号：CN102253764A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110033974.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: H03K17/78 , H03K17/941
Abstract: 示例实施例针对于光感测电路、操作光感测电路的方法和包括光感测电路的光感测设备。光感测电路包括感测光的光敏氧化物半导体晶体管；以及切换晶体管，与光感测晶体管串联，并被配置为输出数据。在待命时间期间，低电压被施加到切换晶体管，并且高电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管，当输出数据时，高电压施加到切换晶体管，并且低电压被施加到光敏氧化物半导体晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100524875C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
-
公开(公告)号：CN101494220A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910003249.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。
-
-
公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
-
公开(公告)号：CN1964050A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610075345.9
申请日：2006-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种在存储节点中具有改进的结构从而具有稳定的开关特性的非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括开关器件和与该开关器件耦接的存储节点。该存储节点包括第一电极、第二电极、数据存储层、以及至少一个接触层。该数据存储层设置在该第一电极与该第二电极之间且包括过渡金属氧化物或者铝氧化物。所述至少一个接触层设置在该数据存储层之上或之下，且包括导电金属氧化物从而改善该数据存储层与该第一电极之间以及该数据存储层与该第二电极之间的界面特性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.037 seconds)
