公开(公告)号：CN101145390A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710147870.1

申请日：2007-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  金恩植

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C19/0808 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/14 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/3222 ,  Y10S977/933

Abstract: 一种利用磁畴壁移动的存储器装置的数据记录和读取方法。所述存储器装置包含写入轨道、形成在写入轨道上的互连层以及形成在互连层上的记录轨道。

公开(公告)号：CN101106170A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200610171218.9

申请日：2006-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  金恩植 ,  李成喆

IPC: H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/14 ,  G11C19/02 ,  H01F10/12

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/65 ,  G11B5/72 ,  G11C19/0808 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  Y10S977/933 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种应用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括内部磁畴壁移动的磁性物质膜，其中该磁性物质膜具有0.015到0.1的阻尼常数。

公开(公告)号：CN1855230A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076427.5

申请日：2006-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  金庸洙 ,  李厚山

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/187

CPC classification number: G11B5/1278 ,  G11B5/11

Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头。该垂直磁记录头包括：数据记录模块，包括主极、返回极和在所述主极周围缠绕的线圈；数据再现模块，包括磁屏蔽层和位于磁屏蔽层之间的读取器件，其中，主极的下端的宽度在其向下的方向上逐渐减小，主极的下端包括第一部分和从第一部分延伸的第二部分，第一部分具有第一曲率的曲面，第二部分具有第二曲率的曲面。第一曲率可以等于第二曲率，或者也可以与第二曲率不同，在主极的下端的两侧还可包括磁屏蔽器件。

公开(公告)号：CN1828769A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610003205.0

申请日：2006-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  金庸洙

IPC: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  H01F10/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供了一种利用自旋极化电流的多位磁性存储装置及其制造和操作方法。所述磁性存储装置包括开关器件和连接到所述开关器件的磁性存储节点，其中，所述磁性存储节点包括彼此垂直并分开设置的第一磁性层、第二磁性层和自由磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。所述自由磁性层可包括彼此单独形成的第一自由磁性层和第二自由磁性层。所述磁性存储节点还可包括在所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层之间单独形成的第三磁性层和第四磁性层，所述第三磁性层和所述第四磁性层具有彼此相反的自旋极化电子传输特性，并且具有彼此相反的磁极化。