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公开(公告)号：CN100573707C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610121657.9
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/5607 , G11C19/0808 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
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公开(公告)号：CN100530361C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610101511.8
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。
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公开(公告)号：CN101114693A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610168680.3
申请日：2006-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14 , G11C19/0841 , Y10S977/933
Abstract: 本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。
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公开(公告)号：CN101034559A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767008A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
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公开(公告)号：CN101217181B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200810002213.2
申请日：2008-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林志庆
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14
Abstract: 示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其制造方法，所述数据存储装置包括具有磁化方向可确定的至少两个磁畴的第一磁层和/或形成在第一磁层的下表面上的第二软磁层。即使在第一磁层的弯曲区域中，磁畴壁也可被移动。
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公开(公告)号：CN101299347B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710185795.8
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/00 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101982894A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010286374.6
申请日：2008-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 林志庆
CPC classification number: G11C19/0808 , G11C11/14
Abstract: 示例性实施例可提供使用磁畴壁移动的数据存储装置的制造方法，该方法包括以下步骤：采用第一聚合物涂基底；使用图案化的主模压制第一聚合物；硬化第一聚合物；从第一聚合物分离主模；采用第二磁层涂第一聚合物；采用第一磁层涂第二磁层；采用第二聚合物涂第一磁层；使用图案化的主模压制第二聚合物；在第一磁层和第二聚合物上形成覆盖层；通过蚀刻去除覆盖层和第一磁层的上部。
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公开(公告)号：CN101299347A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710185795.8
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/00 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。
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