公开(公告)号：CN110746958A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910665612.5

申请日：2019-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  金善英 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  权秀暻 ,  金龙郁

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/50

Abstract: 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III-V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。

公开(公告)号：CN110065931A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910062615.X

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  多伦多大学理事会

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  A.雅因 ,  E.萨金特 ,  O.沃兹尼 ,  L.莱维纳 ,  S.霍格兰德 ,  P.托多罗维克 ,  M.赛达米诺夫

IPC: C01B19/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C09K11/88 ,  C09K11/67

Abstract: 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备，所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸，其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。

公开(公告)号：CN110028968A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910026869.6

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 章效淑 ,  元裕镐 ,  黄成宇 ,  金智荣 ,  张银珠

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  H01L51/50

Abstract: 公开不含镉的量子点、包括其的量子点-聚合物复合物、和显示装置，所述不含镉的量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，其中所述量子点不包括镉并且包括铟和锌，所述量子点具有在红色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半峰全宽(FWHM)小于或等于约40nm，所述量子点的紫外-可见吸收光谱在约450nm和第一吸收峰波长之间具有谷部，并且通过以下方程定义的谷深度(VD)大于或等于约0.2：(Abs第一-Abs谷)/Abs第一＝VD，其中，Abs第一为在第一吸收峰波长处的吸收强度并且Abs谷为在所述谷部的最低点处的吸收强度。所述显示装置包括所述量子点-聚合物复合物。

公开(公告)号：CN109652076A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811189402.5

申请日：2018-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙郁 ,  张银珠 ,  金泰坤 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  郑煐树

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H01L51/50 ,  G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 公开了组合物、量子点聚合物复合物、以及包括其的层状结构和电子装置。所述组合物包括：多个量子点；多个发光碳纳米颗粒；包含羧酸基团的粘结剂；包括碳-碳双键的能聚合的单体；和引发剂，其中所述多个量子点包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、或其组合，所述多个发光碳纳米颗粒具有小于或等于约10nm的尺寸，并且在其拉曼光谱中呈现出D带和G带两者，和所述多个发光碳纳米颗粒的至少一部分吸收具有大于或等于约400nm的波长的光且其最大发光峰波长大于或等于约480nm。