公开(公告)号：CN104051270A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410069205.5

申请日：2014-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  李东奎 ,  车东镐

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/3083 ,  H01L21/31144 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。

公开(公告)号：CN101477986B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810136694.6

申请日：2008-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金旻相 ,  李志明 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66795

Abstract: 本发明提供一种鳍式场效应晶体管(FinFET)及其制造方法。FinFET可以包括至少一个有源鳍、至少一个栅极绝缘层图案、第一电极图案、第二电极图案和至少一对源极/漏极扩张区。至少一个有源鳍可以形成在衬底上。至少一个栅极绝缘层图案可以形成在至少一个有源鳍上。第一电极图案可以形成在至少一个栅极绝缘层图案上。此外，第一电极图案可以与至少一个有源鳍交叉。第二电极图案可以形成在第一电极图案上。进一步地，第二电极图案的宽度可以大于第一电极图案的宽度。至少一对源极/漏极扩张区可以形成在第一电极图案的两侧的至少一个有源鳍的表面上。因此，FinFET可以具有提高的容量和减小的GIDL电流。

公开(公告)号：CN100517748C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200510103625.1

申请日：2005-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  黎明 ,  尹恩贞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在场效应晶体管(FET)及其制造方法中，该FET包括，半导体衬底，形成在半导体衬底上的源区和漏区，电连接源区和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置，以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。

公开(公告)号：CN101118909A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710104475.5

申请日：2007-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  吕京奂 ,  金旻相 ,  金成玟

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在基底上，第一源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一有源区上。第二有源区设置在位于第一源/漏区和第二源/漏区之间并毗邻第一源/漏区和第二源/漏区的第一栅结构上。第二栅结构设置在位于所述第一栅结构上面的第二有源区上。

公开(公告)号：CN1855495A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073547.X

申请日：2006-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东建 ,  金洞院 ,  金旻相 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/105 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7881

Abstract: 在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。

公开(公告)号：CN1542965A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410038585.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金成玟 ,  朴东健 ,  吕京奂

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/33 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/802

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。

公开(公告)号：CN118693043A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410178982.7

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：前侧布线结构，连接到信号线；后侧布线结构，布置在前侧布线结构下方并且连接到电力线；以及栅极结构，在前侧布线结构和后侧布线结构之间，栅极结构中的每个栅极结构包括栅电极、第一封盖膜、第二封盖膜和栅极间隔部，第一封盖膜在栅电极的底表面上，并且第二封盖膜在栅电极的顶表面上。

公开(公告)号：CN108695391B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201810288244.2

申请日：2018-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明昊 ,  金庆燮 ,  金贞林 ,  李载明 ,  吴兴锡 ,  林莲花 ,  全众源 ,  金成玟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。

公开(公告)号：CN109494221B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201811052594.5

申请日：2018-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金成玟 ,  申东石 ,  李承勳 ,  金洞院

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其可包括第一有源鳍、第二有源鳍及栅极结构。所述第一有源鳍可在衬底上在第一方向上延伸，且可包括第一直线延伸部分、第二直线延伸部分及位于所述第一直线延伸部分与所述第二直线延伸部分之间的弯曲部分。所述第二有源鳍可在所述衬底上在所述第一方向上延伸。所述栅极结构可在所述衬底上在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸。所述栅极结构可与所述第一有源鳍的所述第一直线延伸部分及所述第二直线延伸部分中的一者交叉，且可与所述第二有源鳍交叉。本公开的半导体装置具有良好的性能。

公开(公告)号：CN109755319B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201811042219.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；鳍结构，在与基底的上表面垂直的方向上从基底突出，鳍结构包括第一鳍区和第二鳍区，第一鳍区在第一方向上延伸，第二鳍区在与第一方向不同的第二方向上延伸；源/漏区，设置在鳍结构上；栅极结构，与鳍结构交叉；第一接触件，连接到源/漏区中的一个；第二接触件，连接到栅极结构并且在平面图中位于第二鳍区之间。