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公开(公告)号：CN116583719A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180083210.X
申请日：2021-11-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本公开的目的是提供一种能够精度良好地求出原料雾的流量的雾流量测量装置。并且，在本公开的雾流量测量装置，摄像机(5)在透明配管(10)内执行将流过含雾气体(G3)的雾流通区域的至少一部分作为摄像对象区域的反射光(L2)的摄像处理，取得摄像信息(S5)。雾流量运算部(16)基于摄像信息(S5)执行雾流量运算处理。雾流量运算处理包含求出摄像信息(S5)表示的多个亮度值的总和即亮度总和值的总和值运算处理，和根据上述亮度总和值导出原料雾(3)的流量的流量导出处理。
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公开(公告)号：CN108138319B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580083958.4
申请日：2015-10-19
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够防止产生堵塞的、具有喷雾头部的构造的成膜装置。而且，本发明的成膜装置中的喷雾头部(100)在原料溶液喷射用喷嘴部(N1)、反应材料喷射用喷嘴部(N3)之间设有非活性气体喷射部(82)，在原料溶液喷射用喷嘴部(N1)、反应材料喷射用喷嘴部(N2)之间设有非活性气体喷射部(83)。因此，非活性气体喷出口(192)设于原料溶液喷出口(15)与反应材料喷出口(17)之间，非活性气体喷出口(193)设于原料溶液喷出口(15)与反应材料喷出口(16)之间。
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公开(公告)号：CN111868297A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980017252.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: C23C16/455 , B05D3/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种成膜装置，能够不使成膜品质、成膜速度降低地在基板上成膜出薄膜，且实现成膜处理的生产率的提高。本发明中，在加热室(H1)的加热空间(91)内执行通过输送机(33)使基板(10)沿着基板移动方向(D1)移动的第一加热处理。然后，执行通过输送机(13)使基板(10)沿着搬运方向(D3)移动的第一搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(11H，11L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。接着，执行基于输送机(43)的第二加热处理。然后，执行基于输送机(23)的第二搬运处理。此时，通过薄膜形成喷嘴(12H，12L)向基板(10)喷射原料雾(MT)。
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公开(公告)号：CN107683346B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580080986.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使含有氧化铝形成用的反应助剂的反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。并且，经由路径(L1)和(L2)向设置于反应容器(11)内的喷嘴(12)供给原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)。然后，在喷嘴(12)内使原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)，向处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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公开(公告)号：CN107683347B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201580080989.4
申请日：2015-06-18
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 高知县公立大学法人 , 国立大学法人京都大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本发明的目的在于提供一种提高生产效率且得到高品质的金属氧化膜的金属氧化膜的成膜方法。并且，本发明的成膜方法实施以下的处理。在溶液容器(15)内，使含有金属元素即铝的原料溶液(14)雾化而得到原料溶液雾(M1)。在独立于溶液容器(15)的溶液容器(25)内，使反应辅助溶液(24)雾化而得到助剂雾(M2)。经由相互独立的路径L1和L2将得到的原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)供给到混合容器(8)中后，在混合容器(8)内，将原料溶液雾(M1)和助剂雾(M2)混合而得到混合雾(M3)。并且，在与混合容器(8)独立地设置的反应容器(11)内，向在大气压下处于加热状态的P型硅基板(4)的背面上供给混合雾(M3)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108699692A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082592.3
申请日：2016-04-26
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供将装置成本抑制为最低限，且有效地抑制在成膜对象的基板产生翘曲、破裂的现象且能够发挥高处理能力的成膜装置。并且，本发明具有基板堆叠工作台(3A以及3B)，其分别载置基板(10)，并具有对载置的基板进行吸附的吸附机构(31)以及对载置的基板进行加热的加热机构(32)。利用基板移载机构(8)对基板堆叠工作台(3A以及3B)执行以速度(V0)依次穿过薄膜形成喷嘴(1)的喷射区域(R1)内的搬运动作。上述搬运动作包括巡回搬运处理，该巡回搬运处理将基板堆叠工作台(3A以及3B)中的、作为所载置的全部基板(10)穿过了喷射区域(R1)的一方基板载置工作台(3)，以巡回速度向另一方基板载置工作台(3)的后方巡回配置。
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公开(公告)号：CN105451891B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201380078729.4
申请日：2013-08-08
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: B05B17/06
Abstract: 本发明的雾化装置(100)具有：收容溶液(15)的容器(1)；和将溶液(15)雾化的雾化器(2)。并且，在容器(1)内配设有内部空洞构造体(3)。并且，在雾化装置(100)中，向气体供给空间(1H)供给搬运气体。而且，形成有将内部空洞构造体(3)的空洞(3H)与气体供给空间(1H)连接的连接部(5)。
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公开(公告)号：CN105121699B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380075709.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 , 国立大学法人京都大学 , 高知县公立大学法人
CPC classification number: C23C16/4486 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C18/1216 , C23C18/14
Abstract: 本发明提供一种能够实现所形成的膜密度的提高的成膜方法。对此，在本发明的成膜方法中，通过向基板(10)雾状喷射雾化的溶液，从而在基板上形成膜。接下来，中断成膜工序。接下来，向基板照射等离子。
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公开(公告)号：CN107360730A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201580075408.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够低制造成本、不对基板造成损伤且高生产效率地成膜膜质良好的钝化膜的太阳能电池的制造方法。而且，在本发明中，制作P型硅基板(4)，将包含铝的溶液雾化，在非真空下将雾化后的溶液对P型硅基板(4)的背面进行喷雾，由此将由氧化铝膜构成的背面钝化膜(5)成膜在P型硅基板(4)的背面上。此后，执行对P型硅基板(4)以及背面钝化膜(5)的界面照射紫外光(21)的光照射处理。
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公开(公告)号：CN107073487A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480082369.X
申请日：2014-10-01
Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有能够防止发生堵塞的喷雾用的喷嘴的成膜装置。本发明所涉及的成膜装置具备喷射原料溶液的喷雾头部(100)。喷雾头部(100)具有原料溶液喷射用喷嘴部(N1)和喷出雾化后的原料溶液的原料溶液喷出部(7)，原料溶液喷射用喷嘴部(N1)具有：空洞部(2、3)；以及原料溶液排出部(5)，其在与该空洞部(2、3)的底面分离的位置处穿设于该空洞部(2、3)内的侧面，且与原料溶液喷出部(7)连接。
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