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公开(公告)号：CN102623632A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110031815.2
申请日：2011-01-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。
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公开(公告)号：CN102610745A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110021620.X
申请日：2011-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102134698A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010619496.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G11C11/56 , C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/14 , C23C14/35 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法。该相变材料是一种由铝、锑、碲三种元素组成的混合物，其通式为Alx(SbyTe1)1-x，其中0＜x≤0.85，0.67≤y≤7，可采用磁控溅射的方法制备。所述的材料在外部作用下为电驱动。通过调节化合物中三种元素的含量可以得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。由于铝、锑、碲三种元素之间可以两两成键，因而可调性非常强，使得其在相当大的范围内都具有相变特性。适当调节中元素比例，得到的材料比传统的材料有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力和较低的熔点，而且继承了的快速相变能力。另外Al元素是微电子应用中的常用元素，工艺成熟，与COMS兼容性好。
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公开(公告)号：CN111584710B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010277520.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及一种OTS材料、选通器单元及其制备方法。该OTS材料的化学通式为GaxS1‑x‑yRy。该选通器单元包括该OTS材料。该选通器单元在外部电激励的作用下，能够实现从关断的、高电阻态到导通的、低电阻态的快速转变；而且，在撤去外部电激励时，能够由导通的、低电阻态向关断的、高电阻态快速转变；并且该选通器单元具有驱动电流高、阈值电压较低、开启速度快、开关比大、热稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN114122255A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111401334.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种选通管材料及其选通管单元，该选通管单元包括选通管材料层、阻挡层、第一电极及第二电极，其中，所述选通管单元采用化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy的选通管材料，0.1≤x≤0.9，0＜y≤0.5，M组分包括As、B、P和Li元素中的至少一种，所述阻挡层位于位于所述选通管材料层的上表面；所述第一电极位于所述阻挡层的上表面；所述第二电极位于所述选通管材料层的下表面。本发明的选通管单元通过采用化学通式为(GexS1‑x)1‑yMy的选通管材料作为选通管单元的选通管材料层，实现了选通管单元热稳定性的提高、漏电流减小、开态电流的增加、电压波动的减少、单元一致性的提高及使用寿命的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935688B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910233385.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100‑x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100‑x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100‑x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100‑x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100‑x层取代所述GexTe100‑x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100‑x非晶态。
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公开(公告)号：CN111725395A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911183322.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及微纳米电子技术领域，本发明公开了一种选通管材料，该选通管材料为包括硫化锗(GeS)和碲化砷(As2Te3)的化合物；该选通管材料的化学通式为(GeS)1-X(As2Te3)X，其中，X为化合物的占比，且0＜X≤0.5。本发明提供的选通管材料具有开启电压小的特点。
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公开(公告)号：CN109935688A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910233385.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100-x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100-x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100-x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100-x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100-x层取代所述GexTe100-x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100-x非晶态。
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公开(公告)号：CN102610745B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110021620.X
申请日：2011-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤ (b/c) ≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102978588B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210537558.4
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法，包括：1）在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗未被吸收的的SbCl3，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）向上述基底引入Ti的前驱体TiCl4脉冲，清洗残余的TiCl4，然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲，清洗残余(R3Si)2Te和反应副产物；3）向上述基底引入Sb的前驱体SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入Sb的前驱体(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物。采用本发明方法制备的钛-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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