公开(公告)号：CN118103688A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069324.3

申请日：2022-10-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  李真和

IPC: G01N3/56

Abstract: 一种接触件，是通过由多个金刚石颗粒构成的多晶金刚石构成的圆环状的接触件，其中，所述接触件构成为供旋转轴贯穿中心，所述接触件具备：第一部分，沿径向具有恒定的厚度且包含内端部；以及第二部分，具有沿径向减小的厚度且包含外端部，所述第二部分具有：第一面，与所述第一部分的上表面连续；第二面，与所述第一部分的下表面连续；以及连接面，将所述第一面与所述第二面连接并包含所述外端部，在沿着所述旋转轴的剖面中，表示所述第一面的第一线段与表示所述第二面的第二线段所成的角度θ为100°以上且150°以下，作为所述第一面与所述连接面的边界的第一边界部和作为所述第二面与所述连接面的边界的第二边界部之间的长度为1μm以上且10μm以下，从所述旋转轴到所述外端部的长度为0.5mm以上且5mm以下，所述多个金刚石颗粒的平均粒径为10nm以上且300nm以下。

公开(公告)号：CN117500961A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280042140.8

申请日：2022-05-02

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  李真和 ,  寺本三记

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，所述合成单晶金刚石以原子数基准计包含50ppm以上且1000ppm以下的浓度的氮原子，其中，所述合成单晶金刚石包含由一个空位和与所述空位相邻地存在的两个取代型氮原子构成的聚集体，所述合成单晶金刚石的第二努普压痕的长的一方的对角线的长度b相对于第一努普压痕的长的一方的对角线的长度a之比b/a为0.90以下，所述第一努普压痕是在所述合成单晶金刚石的{110}面中的 方向上，依据JIS Z 2251：2009，在温度为23℃±5℃、以及试验载荷为4.9N的条件下将努普压头压入的状态下，形成于所述合成单晶金刚石的表面的压痕，所述第二努普压痕是在解除所述试验载荷后残留在所述合成单晶金刚石的表面的努普压痕。

公开(公告)号：CN116981801A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280019663.0

申请日：2022-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 西林良树 ,  左亦康 ,  李真和 ,  寺本三记 ,  小林丰 ,  角谷均

IPC: C30B29/04

Abstract: 一种单晶金刚石，其中，该单晶金刚石具有与生长主面平行的生长条纹和低指数晶面，在上述单晶金刚石的至少一部分中，上述生长条纹相对于上述低指数晶面具有偏离角。

公开(公告)号：CN109661568B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201880002995.1

申请日：2018-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 滨木健成 ,  山本佳津子 ,  角谷均 ,  石田雄

IPC: G01N3/42

Abstract: 压头由多晶金刚石制成并具有末端，末端具有半径为10μm到2000μm的球形表面。

公开(公告)号：CN111263741B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201880026144.0

申请日：2018-10-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  山本佳津子

IPC: C04B35/52 ,  B01J3/06 ,  B23B27/20 ,  C01B32/26

Abstract: 金刚石多晶体包含金刚石粒子，所述金刚石多晶体包含立方金刚石和6H型六方金刚石，其中立方金刚石和6H型六方金刚石存在于同一金刚石粒子中或存在于不同的金刚石粒子中，并且比率Ab1/Ab2为0.4以上1以下，Ab1表示红外吸收光谱中在1200cm‑1以上1300cm‑1以下的范围内的吸收的最大值，Ab2表示在1900cm‑1以上2100cm‑1以下的范围内的吸收的最大值。

公开(公告)号：CN111247275B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201880068216.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  滨木健成 ,  寺本三记 ,  山本佳津子

IPC: C30B29/04 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C30B9/10 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，该合成单晶金刚石包含浓度大于600ppm且为1500ppm以下的氮原子。氮原子不包括孤立置换型氮原子。

公开(公告)号：CN106164017B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201580017546.0

申请日：2015-03-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤武 ,  角谷均

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/528 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C01B32/26

Abstract: 复合烧结体包括第一相和第二相。所述第一相为金刚石相，所述第二相为使用至少一种元素或化合物或这两者所形成的相，并且所述第二相向所述第一相施加应变。所述第二相的含量为大于0ppm且小于等于1000ppm。由此，提供了具有高耐磨性、高局部耐磨性和高耐崩裂性的含金刚石的复合烧结体。

公开(公告)号：CN111247275A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201880068216.8

申请日：2018-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 角谷均 ,  滨木健成 ,  寺本三记 ,  山本佳津子

IPC: C30B29/04 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  C30B9/10 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04

Abstract: 一种合成单晶金刚石，该合成单晶金刚石包含浓度大于600ppm且为1500ppm以下的氮原子。氮原子不包括孤立置换型氮原子。

公开(公告)号：CN108474136A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007532.X

申请日：2017-01-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工硬质合金株式会社

Inventor： 野原拓也 ,  辰巳夏生 ,  西林良树 ,  角谷均 ,  小林丰 ,  植田晓彦

IPC: C30B29/04 ,  A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: A44C27/00 ,  C01B32/26 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C30B25/08 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种制造单晶金刚石的方法、所述方法包括如下步骤：在辅助板的至少一部分表面上形成保护膜的步骤；准备金刚石籽晶衬底的步骤；将具有保护膜的辅助板和金刚石籽晶衬底布置在腔室内的步骤，在所述具有保护膜的辅助板中所述保护膜形成在所述辅助板上；以及在将含碳气体引入所述腔室内的同时通过化学气相沉积法在所述金刚石籽晶衬底的主面上生长单晶金刚石的步骤。

公开(公告)号：CN107614761A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680028722.5

申请日：2016-06-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山本佳津子 ,  有元桂子 ,  角谷均

IPC: C30B29/04 ,  B01J3/06 ,  B23B27/14 ,  B23B27/20 ,  B24B53/047 ,  C01B32/26

Abstract: 本发明的金刚石包含氮原子。该氮原子的浓度沿着金刚石单晶的晶体取向周期性地变化。沿着晶体取向的一个周期的距离的算术平均值Aave、最大值Amax和最小值Amin满足由下式(I)表示的关系：(Amax)/1.25≤(Aave)≤(Amin)/0.75…(I)。