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公开(公告)号：CN101452217A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710196496.4
申请日：2007-12-04
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及一种曝光方法，适用于光刻制程。首先，对一晶圆进行第一对准步骤。接着，对此晶圆进行第二对准步骤。随之，将第一对准步骤所得的结果与第二对准步骤所得的结果交互比对。之后，依据比对结果来对此晶圆进行光刻胶曝光步骤。本发明的曝光方法能够有效地改善晶圆对准的精确度。
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公开(公告)号：CN113113372B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010577648.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括半导体集成电路装置与重分布层结构。半导体集成电路装置具有顶面与延伸至顶面的电极。重分布层结构形成于半导体集成电路装置的顶面上。重分布层结构包括氧化层、氮化层、介电层、凹槽与穿孔。氧化层形成于顶面上。氮化层形成于氧化层上。介电层形成于氮化层上，并且具有大于氧化层与氮化层合计厚度的厚度。凹槽形成在介电层的顶侧上且重叠于电极。穿孔形成于凹槽的底部。穿孔从凹槽的底部通过介电层、氮化层与氧化层垂直地延伸至电极的部分。导电材料填充满穿孔与凹槽。如此，半导体结构的RLC表现得以获得改善。
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公开(公告)号：CN112736069B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202011140647.6
申请日：2020-10-22
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/98
Abstract: 本公开提供一种晶粒组件及其制备方法。该晶粒组件包括堆叠在一起的第一晶粒、第二晶粒、和第三晶粒。该第一晶粒包括多个第一金属线，其面对该第二晶粒的多个第二金属线，以及位于所述多个第二金属线之下的第二基板，其面对该第三晶粒的多个第三金属线。该晶粒组件还包括至少第一插塞、第一重分布层、和第二重分布层。该第一插塞穿过该第二基板以连接到所述多个第二金属线的至少一者。第一重分布层将所述多个第一金属线的至少一者物理性连接到所述多个第二金属线的至少一者，且第二重分布层将所述多个第三金属线的至少一者物理性连接到该第一插塞。
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公开(公告)号：CN117615569A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202310090173.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 动态随机存取存储器包含阵列区域、底部电容阵列以及顶部电容阵列。底部电容阵列位于阵列区域中。底部电容阵列为单侧电容阵列。顶部电容阵列位于阵列区域中且位于底部电容阵列上。顶部电容阵列为双侧电容阵列。通过堆叠双侧电容阵列于单侧电容阵列上，可增加动态随机存取存储器的整体电容。除此之外，由于整体电容增加，可增加位元线感测容限且可改善保持效应。
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公开(公告)号：CN117080202A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210827511.5
申请日：2022-07-13
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H10B12/00 , G11C29/56
Abstract: 提供一种用于动态随机存取存储器的测试结构。第一栅极结构设置在半导体基板中。第一和第二源极/漏极区设置在半导体基板中，且位于第一栅极结构的两侧。位元线结构设置在第一源极/漏极区上。介电层设置在半导体基板及位元线结构上。第一着陆垫设置在介电层上。第一接触栓塞设置在介电层中，并电性连接第二源极/漏极区及第一着陆垫。导电层设置于第一着陆垫上并电性连接至第一着陆垫，其中第一着陆垫的第一上表面完全被导电层覆盖，导电层具有实质上平坦的上表面。测试结构可在制造过程的前端由晶圆允收测试检测着陆垫的质量和电性表现，若获得正常和所需的电流数据，可确认着陆垫具有良好的质量，且栅极结构和着陆垫之间形成良好的电性连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084038A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110442227.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括介电质对介电质接合接口和金属对金属接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第二装置晶圆电性耦合至所述第一装置晶圆，且所述第一装置晶圆与第二装置晶圆为相同类型的装置晶圆。本发明也提供一种半导体装置。
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公开(公告)号：CN115084037A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110441232.0
申请日：2021-04-23
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括接合第二装置晶圆至第一装置晶圆，以使包括融熔接合接口的第一接合接口形成于所述第一装置晶圆及所述第二装置晶圆之间，其中所述第一装置晶圆与所述第二装置晶圆为相同类型的装置晶圆。本发明也提供一种半导体装置。
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公开(公告)号：CN114156269A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110960595.5
申请日：2021-08-20
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底，该基底具有一第一上表面。一主动区是被在该基底中的一绝缘区所围绕。一埋入电源线以及一埋入信号线设置在该基底内以及在该主动区中。一第一电路层设置在该第一的该第一上表面上，以覆盖该埋入电源线与该埋入信号线。一第二电路层设置在该基底的该上表面上，并与该第一电路层分开设置。一单元胞电容器设置在该第一电路层上，并电性耦接到该第一电路层。
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公开(公告)号：CN111223840B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910262604.6
申请日：2019-04-02
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开关于一种多环接合垫、具有多环接合垫的半导体结构及其制造方法。该接合垫包括一内环构件、一外环构件以及多个桥接构件。该内环构件具有一对彼此相对的第一内边缘、一对彼此相对的第二内边缘、以及连接该第一内边缘到该第二内边缘的多个第三内边缘。该外环构件环绕该内环构件并且具有一对彼此相对的第一外边缘、一对彼此相对的第二外边缘、以及连接该第一外边缘到该第二外边缘的多个第三外边缘。该多个桥接构件设置在该内环构件和该外环构件之间以将该内环构件连接到该外环构件。
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公开(公告)号：CN110718531B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201811296137.0
申请日：2018-11-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/525
Abstract: 一种反熔丝结构，包括一主动区及该主动区上的一栅极电极。该主动区包括一第一本体部分及在一第一方向延伸的一第一延伸部分。该栅极电极包括一第二本体部分及在垂直于该第一方向的一第二方向上延伸的一第二延伸部分。该第一本体部分包括面向该第二本体部分的一部分的一第一表面，该第二本体部分包括面向该第一延伸部分的一部分的一第二表面。该第一延伸部分及该第二延伸部分在垂直于该第一方向及该第二方向的一第三方向上部分重叠，且一介电层夹在该第一延伸部分及该第二延伸部分之间，形成一交叉区域。
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