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公开(公告)号：CN117641885A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310028418.2
申请日：2023-01-09
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体结构包括第一介电层、第一介电层上的第二介电层、第一介电层与第二介电层中的电容结构、第二介电层上的第三介电层、字元线、通道结构以及栅极介电质。字元线位于第三介电层中，并跨过电容结构。通道结构位于第三介电层中，并围绕字元线及第三介电层的一部分。栅极介电质具有第一部分及与第一部分分离的第二部分，其中第一部分位于字元线的侧壁与通道结构之间，第二部分位于第三介电层的内壁与通道结构之间。具有字元线及通道结构的半导体结构可克服有关于围绕通道的字元线的传统设计中的临界尺寸变动和重叠位移的问题，借此改善控制栅极的能力。
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公开(公告)号：CN114373762A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111170494.4
申请日：2021-10-08
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种DRAM，其包括硅基板、埋藏字线及主动区。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区位于载体表面上。埋藏字线与主动区相交。每一埋藏字线在主动区中的一者中具有第一宽度，且在主动区外具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。亦提供了一种DRAM的制造方法。借由DRAM的上述配置，可减少字线干扰及单一单元故障，并且可提高DRAM的密度。
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公开(公告)号：CN114373761A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111159007.4
申请日：2021-09-30
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体结构，其包括硅基板、埋藏字线、主动区、隔离区及氮化物柱。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区及隔离区位于载体表面上。氮化物柱分别设置于隔离区。主动区与隔离区沿第一方向排列。埋藏字线沿第二方向延伸。氮化物柱位于隔离区中的埋藏字线下方。亦提供了一种半导体结构的制造方法。本揭示的半导体结构可借由埋藏字线下方的氮化物柱来减少字线干扰。
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公开(公告)号：CN112736054A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010946678.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一半导体部件、一重布线层、一接合介电质以及一隔离层。该重布线层设置在该半导体部件上，并电性耦接到该半导体部件。该接合介电质设置在该半导体部件上，以围绕该重布线层的一顶部。该隔离层设置在该半导体部件与该接合介电质之间，以围绕该重布线层的一底部。
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公开(公告)号：CN101556918B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810089160.2
申请日：2008-04-08
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/02 , H01L21/00
Abstract: 本发明提出一种提高半导体图形分辨率的方法，通过至少两次离子斜向入射的程序来提高微影工艺的分辨率，该方法包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光刻胶层；去除该光刻胶层的一部分形成一开口，露出该第一蚀刻层的槽底部分；将一第一离子以一第一入射角度注入该槽底部分的一第一注入区，且该第一入射角度介于0到90度之间；以及将一第二离子以一第二入射角度注入该槽底部分的一第二注入区，其中该第二入射角度介于0到90度之间，且该第二注入区与该第一注入区不相邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609261B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200810125975.1
申请日：2008-06-16
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种曝光的方法，用来避免曝光过程中透镜组温度升高所产生的负面影响。首先，使光束通过透镜组的第一受光区域，而将图案曝光在基材上，此时第一受光区域的温度升高。移开第一受光区域。再使光束穿过透镜组的第二受光区域，使得第一受光区域的温度降低。
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公开(公告)号：CN101609261A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200810125975.1
申请日：2008-06-16
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开一种曝光的方法，用来避免曝光过程中透镜组温度升高所产生的负面影响。首先，使光束通过透镜组的第一受光区域，而将图案曝光在基材上，此时第一受光区域的温度升高。移开第一受光区域。再使光束穿过透镜组的第二受光区域，使得第一受光区域的温度降低。
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公开(公告)号：CN118647207A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410191932.2
申请日：2023-07-21
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一位元线，设置在该基底上；一第一着陆垫，设置在该第一位元线上；一第二着陆垫，设置在该第一着陆垫上方；以及一通道结构，设置在该第一着陆垫与该第二着陆垫之间。
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公开(公告)号：CN116782633A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210835262.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H10B12/00 , H01L21/768 , H01L23/544 , H01L23/538
Abstract: 本公开提供一种制造半导体结构的方法。在存储器前驱结构上形成导电层。在导电层上形成目标层。在目标层上形成具有第一开口的第一光阻。在第一开口的侧壁上形成间隔物。在目标层和间隔物上形成第二光阻。使用第二光阻和间隔物图案化目标层以形成第一经图案化目标层。在第一经图案化目标层上形成第三光阻。使用第三光阻图案化第一经图案化目标层以形成第二经图案化目标层。使用第二经图案化目标层图案化导电层以形成经图案化导电层，经图案化导电层包括对齐源极/漏极区域的环形结构。环形结构对齐存储器前驱结构的源极/漏极区域，使经图案化导电层的其他部分对齐存储器前驱结构的其他元件，因此改善元件之间的对准、减少结构中漏电流。
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公开(公告)号：CN116564932A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210773528.7
申请日：2022-07-01
Applicant: 南亚科技股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H10B12/00 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体元件的装置层、在装置层上的第一介电层，以及在装置层上的第一导线，其中第一介电层围绕第一导线。一种半导体装置还包括在第一介电层上并在第一导线周围的第二介电层，其中第二介电层的上表面高于第一导线的上表面。一种半导体装置还包括配置在第一导线上并紧靠第二介电层侧壁的间隔件、以及配置在第一导线及间隔件上的第一导电通孔。第一导电通孔具有第一段以及第二段，其中第一段位于间隔件的上方并具有第一宽度，而第二段位于第一段及第一导线之间并具有第二宽度，其中第一宽度大于第二宽度。借此提升半导体装置的可靠度。本发明也提供制造半导体装置的方法。
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