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公开(公告)号：CN119653967A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163132.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于偶极控制的单分子电忆阻器及其制备方法，该分子电忆阻器包括分子异质结，分子异质结由偶极分子和石墨烯点电极通过酰胺键连接构成，该偶极分子包含基于咔唑含氮杂环单元的酰胺结构，在外电场作用下，偶极分子侧链化学键能够快速旋转，改变分子内偶极矩的大小和方向，促使分子在不同的电阻态之间快速稳定切换、显著提升忆阻器的读写速度；在断电条件下稳定地保持其存储状态，确保忆阻功能的长期稳定、可靠。其制备方法包括引入偶极分子，使其与石墨烯点电极之间形成酰胺键的过程，该制备方法操作简便、条件温和，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN119636217A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
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公开(公告)号：CN119584829A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510131785.4
申请日：2025-02-06
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件领域，提供一种基于上转换光电器件的单光子源及其制备方法，制备方法包括：制备介电层；在介电层上制备石墨烯阵列电极；构建石墨烯纳米间隙点电极对；将石墨烯纳米间隙点电极对置于两口烧瓶中，向两口烧瓶中加入1‑（3‑二甲氨基丙基）‑3‑2‑乙基碳二亚胺盐酸盐和上转换发光分子A部分，氮气环境下向两口烧瓶中加入无水吡啶，得到两端连接有上转换发光分子A部分的器件并与含有镧系金属的上转换发光分子B部分放入四氢呋喃溶液中进行分子体系螯合，获得含有手性基团的单分子上转换光电器件；在单分子上转换光电器件上镀一层液态金属Ga2O3保护层，获得单光子源，增强单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN119403352A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411979405.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 南开大学
IPC: H10K50/00 , H10K50/805 , H10K50/844 , H10K71/00 , H10K71/70 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，具体公开了基于钙钛矿量子点的可调谐偏振光子源及其制备方法，方法包括以下步骤：将石墨烯‑PMMA结构转移至硅片表面并标记图案；按照图案在石墨烯上制作外引电极；制作石墨烯电极对；制备手性可调控的手性分子：将手性分子与石墨烯电极酰胺缩合，然后加入钙钛矿量子点前驱体溶液反应，将量子点原位组装于石墨烯电极对之间，得到可调谐偏振光子源。本发明基于虚线刻蚀法的石墨烯电极单分子器件，构筑圆偏振光子源，采用在石墨烯电极边缘连接手性分子，并引入手性位点原位组装量子点的方式，构建质量高、形貌可控的量子点，使得分子连接成功率大大提高的同时又使得分子连接周期缩短。
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公开(公告)号：CN118368907A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410799118.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117285549A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311366200.4
申请日：2023-10-20
Applicant: 南开大学
IPC: C07F5/00 , C07C231/02 , C07C233/62 , C07C233/78 , C07C303/38 , C07C311/18 , C07D471/06 , C07D487/22 , C07F1/08 , C07F1/10 , C07F1/12 , H10K85/30 , B82Y40/00 , H10K50/30 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，尤其涉及金属纳米团簇化合物和石墨烯单分子场效应晶体管。金属纳米团簇化合物的结构式包括式(Ⅰ)；其中，金属M包括Lr、Au、Ag和Cu中的至少一种；R1和R2分别包括式(Ⅱ)；n为3、4、5、6或7；形成所述式(Ⅱ)中的R3和R4基团的原料各自独立地包括式(1)至式(5)中的至少一种。本发明的金属纳米团簇化合物光致发光特性优异，可以用其制作激发波长与栅控响应双重可调的光致发光石墨烯单分子场效应晶体管，同时其与石墨烯单分子场效应晶体管中石墨烯点电极间酰胺共价键可以稳定连接，保障了石墨烯单分子场效应晶体管的稳定性。
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公开(公告)号：CN117263937A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311365713.3
申请日：2023-10-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子电子器件技术领域，尤其涉及PDI自由基衍生物和石墨烯自旋场效应晶体管。PDI自由基衍生物包括如下结构式： ，其中，当R2和R3为(CH2)nNH2时，R1为 ，R4为H或，其中，n为3、4、5或6；当R1和R4为(CH2)nNH2时，R2为 ，R3为H或 ，其中，n为3、4、5或6。该PDI自由基衍生物中具有稳定的自由基，使得PDI自由基衍生物具有独特的导电性、磁学性质和非线性光学性质，其与石墨烯自旋场效应晶体管中的磁性电极以及石墨烯点电极对配合可产生稳定的自旋电流，使得石墨烯自旋场效应晶体管稳定性较强，可靠性高，性能优异。
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公开(公告)号：CN116744755B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311004817.1
申请日：2023-08-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，提供了一种基于单个钙钛矿量子点的光电器件及其制备方法，基于石墨烯单分子器件，引入了单个钙钛矿量子点，从单分子的角度研究单个量子点本身的物性，并利用对应波段的光照进行光致激发，得到了明显变化的光电导现象，并采用单端巯基的过渡分子与单个钙钛矿量子点通过PbS共价键连接形成功能单元，然后再与石墨烯点电极通过酰胺共价键进行连接，大大提高了单个钙钛矿量子点的光电器件的灵敏度、稳定性和集成性。
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公开(公告)号：CN116709880A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202311004746.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/00 , H10K71/60 , H10K85/30 , H10K50/30 , H10K50/805 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于单磷光分子场效应管的单光子源及其制备方法，将铂类单磷光分子通过酰胺键共价连接到具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯间隙中，构筑栅压调控单光子源，利用栅压偏压调控发光波长等性质，并外加六方氮化硼（h‑BN）保护层对单磷光分子场效应管进行封装，大大增强了单光子源的稳定性和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN116234423A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310160140.4
申请日：2023-02-24
Applicant: 南开大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子集成忆阻器件及其制备方法，所述垂直单分子集成忆阻器件包含电致异构分子；所述电致异构分子为单侧末端有炔基修饰的降冰片二烯衍生物分子。本申请的垂直单分子集成忆阻器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的电致异构分子在电场刺激下会发生异构转换，通过电场可稳定调节所述电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的忆阻功能；所述垂直单分子集成忆阻器件具有器件尺寸小、稳定性好、能够大规模集成的优势。
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