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公开(公告)号：CN116744755A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202311004817.1
申请日：2023-08-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，提供了一种基于单个钙钛矿量子点的光电器件及其制备方法，基于石墨烯单分子器件，引入了单个钙钛矿量子点，从单分子的角度研究单个量子点本身的物性，并利用对应波段的光照进行光致激发，得到了明显变化的光电导现象，并采用单端巯基的过渡分子与单个钙钛矿量子点通过PbS共价键连接形成功能单元，然后再与石墨烯点电极通过酰胺共价键进行连接，大大提高了单个钙钛矿量子点的光电器件的灵敏度、稳定性和集成性。
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公开(公告)号：CN119653967A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163132.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于偶极控制的单分子电忆阻器及其制备方法，该分子电忆阻器包括分子异质结，分子异质结由偶极分子和石墨烯点电极通过酰胺键连接构成，该偶极分子包含基于咔唑含氮杂环单元的酰胺结构，在外电场作用下，偶极分子侧链化学键能够快速旋转，改变分子内偶极矩的大小和方向，促使分子在不同的电阻态之间快速稳定切换、显著提升忆阻器的读写速度；在断电条件下稳定地保持其存储状态，确保忆阻功能的长期稳定、可靠。其制备方法包括引入偶极分子，使其与石墨烯点电极之间形成酰胺键的过程，该制备方法操作简便、条件温和，有利于规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119636217A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
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公开(公告)号：CN116744755B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311004817.1
申请日：2023-08-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，提供了一种基于单个钙钛矿量子点的光电器件及其制备方法，基于石墨烯单分子器件，引入了单个钙钛矿量子点，从单分子的角度研究单个量子点本身的物性，并利用对应波段的光照进行光致激发，得到了明显变化的光电导现象，并采用单端巯基的过渡分子与单个钙钛矿量子点通过PbS共价键连接形成功能单元，然后再与石墨烯点电极通过酰胺共价键进行连接，大大提高了单个钙钛矿量子点的光电器件的灵敏度、稳定性和集成性。
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公开(公告)号：CN119636217B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
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公开(公告)号：CN119894326A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510379137.0
申请日：2025-03-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，提供了一种基于镧系掺杂的单个纳米颗粒发光的光电器件及制备方法。基于石墨烯点电极，引入分子异质结，分子异质结包含单个镧系元素掺杂的纳米颗粒，所述镧系元素掺杂的单个纳米颗粒的结构为夹心核‑壳结构，所述夹心核为金纳米片；壳为镧系元素掺杂的#imgabs0#基质；镧系元素掺杂的单个纳米颗粒内部包裹的纳米金片具备表面等离子共振效应和高导电性，不仅起到更好的导电作用，还能够利用等离子共振作用增强发光效果。
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公开(公告)号：CN119653967B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510163132.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于偶极控制的单分子电忆阻器及其制备方法，该分子电忆阻器包括分子异质结，分子异质结由偶极分子和石墨烯点电极通过酰胺键连接构成，该偶极分子包含基于咔唑含氮杂环单元的酰胺结构，在外电场作用下，偶极分子侧链化学键能够快速旋转，改变分子内偶极矩的大小和方向，促使分子在不同的电阻态之间快速稳定切换、显著提升忆阻器的读写速度；在断电条件下稳定地保持其存储状态，确保忆阻功能的长期稳定、可靠。其制备方法包括引入偶极分子，使其与石墨烯点电极之间形成酰胺键的过程，该制备方法操作简便、条件温和，有利于规模化生产。
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