氮化物基半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100449806C

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200610075305.4

    申请日:2006-04-12

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本氮化物基半导体发光装置包括:形成在导电衬底(1)上的图案表面(20a);形成在图案表面(20a)上的多层金属层(49);和形成在多层金属层(49)上的多层半导体层(19),且其特征在于多层金属层(49)和多层半导体层(19)的主表面(49m,49n,19m,19n)具有小于图案表面(20a)的面积,和多层半导体层(19)包括p型氮化物基半导体层(14)、发光层(13)和n型氮化物基半导体层(19)。因此,提供了在氮化物基半导体层与导电衬底之间具有优异粘附性的高可靠氮化物基半导体发光装置。

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