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公开(公告)号：CN106076314B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610447298.X
申请日：2016-06-20
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种BiVO4全介孔纳米带高效光催化剂及其制备方法和应用。其制备方法为：将PVP、Bi(NO3)3·5H2O、VO(acac)2、DIPA和DMF配制成前驱体纺丝液；将配制好的前驱体纺丝液经静电纺丝得到有机前驱体纤维；将得到的有机前躯体纤维烘干得到固态前驱体纤维；将得到的固态前躯体纤维经高温热解获得BiVO4全介孔纳米带。本发明通过调控前驱体纺丝液的组成成分和配比，采用发泡辅助静电纺丝法，实现了BiVO4全介孔纳米带高效光催化剂的制备。该BiVO4全介孔纳米带高效光催化剂具有高效且稳定的光催化活性，将BiVO4纳米带高效光催化剂用于光降解，将有力推动光催化技术在污染物降解领域的应用。
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公开(公告)号：CN106410051B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201610620473.0
申请日：2016-07-29
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明提供一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用，所述金属元素掺杂ZnO纳米材料为Ga掺杂ZnO纳米材料，其中元素Ga、Zn的摩尔比为1～12∶100，本方法采用一种金属离子掺杂修饰的ZnO纳米材料作为QD‑LD的电子传输材料，可以有效降低量子点中激子的分离，提高QD‑LED器件的工作效率。本发明制备QD‑LED器件采用掺杂ZnO纳米墨水一步法制备电子传输材料，极大的减少了器件制备的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN104776945B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410501512.6
申请日：2014-09-27
Applicant: 宁波工程学院
IPC: G01L1/18 , C01B21/068
Abstract: 一种Si3N4纳米带高灵敏压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体，按重量比95:5比例，置于球磨罐中行星球磨；将混合和反应均匀的有机前驱体在N2保护气氛下于进行低温交联固化，得到非晶态固体，引入3wt%Al金属粉末用作催化剂，高能球磨磨粉碎；将高能球磨得到的粉体，在N2保护气氛下于1550℃保温2小时进行高温热解，制备Si3N4单晶纳米带。(2)将Si3N4纳米带超声分散在乙醇中，然后滴洒在高定向石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建Si3N4纳米带压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的Si3N4压力传感器能够实现nN量级力的反馈和探测，具有更高灵敏度。
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公开(公告)号：CN106192077B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610559603.4
申请日：2016-07-15
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种纳米纤维的制备方法，尤其涉及一种Ag负载ZnO全介孔纳米纤维的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述的制备方法包括如下步骤：配置前驱体纺丝液：将适量PVP和醋酸锌溶于溶剂，搅拌均匀后加入发泡剂，继续搅拌得前驱体纺丝液；将前驱体纺丝液经静电纺丝得固态有机前躯体纤维；将固态有机前躯体纤维高温煅烧制成具有全介孔结构的ZnO全介孔纳米纤维材料；将ZnO全介孔纳米纤维材料分散在离子水中，加入硝酸银，边搅拌边光照处理，经离心、过滤、干燥得Ag负载ZnO全介孔纳米纤维。本发明通过控制硝酸银的含量实现Ag纳米颗粒负载量和尺寸大小的有效调控。
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公开(公告)号：CN106192077A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610559603.4
申请日：2016-07-15
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种纳米纤维的制备方法，尤其涉及一种Ag负载ZnO全介孔纳米纤维的制备方法，属于半导体材料制备技术领域。所述的制备方法包括如下步骤：配置前驱体纺丝液：将适量PVP和醋酸锌溶于溶剂，搅拌均匀后加入发泡剂，继续搅拌得前驱体纺丝液；将前驱体纺丝液经静电纺丝得固态有机前躯体纤维；将固态有机前躯体纤维高温煅烧制成具有全介孔结构的ZnO全介孔纳米纤维材料；将ZnO全介孔纳米纤维材料分散在离子水中，加入硝酸银，边搅拌边光照处理，经离心、过滤、干燥得Ag负载ZnO全介孔纳米纤维。本发明通过控制硝酸银的含量实现Ag纳米颗粒负载量和尺寸大小的有效调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106118216A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610620617.2
申请日：2016-07-29
Applicant: 宁波工程学院
IPC: C09D11/00
CPC classification number: C09D11/00
Abstract: 本发明提供一种Ga掺杂ZnO纳米墨水及其制备方法，所述的Ga元素通过可溶性盐共掺杂ZnO纳米墨水中，Ga、Zn元素的摩尔比为1～12∶100，该Ga掺杂ZnO纳米墨水的制备方法包括步骤：将可溶性Ga盐、可溶性Zn盐放入溶剂中，混合均匀，得到前驱体溶液；将上述得到的前驱体溶液与碱溶液混合、搅拌得到混合溶液，混合溶液中加入丙酮，然后离心得到沉淀，最后将沉淀分散在分散溶剂中得到纳米颗粒墨水。本方法合成条件简便易行，不需要保护气氛，无需添加额外有机配体，可以实现Ga掺杂浓度的调控，本发明获得的掺杂ZnO纳米颗粒可以实现低温溶液成膜，并且无需后处理手段获取高质量的电荷传输层薄膜。
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公开(公告)号：CN105133021B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201510511447.X
申请日：2015-08-19
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明公开的SiC一维纳米材料及其应用，其中一维纳米材料包括柱状的本体和形成于本体端部的头部，本体的径向截面为圆形或者三角形，主体中包括以结晶形式存在的SiC晶体，头部包含有元素钴。本发明一维纳米线实现了多种截面形态的柱形结构的，同时具有良好的结构稳定性和半导体性能，同时加工制备方便，易于实现。
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公开(公告)号：CN105206485B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510510679.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明公开的P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用，P掺杂SiC纳米线为场发射阴极，场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场，场发射阴极在常温真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.42‑0.65V/μm。本发明的P掺杂SiC纳米线具有开启电场低，电场稳定性好，光电性能强。
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公开(公告)号：CN103928276B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410176393.1
申请日：2014-04-29
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 一种提高SiC场发射阴极材料高温电子发射稳定性的方法，其包括以下具体步骤：1)有机前驱体聚硅硼氮烷在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)以碳纸为衬底，在0.05 mol/L的Co(NO3)2(纯度：99%)乙醇溶液中浸渍处理，取出自然晾干备用；3)将粉碎得到的粉末置于石墨坩埚底部，浸渍处理的碳纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛保护炉中；4)在纯度为99.9%的Ar气氛保护下，从室温以25℃/min加热至1550℃；5)以15℃/min从1550℃降温至1100℃；6)随炉冷却至室温，实现原位B掺杂SiC纳米线的制备；7)将SiC纳米线用作场发射阴极进行电子发射性能检测和分析。通过B掺杂，SiC场发射阴极材料的高温电子发射稳定性得到了有效提高。
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公开(公告)号：CN105148965A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510392188.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种TiO2/WO3/g-C3N4全介孔纳米纤维，该纳米纤维中TiO2/WO3以TiO2/WO3纳米纤维形式存在，g-C3N4负载在TiO2/WO3纳米纤维上，其中TiO2/WO3纳米纤维具有多孔结构，多孔结构包括介孔。本发明TiO2/WO3/g-C3N4全介孔纳米纤维的结构稳定、比表面积高。
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