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公开(公告)号：CN104776945B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410501512.6
申请日：2014-09-27
Applicant: 宁波工程学院
IPC: G01L1/18 , C01B21/068
Abstract: 一种Si3N4纳米带高灵敏压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体，按重量比95:5比例，置于球磨罐中行星球磨；将混合和反应均匀的有机前驱体在N2保护气氛下于进行低温交联固化，得到非晶态固体，引入3wt%Al金属粉末用作催化剂，高能球磨磨粉碎；将高能球磨得到的粉体，在N2保护气氛下于1550℃保温2小时进行高温热解，制备Si3N4单晶纳米带。(2)将Si3N4纳米带超声分散在乙醇中，然后滴洒在高定向石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建Si3N4纳米带压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的Si3N4压力传感器能够实现nN量级力的反馈和探测，具有更高灵敏度。
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公开(公告)号：CN104776945A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410501512.6
申请日：2014-09-27
Applicant: 宁波工程学院
IPC: G01L1/18 , C01B21/068
Abstract: 一种Si3N4纳米带高灵敏压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体，按重量比95:5比例，置于球磨罐中行星球磨；将混合和反应均匀的有机前驱体在N2保护气氛下于进行低温交联固化，得到非晶态固体，引入3wt%Al金属粉末用作催化剂，高能球磨磨粉碎；将高能球磨得到的粉体，在N2保护气氛下于1550℃保温2小时进行高温热解，制备Si3N4单晶纳米带。(2)将Si3N4纳米带超声分散在乙醇中，然后滴洒在高定向石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建Si3N4纳米带压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的Si3N4压力传感器能够实现nN量级力的反馈和探测，具有更高灵敏度。
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公开(公告)号：CN103234670B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310152489.X
申请日：2013-04-16
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，引入催化剂，自然晾干备用；(2)将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。(3)将n型SiC纳米线超声分散后滴洒在石墨片上，在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的SiC压力传感器不仅能够实现nN量级力的检测，而且能够实现pA量级电信号的反馈，具有更高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103234670A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310152489.X
申请日：2013-04-16
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 一种高灵敏SiC压力传感器的制备方法，其包括以下具体步骤：(1)将C纸浸泡在Co(NO3)2乙醇溶液中，引入催化剂，自然晾干备用；(2)将聚硅氮烷液态有机前驱体置于石墨坩埚中，引入催化剂后的C纸置于石墨坩埚顶部，一起置于气氛烧结炉中于1350～1450℃进行高温热解，在5％N2和95％Ar(体积比)的混合保护气氛下热解1～3小时，实现N原子掺杂的n型SiC纳米线的制备。(3)将n型SiC纳米线超声分散后滴洒在石墨片上，在原子力显微镜导电模式下构建SiC纳米线压力传感器，通过探针施加不同压力，实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比，本发明所制备的SiC压力传感器不仅能够实现nN量级力的检测，而且能够实现pA量级电信号的反馈，具有更高的灵敏度。
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