公开(公告)号：CN103035522A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN102651395A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210046433.1

申请日：2012-02-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H02M3/33507 ,  H03F1/3241 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底、形成在衬底上方并且包含氮化物半导体的半导体层、形成在半导体层上方并且包含金的电极、形成在电极上方的阻挡膜以及形成在半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜以及氮氧化硅膜中的保护膜。保护膜形成在阻挡膜上。阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。

公开(公告)号：CN102651385A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110451784.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  吉川俊英 ,  多木俊裕

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/778 ,  H01L21/265 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/2654 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 将选自例如Fe、C、B、Ti、Cr中的至少一种杂质从化合物半导体叠层结构的背面引入化合物半导体叠层结构的至少一个缓冲层中，以使缓冲层的电阻值变高。

公开(公告)号：CN102569379A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110408970.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。

公开(公告)号：CN102569376A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110352602.X

申请日：2011-11-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  远藤浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中。根据本发明的半导体装置可获得常关特性，并且可提高半导体装置的产量并且实现稳定操作特性。

公开(公告)号：CN102543730A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110348386.1

申请日：2011-10-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明公开一种半导体器件的制造方法。在半导体层的表面上形成抗蚀剂图案，在该半导体层中在基板上依序形成有第一层和第二层。通过去除所述抗蚀剂图案的开口区域中的一部分或整个第二层来形成栅凹。去除抗蚀剂图案。在去除抗蚀剂图案后，去除附着在栅凹的底面和侧面的干蚀刻残留物。在去除干蚀刻残留物后，在所述底面、所述侧面以及所述半导体层上形成绝缘膜。在所述栅凹所形成的区域上经由所述绝缘膜形成栅极。在所述半导体层上形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN101211969B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710193993.9

申请日：2007-11-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种氮化物半导体器件及其制造方法，该氮化物半导体器件包括：衬底，能够在其上外延生长氮化物半导体层；半导体叠层，在衬底上形成并包括氮化物半导体的沟道层；源极和漏极，在半导体叠层上形成并与所述沟道层欧姆接触；绝缘层，在半导体叠层上形成具有开口、总厚度部分以及过渡部分，其开口位于栅极接触区上，总厚度部分在与开口相隔的区域中有着平坦表面和总厚度，过渡部分位于开口和总厚度部分之间，绝缘层面向开口的侧壁陡峭上升到总厚度的部分厚度；以及T形栅极，与半导体叠层在开口内接触，并且在绝缘膜上延伸到具有增加厚度的相对部分，该增加厚度比所述部分厚度更厚。本发明的半导体器件反方向漏电流最小，且难以发生介电击穿。