公开(公告)号：CN102386213A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110223629.9

申请日：2011-08-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  今田忠纮 ,  今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，包括：GaN电子传输层，设置在衬底上方；第一AlGaN电子供应层，设置在所述GaN电子传输层上方；AlN电子供应层，设置在所述第一AlGaN电子供应层上方；第二AlGaN电子供应层，设置在所述AlN电子供应层上方；栅极凹槽，设置在所述第二AlGaN电子供应层和所述AlN电子供应层中；以及栅极，设置在所述栅极凹槽上方。

公开(公告)号：CN101046972A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091409.9

申请日：2007-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  若林泰浩 ,  江口伸 ,  山本保 ,  矢野映

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3169 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  Y10T29/49021 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49048

Abstract: 本发明公开一种制造磁头的方法，包括步骤：在下电极的第一区域上方形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜的上表面上方形成有第一抗抛光膜，该第一抗抛光膜对于磁性材料具有抛光选择性；在下电极的包括第一区域的整个表面上方形成磁畴控制膜；利用第一抗抛光膜作为阻挡层，通过抛光去除磁阻效应膜上方的磁畴控制膜，以选择性地将磁畴控制膜保留在与第一区域相邻的第二区域中；去除第一抗抛光膜；以及在已去除第一抗抛光膜的磁阻效应膜上方形成上电极。

公开(公告)号：CN102569379A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110408970.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。

公开(公告)号：CN102569376A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110352602.X

申请日：2011-11-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  远藤浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中。根据本发明的半导体装置可获得常关特性，并且可提高半导体装置的产量并且实现稳定操作特性。

公开(公告)号：CN102569376B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110352602.X

申请日：2011-11-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  远藤浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中。根据本发明的半导体装置可获得常关特性，并且可提高半导体装置的产量并且实现稳定操作特性。

公开(公告)号：CN102569379B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110408970.1

申请日：2011-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 远藤浩 ,  多木俊裕 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7839 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：第一半导体层，置于衬底的上方；第二半导体层，置于第一半导体层的上方；栅极凹陷，通过去除部分或全部的第二半导体层而置于第一半导体层上方的预定区域中；绝缘膜，置于栅极凹陷和第二半导体层的上方；栅极，置于栅极凹陷的上方，在栅极与栅极凹陷之间具有绝缘膜；源极和漏极，置于第一半导体层或第二半导体层的上方，其中，栅极凹陷的中心部分高于栅极凹陷的周边部分。