公开(公告)号：CN103794478B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410050927.6

申请日：2012-07-17

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有P2O5、SiO2及CaO的玻璃粉末，以及分散介质。通过将该n型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上并实施热扩散处理，从而制造n型扩散层、及具有n型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN105118890A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510484602.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/022425

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105006429A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510226976.5

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C03C15/00 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C3/097

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN104488089A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380038207.1

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物、填料、液状介质和树脂的钝化层形成用组合物。通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。

公开(公告)号：CN104488088A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380037778.3

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。

公开(公告)号：CN104488087A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380037776.4

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 服部孝司 ,  松村三江子 ,  滨村浩孝 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  足立修一郎

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN104471718A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038079.0

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供的太阳能电池元件，其具有：具有受光面、与上述受光面相反侧的背面及侧面的半导体基板；配置于上述受光面上的受光面电极；配置于上述背面上的背面电极；和配置于上述受光面、上述背面及侧面中的至少一个面上且含有选自Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3及HfO2中的至少1种化合物的钝化层。

公开(公告)号：CN104137227B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：CN104428901B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201380036463.7

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 第一太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有受光面电极，在背面具有背面电极及钝化层。第二太阳能电池元件在半导体基板的背面具有p型扩散区域、n型扩散区域及钝化层，在p型扩散区域上具有第一金属电极，在n型扩散区域上具有第二金属电极。第三太阳能电池元件在半导体基板的受光面具有第1杂质扩散层、第2杂质扩散层及受光面电极，在背面具有背面电极，在受光面及背面中的至少一个面具有钝化层。第一～第三太阳能电池元件中的钝化层含有氧化铝。

公开(公告)号：CN107148662A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201580056781.9

申请日：2015-10-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素且粒径d90为0.1μm～1.5μm的玻璃粉末和分散介质的n型扩散层形成组合物、以及使用该n型扩散层形成组合物的n型扩散层的制造方法及太阳能电池元件的制造方法。