公开(公告)号：CN101479220A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024214.0

申请日：2007-06-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫

IPC: C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C17/389 ,  C07C21/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C17/389 ,  C07C21/18

Abstract: 本发明的目的是提供高纯度六氟丙烯的有利的工业制造方法，并提供该高纯度六氟丙烯的用途，具体地说，是提供用于除去半导体制造装置内或液晶制造装置内的沉积物的清洗气。本发明的高纯度六氟丙烯的制造方法是将经由氯二氟甲烷热分解而制造的粗六氟丙烯进行纯化，从而制造高纯度六氟丙烯的方法，包括下述工序(1)和工序(2)，工序(1)：使所述粗六氟丙烯与含有平均细孔径为3.4～11的沸石和/或平均细孔径为3.5～11的碳质吸附剂的吸附剂接触，从而降低粗六氟丙烯中的含氯化合物和/或烃类的含量；工序(2)：通过蒸馏来降低工序(1)所得的六氟丙烯中的低沸点成分的含量。

公开(公告)号：CN101432253A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780014929.8

申请日：2007-04-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫

IPC: C07C17/23 ,  C07C17/383 ,  C07C21/20

CPC classification number: C07C21/20 ,  C07C17/02 ,  C07C17/04 ,  C07C17/10 ,  C07C17/23 ,  C07C17/25 ,  C07C17/358 ,  C07C17/383 ,  C07C21/09 ,  C07C19/01 ,  C07C19/10 ,  C07C21/21

Abstract: 本发明提供可以作为半导体用途的微细加工用蚀刻气体使用的六氟－1，3－丁二烯的安全、廉价、且经济的工业制造方法。本发明所涉及的六氟－1，3－丁二烯的制造方法的特征在于，包括(1)在稀释气体存在下，在气相中使碳原子数为4的化合物与氟气反应，从而得到含有生成物(A)的混合物的工序，所述碳原子数为4的化合物中每个碳原子上含有一个选自溴原子、碘原子和氯原子中的原子，和(2)在溶剂存在下，将工序(1)中得到的生成物(A)用金属使除了氟原子之外的卤素脱离，从而得到含有六氟－1，3－丁二烯的混合物的工序。

公开(公告)号：CN1314640C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN03800969.2

申请日：2003-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫

IPC: C07C17/389 ,  C07C19/08

CPC classification number: C07C19/08 ,  C07C17/10 ,  C07C17/206 ,  C07C17/21 ,  C07C17/389

Abstract: 本发明涉及一种纯化五氟乙烷的方法，包括将含有选自含一个碳原子的含氢氟烃、含一个碳原子的含氢氯氟烃和含一个碳原子的含氢氯烃中的至少一种化合物的粗五氟乙烷与吸附剂接触以降低所述化合物的含量，所述吸附剂包括平均孔径为3-6且硅/铝比为2.0或更低的沸石和/或平均孔径为3.5-6的含碳吸附剂。经纯化的气体可以用作低温制冷剂或蚀刻气体。

公开(公告)号：CN1301947C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN02800404.3

申请日：2002-02-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫

IPC: C07C19/08 ,  C07C17/10 ,  C09K13/08 ,  C23G5/028

CPC classification number: C23G5/02803 ,  C07C17/10 ,  C07C17/21 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  C07C19/08

Abstract: 本发明生产全氟化碳方法的特征在于，在通过有机化合物与氟气接触生产全氟化碳的过程中，有机化合物与氟气在200-500℃温度范围内接触，同时反应体系内的氧气含量被控制在基于反应原料中气体成分的2%(体积)或更低，因而生产出降低了杂质含量的全氟化碳。根据本发明生产全氟化碳的方法，可以得到极度抑制了例如含氧化合物等杂质产生的高纯度全氟化碳。通过本发明方法获得的全氟化碳基本不合有含氧化合物，因此可以在半导体装置生产方法中有效地用作蚀刻或清洁气体。

公开(公告)号：CN1701056A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480001220.0

申请日：2004-09-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  新井龙晴

IPC: C07C17/10 ,  C07C19/08

CPC classification number: C07C17/206 ,  C07C19/08

Abstract: 使卤代甲烷混合物和氟化氢，在气相中在氟化催化剂的存在下在单一的反应带中反应，将生成的气体导入蒸馏塔中进行分离精制后，获得2种或2种以上的氢氟烃。根据本发明，可以有利于工业地制造在半导体器件的制造工艺中可以作为蚀刻气体或清洗气体而使用的，高纯度的氢氟烃类、特别是氟代甲烷、二氟甲烷。

公开(公告)号：CN1033576C

公开(公告)日：1996-12-18

申请号：CN93109641.3

申请日：1993-08-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  宫村亮 ,  新井龙晴 ,  村真一男 ,  大井敏夫

IPC: C07C19/08 ,  C07C17/20 ,  C07C17/087

CPC classification number: C07C19/08 ,  C07C17/206 ,  C07C17/21

Abstract: 从三氯乙烯和HF制备1，1，1，2-四氟乙烷的方法，此方法包括：将三氯乙烯与HF反应的产物和将1，1，1-三氟-2-氯乙烷与HF反应的产物，或单独或混合，导入第一蒸馏柱；从第一蒸馏柱的顶部回收HCl馏出液和将残余物导入第二蒸馏柱。

公开(公告)号：CN103328379A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006282.5

申请日：2012-04-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  横尾秀次郎 ,  入江志保

IPC: C01B31/26 ,  B01J31/02

CPC classification number: C01B31/26 ,  B01J31/0239 ,  B01J31/0247 ,  B01J31/0251 ,  B01J31/0265 ,  C01B32/70

Abstract: 本发明提供了一种使硫和一氧化碳在液相进行反应，来有效制造羰基硫的方法。通过在碱性催化剂的存在下，向装有在有机溶剂中溶解或悬浮有硫的反应液的反应器中连续地导入一氧化碳，在0.2～3.0MPa的压力下、以40～120℃的温度使硫和一氧化碳进行反应而生成羰基硫，从反应器收取气相部分，使用冷却器将收取的气相部分冷却，使气相部分中含有的羰基硫冷凝，连续地收取冷凝了的羰基硫，将没有被冷却器冷凝的气体再次返回到反应器中，由此连续地制造羰基硫。

公开(公告)号：CN101223119B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200680025777.7

申请日：2006-07-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加贺一有 ,  大野博基

IPC: C07C17/38 ,  C07C17/395 ,  C07C17/21

CPC classification number: C07C17/23 ,  C07C17/21 ,  C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C17/395 ,  C07C19/08

Abstract: 本发明回收五氟乙烷的方法包括：使含有五氟乙烷和不可凝性气体的混合气体与氯化溶剂接触，并允许该氯化溶剂吸收混合气体中含有的五氟乙烷。本发明制备五氟乙烷的方法使用该回收方法。

公开(公告)号：CN102171138A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139487.9

申请日：2009-10-02

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  横尾秀次郎

IPC: C01B31/00 ,  B01J23/24 ,  B01J23/75

CPC classification number: B01J37/26 ,  B01J21/04 ,  B01J23/26 ,  B01J23/75 ,  B01J27/12 ,  B01J27/128 ,  B01J27/132 ,  B01J35/1019 ,  B01J35/1038 ,  B01J35/1042 ,  B01J35/1061 ,  B01J35/108 ,  B01J37/0201 ,  C01B32/00 ,  C01B32/50 ,  C01B32/80

Abstract: 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。

公开(公告)号：CN102076644A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125272.1

申请日：2009-06-24

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 大野博基 ,  大井敏夫 ,  大江孝美

IPC: C07C17/10 ,  C07C17/383 ,  C07C19/10

CPC classification number: C07C17/10 ,  C07C17/383 ,  C07C19/10

Abstract: 本发明的课题在于提供在工业上经济高效地制造高纯度1，2，3，4-四氯六氟丁烷的方法。本发明的1，2，3，4-四氯六氟丁烷的制造方法，其特征在于，包括下述工序：通过使1，2，3，4-四氯丁烷和氟气反应，来得到含有1，2，3，4-四氯六氟丁烷和作为杂质的含氢化合物的反应产物的工序；通过将上述反应产物导入到单个或多个蒸馏塔中进行蒸馏，来从上述反应产物中分离出上述含氢化合物，从而得到纯化了的1，2，3，4-四氯六氟丁烷的工序。其中，上述蒸馏塔的至少一个是理论塔板数为15级以上的蒸馏塔。