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公开(公告)号：CN101336453B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680052095.5
申请日：2006-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。
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公开(公告)号：CN101522431A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037581.4
申请日：2007-06-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在记录层的厚度为3nm左右的非常薄的情况下记录信息时的记录灵敏度高、且消除性能也好的信息记录介质。在通过照射光或施加电能而能记录信息的信息记录介质(15)中，至少具有引起相变化的记录层(104)，记录层(104)将选自Zn、Si和C中的至少一种元素和Sb含有共计85原子％以上，优选其组成以组成式Sb100－a1M1a(原子％)(其中，M1为选自Zn、Si和C中的至少一种元素，a1表示以原子％表示的组成，并且满足0＜a1≤50。)来表示。
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公开(公告)号：CN101069238A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200580040945.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质及其制造方法，其中作为电介质层材料不含有硫，信号质量高且重写特性优秀，且减少了层数的低成本的信息记录介质。因此，在记录或再生信息的信息记录介质中，具有含Ce－F的层，含Ce－F的层作为电介质层。
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公开(公告)号：CN1263014C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN02143000.4
申请日：2002-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/1369 , G11B7/1275 , G11B7/13925 , G11B7/14 , G11B7/24038 , G11B7/268 , G11B2007/0013
Abstract: 一种光学信息记录媒体(1)，具有多个记录层(3，5)，对于上述多个记录层(3，5)中至少一个记录层的初始化用光束的未初始化状态下的反射率比初始化后的反射率更小，由于先向从上述光束照射侧看更里侧的记录层(5)上照射光束，后向前侧的记录层(3)上照射光束，进行初始化，因此就成为上述初始化的记录层(3，5)上不存在初始化不均的光学信息记录媒体(1)。该初始化方法在从上述光学信息记录媒体上的半径方向看的相同距离的位置中，先向上述多个记录层中从上述光束照射侧看更里侧的记录层(5)上照射光束，后向前侧的记录层(3)上照射光束，通过光束照射操作，使位置不同，而同时初始化上述多个记录层。因此，能够没有不均且在短时间初始化。
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公开(公告)号：CN1244098C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN02803191.1
申请日：2002-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 通过照射波长λ为450nm以下的激光束来进行信息的记录与再现的光学信息记录媒体，其中设有：基片(14)和多个信息层。多个信息层中与激光束的入射侧最近的第一信息层(8)，含有记录层(4)、反射层(6)以及透射率调整层(7)。然后，记录层(4)为晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Tcl(%)和记录层4为非晶相时的第一信息层(8)对波长λ的透射率Tal(%)满足46＜Tcl且46＜Tal。并且，透射率调整层(7)对波长λ的折射率n1与衰减系数k1和反射层(6)对波长λ的折射率n2与衰减系数k2满足1.5≤(n1-n2)且1.5≤(k2-k1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1734608A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510084499.X
申请日：2002-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种通过照射波长λ为450nm以下的激光束来进行信息记录与再现的光学信息记录媒体，其中：设有基片和在所述基片上形成的多个信息层，所述多个信息层中，与所述激光束的入射侧最近的第一信息层，从所述入射侧起依次含有记录层、反射层与透射率调整层，所述记录层，通过所述激光束的照射，在晶相和非晶相之间发生可逆性相变，将所述记录层为晶相时的所述第一信息层对所述波长λ的透射率设为Tc1，将所述记录层为非晶相时的所述第一信息层对所述波长λ的透射率设为Ta1时，所述Tc1和Ta1满足46％＜Tc1且46％＜Ta1；并且，所述Tc1和Ta1满足－5≤(Tc1－Ta1)≤5。
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公开(公告)号：CN1227653C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01135703.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1682297A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03821723.6
申请日：2003-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/268 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的一种信息记录介质包括一个基底以及排列于基底上的信息层。该信息层包括记录层，该记录层至少使用从光学装置和电装置中选择的一种在晶相和非晶相间可逆相变，和至少一个晶体成核层，该晶体成核层至少包含从Bi和Te中选择的一种元素以及从Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Yb和Lu中选择的一种元素(M1)，而且将该晶体成核层设置为与记录层相接触。
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公开(公告)号：CN1670848A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052928.5
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1670831A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052932.1
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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