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公开(公告)号：CN1321183A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN00801863.4
申请日：2000-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09K3/00 , C07F7/12 , G02F1/1337 , B01J19/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C07F7/025 , C07F7/12 , Y10T428/3154 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明的薄膜形成用化学吸附物质,至少具有以下列化学式表示的官能基,和通过硅氧烷键结合固定的作为端基的－SiX基团(X为卤原子)。因此,提供一种可以形成单分子层状薄膜的化学吸附物质,其具有在可见光区透明而稳定,而在紫外光区起光化学反应的感光性基的新型化学吸附物质及其制造方法。还有,本发明的液晶取向膜,是在带电极的基板面上,直接地或通过其他物质层进行化学吸附形成的吸附分子集合群所构成的,并且,吸附分子具有以上列化学式表示的特性基和分子端基上的－O－Si结合基。因此,提供一种被均匀牢固地固定在基板上,取向的热稳定性及取向规制力优良,生产性好且能制造出纳米级膜厚的液晶取向膜及用该膜的LCD。
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公开(公告)号：CN1319628A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01111791.5
申请日：2001-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C03C17/42 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明的防污性覆膜的制造方法,具有:在干燥气氛中使含硅烷类化学吸附物质和第一有机溶剂的氧化硅类覆膜形成用溶液与基底材料表面接触后,蒸发第一有机溶剂的工序;使基底材料与水接触,形成含羟基的氧化硅类覆膜的工序;氧化硅类覆膜不经烧结,使含氟硅烷类化学吸附物质与第二有机溶剂的含氟覆膜形成用溶液与基体材料接触,形成含氟覆膜的工序;以及在惰性气体气氛下,对形成氧化硅类覆膜和含氟覆膜的基体材料进行烧结的工序。这种方法能够制造与基体材料附着力强,耐久性、耐磨损性和透明性等均优良的防污性覆膜。
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公开(公告)号：CN1318010A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN99810979.7
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B32B9/00 , G02F1/1337
CPC classification number: C08J7/047 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C08J7/04 , C08J2483/00 , G02F1/133719 , G02F1/133788
Abstract: 本发明特征在于，在基材表面上接触含有X－(SiOX2)n－SiX3(其中，X是选自卤素、烷氧基或者异氰酸酯基的至少一种的官能团，n是0以上的整数)表示的、可水解的化合物的底层溶液，在低于300℃的温度下干燥，形成底层，在该底层的表面上接触含有硅烷类化合物的溶液，化学吸附硅烷类化合物分子后，将该基材在300℃以上的温度下烧结。由此可以提高由以改变基材表面性质为目的的硅烷类化合物形成的功能性膜的防水性、耐久性、耐热性。
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公开(公告)号：CN1293614A
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：CN00800106.5
申请日：2000-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B32B9/00 , B32B31/00 , B05D3/10 , G02F1/1337
Abstract: 有机薄膜的制造方法,其特征在于,包括被膜形成步骤和除去步骤,所述被膜形成步骤是通过使具有下述官能团的分子簇与该基材表面接触,所述官能团对具有活泼氢的官能团显示反应活性,使之结合在该基材上,由该分子簇形成被膜;所述除去步骤是用含有选自酮、亚烷基二醇类以及烷氧基醇类中至少一种的洗涤剂除去未结合在所述基材上的所述分子。这样,可以不使用氯类有机溶剂,形成膜厚均一的有机薄膜,提供能减小环境负荷的有机薄膜的制造工艺。因此,本发明在工业上意义很大。
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公开(公告)号：CN1279628A
公开(公告)日：2001-01-10
申请号：CN98811262.0
申请日：1998-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B05D7/24 , B05D1/18 , G02F1/1337 , G02B5/30
CPC classification number: B82Y30/00 , B05D1/185 , B82Y40/00 , C11D3/162 , C11D11/0047 , G02F1/133719
Abstract: 本发明目的在于,提供一种均一性、分子取向性皆优良、也能用作液晶取向膜的单分子层状的化学吸附膜的高效率制造方法。可以采用至少具有以下工序的化学吸附膜的制造方法来达到该目的:使含有硅烷系表面活性剂和非水系有机溶剂的吸附质溶液在干燥气氛中与基材表面接触,在基材表面上形成由吸附质溶液构成的溶液层的工序;一边使上述溶液层中含有的有机溶剂蒸发,一边进行化学吸附反应的浓缩加速反应工序;有机溶剂蒸发结束后,直到经过一定时间,继续进行化学反应的熟化反应工序;上述熟化反应工序之后,用非水系有机溶剂洗涤基板表面上残存的未吸附的表面活性剂的洗涤工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1236368A
公开(公告)日：1999-11-24
申请号：CN98801090.9
申请日：1998-07-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C07F7/12 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/133719 , Y10T428/1014
Abstract: 在基板上形成均匀的、固定牢固的纳米级极薄的透明薄膜,并且,提供对膜赋予热稳定性好的高取向特性的新型化学吸附物质,以及用它来制备具有所希望的取向特性、并且对液晶分子的取向控制力优良,热稳定性也优良的液晶取向膜及液晶显示元件。能够通过开发在可见光( 400nm－700nm波长)区域透明、稳定,在远紫外、紫外(200nm－400nm波长)区域具有感光性,并且,化学吸附在基体上,形成单分子层状薄膜的新型化合物来实现。
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公开(公告)号：CN103403940A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280011114.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/04119 , H01M8/04029 , H01M8/04291 , H01M8/0606 , H01M8/0656 , H01M16/003 , Y02E60/364
Abstract: 本发明提供一种能量系统，具备：光氢生成部(101)，其通过光催化作用分解水，来生成氢；燃料电池(103)，其通过由光氢生成部(101)产生的氢和氧化气体之间的反应进行发电的同时，将作为反应生成物的水排出；和水配送机构(104)，其将从燃料电池(103)排出的作为反应生成物的水返回到光氢生成部(101)。通过这样的结构，能够抑制来自外部的水的供给量在少量，从而能够提供水收支平衡的能量系统。
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公开(公告)号：CN101910470B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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公开(公告)号：CN102575361A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046454.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B1/003 , C01B3/042 , H01M8/0606 , H01M14/005 , Y02E60/364 , Y02E60/366 , Y02E60/50 , Y02P20/135
Abstract: 本发明的光电化学电池(100)具备：半导体电极(120)，该半导体电极(120)包括导电体(121)、具有纳米管阵列构造的第一n型半导体层(122)、以及第二n型半导体层(123)；与导电体(121)连接的对电极(130)；与第二n型半导体层(123)以及对电极(130)接触的电解液(140)；以及用于容纳半导体电极(120)、对电极(130)以及电解液(140)的容器(110)。将真空能级作为基准，(I)第二n型半导体层(123)的传导带以及价电子带的带边能级分别比第一n型半导体层(122)的传导带以及价电子带的带边能级大，(II)第一n型半导体层(122)的费米能级比第二n型半导体层(123)的费米能级大，并且，(III)导电体(121)的费米能级比第一n型半导体层(122)的费米能级大。
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公开(公告)号：CN101910470A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200980101633.9
申请日：2009-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , C25B1/003 , H01G9/205 , H01M16/006 , H01M2008/1095 , Y02E10/542 , Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 光电化学电池(100)具备：包括导电体(121)及n型半导体层(122)的半导体电极(120)、与导电体(121)电连接的对电极(130)、与n型半导体层(122)及对电极(130)的表面接触的电解液(140)、和对半导体电极(120)、对电极(130)及电解液(140)进行收容的容器(110)，通过n型半导体层(122)被照射光而产生氢。半导体电极(120)被设定成，以真空能级为基准，(I)n型半导体层(122)的表面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级，分别具有n型半导体层(122)的与导电体(121)的接合面附近区域处的传导带及价电子带的带边沿能级以上的大小；(II)n型半导体层(122)的接合面附近区域的费米能级，比n型半导体层(122)的表面附近区域的费米能级大；且(III)导电体(121)的费米能级比n型半导体层(122)中的接合面附近区域的费米能级大。
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