公开(公告)号：CN107591316B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710788148.X

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN111357086A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880070289.0

申请日：2018-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  岛行德 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。本发明采用包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、半导体层及第一导电层的结构。第二绝缘层位于第一绝缘层上，岛状半导体层位于第二绝缘层上。第二绝缘层具有其端部位于与半导体层重叠的区域的外侧的岛状形状。第四绝缘层覆盖第二绝缘层、半导体层、第三绝缘层及第一导电层，与半导体层的顶面的一部分接触并在第二绝缘层的端部的外侧与第一绝缘层接触。半导体层包含金属氧化物，第二绝缘层及第三绝缘层包含氧化物，第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，第四绝缘层包含金属氮化物。

公开(公告)号：CN110911419A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910986729.3

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  黒崎大辅 ,  中田昌孝 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体的通态电流大的半导体装置。该半导体装置包括设置在驱动电路部的第一晶体管和设置在像素部的第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管的结构不同。并且，第一晶体管和第二晶体管具有顶栅结构。在各晶体管的氧化物半导体膜中，在不与栅电极重叠的区域中包含杂质元素。氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域具有低电阻区域的功能。另外，氧化物半导体膜中的包含杂质元素的区域与包含氢的膜接触。另外，也可以包括在包含氢的膜的开口部中与包含杂质元素的区域接触且具有源电极以及漏电极的功能的导电膜。设置在驱动电路部的第一晶体管包括在其间隔着氧化物半导体膜的两个栅电极。

公开(公告)号：CN110690230A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910929577.3

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN105849913B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201480071297.9

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  羽持贵士 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。

公开(公告)号：CN109964172A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780070861.9

申请日：2017-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  高濑奈津子

IPC: G02F1/1368

Abstract: 提供一种开口率高的液晶显示装置。提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是具有显示部及驱动电路部的显示装置。显示部包括液晶元件、第一晶体管、扫描线及信号线。驱动电路部包括第二晶体管。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线分别与第一晶体管电连接。扫描线及信号线分别包括金属层。第一晶体管的结构与第二晶体管的结构不同。第一晶体管与像素电极电连接。第一晶体管具有与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域具有透射可见光的功能。可见光穿过第一区域及液晶元件射出到显示装置的外部。

公开(公告)号：CN108649066A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810788970.0

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN108538916A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810172995.8

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78 ,  H01L29/511

Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种电特性良好的半导体装置、可靠性高的半导体装置、功耗低的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘层；第一绝缘层上的金属氧化物层；金属氧化物层上的一对电极；以及一对电极上的第二绝缘层，其中，第一绝缘层包括第一区域及第二区域，第一区域与金属氧化物层接触，且包括其氧含量比第二区域多的区域，第二区域包括其氮含量比第一区域多的区域，金属氧化物层在膜厚度方向上至少具有氧的浓度梯度，并且，氧浓度在第一区域一侧及第二绝缘层一侧较高。

公开(公告)号：CN103779423B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN103794511B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。