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公开(公告)号：CN1722468A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510083584.4
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。
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公开(公告)号：CN1161646C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN00103639.4
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1320954A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：CN01103030.5
申请日：1995-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67236
Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔,一用于激光照射的腔以及一机器人臂,其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450－750℃,接着用激光照射该硅膜,结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1266996A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00103639.4
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与第一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1122953A
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：CN95115832.5
申请日：1995-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67236
Abstract: 一种激光处理设备提供一加热腔，一用于激光照射的腔以及一机器人臂，其中在其上形成用激光照射的硅膜的基片的温度在加热腔中被加热到450-750℃，接着用激光照射该硅膜，结果能得到具有单晶或能够被认为是单晶的硅膜。
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公开(公告)号：CN1121617A
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：CN95108515.8
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1008416B
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：CN87103244
申请日：1987-04-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种改进的电一光器件，该器件包括一块透明基片和在其相对的两个表面上有一对电极的光电导层。在透明电极和光电导层之间的电极是透明的，并且是用氧化锌制成的，后者不会由于同光电导层接触而发生还原反应。
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公开(公告)号：CN87103244A
公开(公告)日：1987-11-11
申请号：CN87103244
申请日：1987-04-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种改进的电—光器件，该器件包括一块透明基片和在其相对的两个表面上有一对电极的光电导层。在透明电极和光电导层之间的电极是透明的，并且是用氧化锌制成的。后者不会由于同光电导层接触而发生还原反应。\
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