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公开(公告)号：CN86106409A
公开(公告)日：1987-05-20
申请号：CN86106409
申请日：1986-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/208 , H01L31/02021 , H01L31/046 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10S136/29
Abstract: 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。
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公开(公告)号：CN1311533C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02127108.9
申请日：1996-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/314 , H01L21/00 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/02126 , C03C17/245 , C03C2218/1525 , C03C2218/153 , C23C16/402 , H01L21/02131 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612
Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。
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公开(公告)号：CN87100588A
公开(公告)日：1987-08-19
申请号：CN87100588
申请日：1987-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理，从而可在高生产率下生产光电转换器件。在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之，然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后，即使在8伏特的反向电压下，其反向电流也不会再超过15毫安培。
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公开(公告)号：CN1156897A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96122468.1
申请日：1996-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02126 , C03C17/245 , C03C2218/1525 , C03C2218/153 , C23C16/402 , H01L21/02131 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612
Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。
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公开(公告)号：CN1008580B
公开(公告)日：1990-06-27
申请号：CN87100588
申请日：1987-02-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 通过在制造光电变换器件的最后步骤中对转换器件进行修整处理，从而可在高生产率下生产光电转换器件，在半导体层的形成过程中所产生的短路电流通道可通过向该半导体层施加反向电压而消除之，然后将之加热并使之成为绝缘体。在消除短路电流通道后，即使在8伏特的反向电压下，其反向电流也不会再超过15毫安培。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1448997A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN02127108.9
申请日：1996-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/314 , H01L21/00 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/02126 , C03C17/245 , C03C2218/1525 , C03C2218/153 , C23C16/402 , H01L21/02131 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612
Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。
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公开(公告)号：CN1003481B
公开(公告)日：1989-03-01
申请号：CN86106409
申请日：1986-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/208 , H01L31/02021 , H01L31/046 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10S136/29
Abstract: 本发明介绍了一种没有因针孔或其它缝隙等缺陷引起的漏泄电流的经过改进的半导体器件，还介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行充填。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。
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公开(公告)号：CN87102718A
公开(公告)日：1987-10-28
申请号：CN87102718
申请日：1987-04-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/208 , H01L31/02021 , H01L31/046 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , Y10S136/29
Abstract: 本发明介绍了一种加工半导体器件的经过改良的方法。按照本发明，在制造半导体层过程中所产生的缝隙在用淀积法制造电极之前用绝缘体进行填充。借助这种结构，即使在半导体层上有透明电极，也不会形成短路电流路径。
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公开(公告)号：CN1118867C
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN96122468.1
申请日：1996-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02126 , C03C17/245 , C03C2218/1525 , C03C2218/153 , C23C16/402 , H01L21/02131 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31612
Abstract: 在制造半导体器件过程中，形成各种类型的绝缘膜，在成膜期间，通过输入活化的氢和氧化氮，使碳气化成CHx，COH及诸如此类的气体，以便在成膜期间减少含碳量，从而改善了阻挡诸如碱金属杂质的效果。
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公开(公告)号：CN1008416B
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：CN87103244
申请日：1987-04-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 公开了一种改进的电一光器件，该器件包括一块透明基片和在其相对的两个表面上有一对电极的光电导层。在透明电极和光电导层之间的电极是透明的，并且是用氧化锌制成的，后者不会由于同光电导层接触而发生还原反应。
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