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公开(公告)号：CN108475700B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201780006127.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/417
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含抑制铜的扩散的材料，第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域。
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公开(公告)号：CN113519065A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202080018241.2
申请日：2020-02-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。半导体层、第二绝缘层及导电层依次层叠在第一绝缘层上。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M、锌的各原子数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。另外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN113508468A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202080018234.2
申请日：2020-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置提供。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置包括第一导电层、第一绝缘层、半导体层以及一对第二导电层。第一绝缘层与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一绝缘层的顶面接触，一对第二导电层与半导体层的顶面接触，一对第二导电层在与第一导电层重叠的区域分开。半导体层包含铟及氧，在表示铟、元素M及锌的原子个数比的三角图中具有以直线分别依次连接第一坐标(1：0：0)、第二坐标(2：1：0)、第三坐标(14：7：1)、第四坐标(7：2：2)、第五坐标(14：4：21)、第六坐标(2：0：3)、第一坐标的范围内的组成。此外，元素M为镓、铝、钇和锡中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN113105213A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110187768.4
申请日：2016-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/58 , C03C17/245 , H01L27/12 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L29/786
Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
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公开(公告)号：CN108473334B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680077344.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C01G15/00 , C23C14/08 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108474106B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680079190.8
申请日：2016-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363
Abstract: 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
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公开(公告)号：CN112233982A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011128239.9
申请日：2015-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及半导体装置的制造方法。提供一种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分，第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析法测量时，第一部分和从第二部分释放的氧分子的量少于从第三部分释放的氧分子的量。
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公开(公告)号：CN111033757A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880056474.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L51/50
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。
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公开(公告)号：CN105849796B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201480069840.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能，第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号：CN107591316A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710788148.X
申请日：2013-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
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