公开(公告)号：JP6694009B2

公开(公告)日：2020-05-13

申请号：JP2018112447

申请日：2018-06-13

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 加藤 清 ,  小山 潤

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H03K3/037 ,  H01L21/8242

公开(公告)号：JP2020057620A

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：JP2019232505

申请日：2019-12-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  秋葉 麻衣

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  H05B33/22

Abstract: 【課題】発光素子に供給される電流を制御するTFTの特性によって、発光素子の輝度が ばらつくのを防ぐことができ、有機発光層の劣化による発光素子の輝度の低下を防ぎ、な おかつ有機発光層の劣化や温度変化に左右されずに一定の輝度を得ることができる発光装 置の駆動方法の提供。 【解決手段】発光素子の輝度をTFTに印加する電圧によって制御するのではなく、TF Tに流れる電流を信号線駆動回路において制御することで、TFTの特性に左右されずに 発光素子に流れる電流を所望の値に保つ。さらに、一定期間毎に発光素子に逆バイアスの 電圧を印加する。上記2つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝 度の低下を防ぐことができ、なおかつTFTの特性に左右されずに発光素子に流れる電流 を所望の値に保つことができる。 【選択図】図19

公开(公告)号：JP6676735B2

公开(公告)日：2020-04-08

申请号：JP2018219990

申请日：2018-11-26

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  秋葉 麻衣

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/22 ,  G09G3/3291 ,  G09G3/3241 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  G09F9/30

公开(公告)号：JP2020047280A

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：JP2019198373

申请日：2019-10-31

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: G06F1/3287 ,  G06F1/3228 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H03K19/00 ,  H03K17/00 ,  G06F15/78

Abstract: 【課題】複数の回路に対する電源供給を個別に制御する。 【解決手段】CPUと、CPUの演算処理の際に、データの読み出し及び書き込みが行わ れるメモリと、CPUの演算処理により生成されるデータ信号を変換して出力信号を生成 する信号処理回路と、CPUに対する電源電圧の供給を制御する第1の電源供給制御スイ ッチと、メモリに対する電源電圧の供給を制御する第2の電源供給制御スイッチと、信号 処理回路に対する電源電圧の供給を制御する第3の電源供給制御スイッチと、入力信号、 CPUから入力される命令信号、及び信号処理回路から入力される命令信号に従って第1 乃至第3の電源供給制御スイッチのそれぞれを個別に制御する機能を少なくとも有するコ ントローラと、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6671520B2

公开(公告)日：2020-03-25

申请号：JP2019004243

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C19/28 ,  H01L21/822

公开(公告)号：JP6669816B2

公开(公告)日：2020-03-18

申请号：JP2018138980

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 加藤 清 ,  小山 潤

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H03K3/037 ,  H03K3/356 ,  H01L21/8242

公开(公告)号：JP6652342B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2015153219

申请日：2015-08-03

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 熱海 知昭 ,  坂倉 真之 ,  山元 良高 ,  小山 潤 ,  田中 哲弘 ,  種村 和幸

IPC: H01L27/1156

公开(公告)号：JP6649931B2

公开(公告)日：2020-02-19

申请号：JP2017223314

申请日：2017-11-21

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/10 ,  G11C11/405 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6644186B1

公开(公告)日：2020-02-12

申请号：JP2019193422

申请日：2019-10-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小沼 利光 ,  小山 潤 ,  犬飼 和隆 ,  水上 真由美

IPC: G09F9/30

Abstract: 【課題】信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。 【解決手段】単結晶半導体基板11上にスイッチング用FET201及び電流制御用FE T202を形成し、電流制御用FET202にEL素子203が電気的に接続された画素 構造とする。電流制御用FET202は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現 性の高い画像を得ることができる。電流制御用FET202にホットキャリア対策を施す ことで信頼性の高い電子装置が得られる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6636582B2

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：JP2018150440

申请日：2018-08-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  坂田 淳一郎 ,  丸山 哲紀 ,  井本 裕己 ,  淺野 裕治 ,  肥塚 純一

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786