公开(公告)号：CN101466867B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780022068.8

申请日：2007-04-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高木牧子 ,  伊藤博巳 ,  斋藤一也 ,  藤本秀树

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种催化体化学气相沉积装置，其对由处理室内部构成部件及处理室内壁等释放的H2O等释放气体和由附着沉积物所产生的粒子采取应对措施，可以进行希望膜质的成膜。其特征在于，具备：在处理室1内配置的基板4、与基板4对置的喷淋板7、使来自喷淋板7的原料气体活化的金属钨丝等构成的催化体5，并具有以下构成：将催化体5设置于基板4和喷淋板7之间，并且用筒状周壁23围绕处理室1内的基板4和喷淋板7对置而形成的空间，除此之外，还设置有真空排气装置，以使筒状周壁23的内侧即成膜区域26内的压力比其他区域的压力高。

公开(公告)号：CN101939829A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN101466867A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780022068.8

申请日：2007-04-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高木牧子 ,  伊藤博巳 ,  斋藤一也 ,  藤本秀树

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4488 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种催化体化学气相沉积装置，其对由处理室内部构成部件及处理室内壁等释放的H2O等释放气体和由附着沉积物所产生的粒子采取应对措施，可以进行希望膜质的成膜。其特征在于，具备：在处理室1内配置的基板4、与基板4对置的喷淋板7、使来自喷淋板7的原料气体活化的金属钨丝等构成的催化体5，并具有以下构成：将催化体5设置于基板4和喷淋板7之间，并且用筒状周壁23围绕处理室1内的基板4和喷淋板7对置而形成的空间，除此之外，还设置有真空排气装置，以使筒状周壁23的内侧即成膜区域26内的压力比其他区域的压力高。

公开(公告)号：CN1938834A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580009704.4

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北添牧子 ,  伊藤博巳 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/02277 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3185

Abstract: 提供一种单位层后处理催化剂蒸镀装置及单位层后处理成膜方法，提高氮化硅膜等的面内均匀性、台阶覆盖率和膜的质量，并且在各单位层成膜后，进行表面处理，形成薄膜。将成膜过程(将含有硅烷气体和氨气的混合气体作为原料气体，以矩形脉冲状导入至反应容器(2)，使原料气体与催化剂(8)接触后热分解，在基板(5)上形成氮化硅膜)、一个表面处理过程(使氨气与催化剂8接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)、另一个表面处理过程(使氢气与催化剂(8)接触后，暴露在基板(5)上的氮化硅膜表面)作为1个周期，重复这1个周期的过程，对各单位层进行后处理，层叠薄膜。