公开(公告)号：CN1842919A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200580000956.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

公开(公告)号：CN111052397B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN201880058156.1

申请日：2018-10-17

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  大园修司 ,  太田淳 ,  座间秀昭 ,  浅利伸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。

公开(公告)号：CN101681932B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880018891.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  大石祐一 ,  清水美穗 ,  菊池亨 ,  石桥晓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管制造方法、液晶显示装置制造方法以及电极形成方法。防止电极从基板或硅层发生剥离。将以铜为主要成分的第一铜薄膜(13)暴露在氨气中进行表面处理后，在配置有处理对象物(10)的环境中产生含有硅烷气体和氨气的原料气体的等离子体，在第一铜薄膜(13)的表面形成氮化硅膜。在氨气中预先进行表面处理，从而防止硅烷气体扩散到第一铜薄膜(13)，因此由被进行了表面处理的第一铜薄膜(13)构成的电极不从玻璃基板(11)或硅层剥离，并且电阻值也不变高。

公开(公告)号：CN100550426C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580000956.0

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板9上含有源区17、沟道区18、漏区19的有源层11，栅电极层16，以及在有源层11和栅电极层16之间所形成的栅绝缘层15的薄膜晶体管，栅绝缘层15由在有源层11一侧形成的第1氧化硅膜12、在栅电极层16一侧形成的第2氧化硅膜14，和在第1氧化硅膜12与第2氧化硅膜14之间形成的氮化硅膜13而形成。

公开(公告)号：CN108885994B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780020497.5

申请日：2017-09-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 神保洋介 ,  山本良明 ,  茶谷宏纪 ,  西方靖 ,  菊池亨

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明实现等离子体密度的面内偏差的均匀化。本发明的一方式的簇射头具有头主体和簇射板。上述头主体具有内部空间。上述簇射板具有与上述内部空间连通的多个气体喷射口、从上述多个气体喷射口喷射气体的气体喷射面、配置在上述气体喷射面的多个孔部。在上述簇射板中的构成方式为，上述多个孔部的表面积从上述气体喷射面的中心呈放射状阶段性增大。

公开(公告)号：CN101946312A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200980105758.9

申请日：2009-02-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  若井雅文 ,  若松贞次 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  齐藤一也

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/401 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种成膜方法在抑制栅绝缘膜的电学特性恶化的同时提高栅绝缘膜的表面喷涂率。所述方法包括向真空腔(11)提供包含有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体，产生脉冲高频电从而间歇性提供高频电，并通过用脉冲高频电使混合气体等离子化，在所述基板(S)上形成硅绝缘膜。所述脉冲高频电根据满足所述硅绝缘膜表面喷涂率目标值的最大占空比而产生。

公开(公告)号：CN101567392A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141769.4

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。

公开(公告)号：CN111052397A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058156.1

申请日：2018-10-17

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 菊池亨 ,  大园修司 ,  太田淳 ,  座间秀昭 ,  浅利伸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的一个技术方案所涉及的薄膜晶体管的制造方法包括在衬底上形成活性层。以能够与上述活性层电连接的方式形成源极区域和漏极区域。通过等离子体CVD在上述活性层的表面形成由氧化硅构成的第一金属氧化物层。通过ALD在上述第一金属氧化物层的表面形成由氧化铝构成的第二金属氧化物层。在上述第二金属氧化物层的表面形成栅电极。

公开(公告)号：CN101939829B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。

公开(公告)号：CN101939829A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200880122799.4

申请日：2008-12-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森村太郎 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  浅利伸 ,  斋藤一也 ,  中村久三

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的目的在于提供一种非晶硅型薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，以防止元件间的晶体管特性产生偏差，提高载流子迁移率，从而提高生产性。为达到上述目的，本发明的薄膜晶体管的制造方法以源极膜(71)与漏极膜(72)为掩膜用固体绿激光照射非晶硅膜(4)的信道部(41)，从而提高迁移率。因受到固体绿激光的照射，非晶硅膜的信道部被结晶化，所以，与现有技术使用准分子激光的方法相比，可使激光的振荡特性比较稳定。从而可用相同的输出功率对大型基板在其基板平面内进行激光照射，能够防止元件间的信道部的结晶度产生偏差。而且，还可延长激光振荡器的维修周期，从而可在降低装置的停机时间成本的同时提高生产性。