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公开(公告)号：CN109216443A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811116958.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm-3或更大。
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公开(公告)号：CN108780756A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017476.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/786
Abstract: 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
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公开(公告)号：CN107424910A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710132348.X
申请日：2011-11-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/66 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02628 , H01L27/1292 , H01L29/66969
Abstract: 用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，所述涂布液包含：无机铟化合物；无机镁化合物和无机锌化合物的至少一种；和二醇醚。
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公开(公告)号：CN107403716A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710363619.2
申请日：2012-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02628 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。
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公开(公告)号：CN107017308A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611103021.1
申请日：2016-12-05
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1218 , H01L29/78603 , H01L29/7869
Abstract: 一种阻气叠层，包括基板和形成在基板的表面中的至少一个上的阻挡层。阻挡层包括含硅和碱土金属的复合氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972062A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610991447.9
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管,显示元件，显示装置,系统,以及场效应晶体管的制造方法。本发明的课题在于,抑制对半导体层或基板产生损害，防止薄膜晶体管的特性及均一性降低。场效应晶体管包括：栅电极；源电极和漏电极，用于根据向上述栅电极施加电压，取出电流；半导体层，与上述源电极和上述漏电极相接配置，在上述源电极和上述漏电极之间形成沟道；作为栅绝缘膜的第一绝缘层，位于上述半导体层和上述栅电极之间；以及第二绝缘层，覆盖上述半导体层表面的至少一部分；上述第二绝缘层包括含有硅和碱土类金属的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN106098787A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610525944.X
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 所公开的场效应晶体管包括向其施加栅电压的栅极，用于响应于所述栅电压获取电流的源极和漏极，相邻于所述源极和所述漏极提供的有源层，该有源层由n型氧化物半导体形成，和在所述栅极和所述有源层之间提供的栅绝缘层。在场效应晶体管中，该n型氧化物半导体由n型掺杂化合物形成，该n型掺杂化合物具有通过引入三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子和六价阳离子的至少一个获得的晶相的化学成分。
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公开(公告)号：CN105849914A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071319.1
申请日：2014-12-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
Abstract: p?型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。
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公开(公告)号：CN102132413B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN200980132268.8
申请日：2009-08-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/7869 , G09G3/3258 , G09G3/3655 , G09G2320/043 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78693
Abstract: 提供了场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。场效应晶体管包括：向其施加栅极电压的栅极电极；用于获得响应于栅极电压的电流的源极电极和漏极电极；邻近源极电极和漏极电极提供的、并由包括镁和铟作为主要组分的氧化物半导体形成的活性层；以及在栅极电极与活性层之间提供的栅极绝缘层。
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公开(公告)号：CN105431930A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480043179.7
申请日：2014-07-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G09G3/2092 , H01L27/1225 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm-3或更大。
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