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公开(公告)号：CN110164840A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910448657.7
申请日：2019-05-28
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/60 , B81C3/00
Abstract: 一种集成电路与微机电系统的直接键合装置，包括太阳能电池，平坦化氧化层，对准金属接触部分，金属互连部分，焊点；平坦化氧化层与带有导电连接和密封的对准金属接触部分在低温直接键合，实现金属互连部分与高气密性的结合，金属互连部分和太能电池通过深硅刻蚀技术进行填充，焊点位于金属互连部分上。一种集成电路与微机电系统的直接键合装置制备工艺，平坦化氧化层表面上带有用于导电连接和密封的校准金属层，表面清洗或活化，校准，然后低温键合；金属能是合金、焊料或纯金属键合在一起。本发明的优点：本发明所述的集成电路与微机电系统的直接键合装置及制备工艺，原理结构简单，工艺稳定，提高了产品可靠性。
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公开(公告)号：CN213423389U
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202020843406.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种MEMS芯片唯一标识符装置，包括MEMS芯片，MEMS芯片敏感元件区域，MEMS芯片唯一标识符电阻，MEMS芯片唯一标识符电阻焊盘；MEMS芯片敏感元件区域有多种结构；MEMS芯片敏感元件区域周围制作的电阻条；MEMS芯片唯一标识符电阻的焊盘，用于电阻条的电学连接。本实用新型的优点：永久保存在MEMS芯片中的唯一标识符。能利用唯一标识符提高可追溯性和可测试性。使用高电阻率/方块电阻材料来限制电阻尺寸，能使唯一标识符使芯片总体尺寸不受影响。MEMS芯片中的唯一标识符中涉及到的专用集成电路ASIC，既能专门设计，也能通过共用MEMS产品中现有专用集成电路实现，降低成本。
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公开(公告)号：CN213023334U
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202021224220.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆，测试结构的基底件，腔体为长方体结构，内部保持有一定压力，密封的腔体中的压力是已知的。本实用新型的优点：本实用新型所述的多晶硅压阻系数测试结构，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。
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公开(公告)号：CN212517471U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020651016.X
申请日：2020-04-26
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: H01P7/06
Abstract: 一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构，包括衬底硅，底层氧化层，中间硅层，中间氧化层，顶层硅层，顶层氧化层，内部电学连接，封堵结构，顶层金属件，空腔结构，谐振器结构；衬底硅作为谐振器的支撑层，底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层；顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜，顶层氧化层为在顶层硅层形成的氧化层，谐振器结构设置在中间硅层上形成谐振器的主体结构部分。本实用新型的优点：采用硅与氧化层叠层结构，氧化物封堵开口技术，CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口；采用SOI晶圆作为基底，利用光刻、刻蚀工艺，在顶层硅薄膜和中间硅层上刻蚀开口和谐振器图形，是密封单晶硅谐振器的新结构，性能稳定，新工艺和新方法。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212110410U
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202020805562.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Abstract: 一种新型压力传感器，其特征在于：包括惠斯通主桥电阻R1，惠斯通主桥电阻R2，惠斯通主桥电阻R3，惠斯通主桥电阻R4，惠斯通次级桥电阻R1’，惠斯通次级桥电阻R2’，惠斯通次级桥电阻R3’，惠斯通次级桥电阻R4’，惠斯通主桥输入电源，惠斯通次级桥输入电源，惠斯通主桥输出，惠斯通次级桥输出，薄膜；惠斯通主桥上带有惠斯通主桥输入电源和斯通主桥输出端；惠斯通次级桥电阻R1’，惠斯通次级桥电阻R2’，惠斯通次级桥电阻R4’和惠斯通次级桥电阻R3’顺次串联形成惠斯通次级桥，惠斯通次级桥上带有惠斯通次级桥输入电源和惠斯通次级桥输出端。本实用新型的优点：原理结构简单，精度高，有效实现温度补偿，市场前景广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211089591U
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201920601608.8
申请日：2019-04-29
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
Abstract: 可集成式硅振荡器结构，有三种谐振器的结构，MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起，在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器，单独的MEMS硅谐振器，集成电路芯片也是单独的；MEMS谐振器通过键合工艺与CMOS集成电路集成在一起；与CMOS电路键合集成硅振荡器结构，分为三种结构；包括带有引线键合盘的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器，带有硅通孔金属连接的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器，带有热控制的可与CMOS集成电路键合的硅谐振器。本实用新型的优点：防震效果是传统石英晶振产品的25倍，具有不受振动影响、不易碎的特点。还具有可集成度高、可编程、尺寸小、功耗小等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209897019U
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201920749416.1
申请日：2019-05-23
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
Abstract: 一种薄膜腔声谐振滤波器，包括器件主部分，盖帽部分，第一层金属层，压电层，金属层，第二层压电层，键合金属，吸气薄膜，通孔部分，焊接凸点，腔体一，腔体二；其中：盖帽部分内部上面设置有吸气薄膜，盖帽部分上带有通孔部分，焊接凸点位于通孔部分上方；第二层压电层、金属层和键合金属设置在器件主部分和盖帽部分之间，器件主部分和盖帽部分之间通过键合工艺结合在一起；第一层金属层和压电层设置在器件主部分上，腔体一位于器件主部分内，腔体二位于盖帽部分内，均为刻蚀工艺形成。本实用新型的优点：方案结构合理，产品可靠性得到了很大提高，简化了制备工艺，提高产品质量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208902313U
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201821854965.7
申请日：2018-11-12
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健
IPC: G01L1/10
Abstract: 一种谐振式压力传感器，包括硅晶圆，薄膜部分，谐振部分，谐振部分固定点，背孔，盖帽，吸气剂层，支撑硅层，埋层氧化层，顶层硅薄膜，多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜；SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成；以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底，形成谐振式压力传感器的薄膜部分，或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜，形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺，谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的，衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔。本实用新型的优点：整体结构紧凑，精度高，制作工艺简单，容易控制，产品适用范围广。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212517241U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020764372.2
申请日：2020-05-11
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；其中：硅电阻层为高温压力传感器电阻层，组成电桥，金属圆片为高温压力传感器主体结构，为硅电阻层提供衬底结构，金属圆片通过数控机床机械加工而形成金属薄膜3，为感受压力金属薄膜，键合界面是硅晶圆与金属圆片键合形成的键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。本实用新型的优点：本实用新型所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，原理结构简单，精度高，稳定性好，有效克服传统高温高压传感器在高温下精度低、稳定性差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212515215U
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202020630475.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司
Inventor： 黄向向 , 杨敏 , 道格拉斯·雷·斯巴克斯 , 关健 , 梁泽山
IPC: G02B26/08
Abstract: 一种电磁式微镜结构，其特征在于：所述的电磁式微镜结构，包括无磁性基底晶圆，盖板晶圆，悬臂梁结构，铁磁性镜面，晶圆键合界面层，吸气薄膜，空腔，电磁铁，金属片；其中：无磁性基底晶圆与盖板晶圆之间带有晶圆键合界面层，悬臂梁结构与无磁性基底晶圆连接，铁磁性镜面设置在悬臂梁结构上，吸气薄膜设置在盖板晶圆内，盖板晶圆内为空腔，电磁铁和金属片设置在盖板晶圆外部。本实用新型的优点：本实用新型的所述的电磁式微镜结构，通过电磁铁影响磁性镜面和悬臂的翘曲角度，进而改变通过盖板晶圆摄入的光线的方向，最大的偏转角可以达到45度。实现光信号的传输。磁性镜面和悬臂，电磁驱动控制，偏转角度最大可达30至45度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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