公开(公告)号：KR1019990002352A

公开(公告)日：1999-01-15

申请号：KR1019970025929

申请日：1997-06-19

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, M×N 개의 트랜지스터가 내장되고, 그 상부에 드레인 패드를 갖는 제1 금속층이 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; 상기 액티브 매트릭스 및 상기 제1 금속층의 상부에 인(P)의 농도가 서로 다른 복수 개의 층을 갖는 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 일부를 식각하여 상기 액티브 매트릭스의 일부를 노출시키는 단계; 그리고 ⅰ) 지지층을 형성하는 단계, ⅱ) 하부 전극을 형성하는 단계, ⅲ) 변형층을 형성하는 단계, ⅳ) 상부 전극을 형성하는 단계, 및 ⅴ) 비어 컨택을 형성하는 단계를 갖는 액츄에이터를 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 플루오르화 수소 증기에 대한 식각율이 높은 12％ 인을 함유한 인 실리케이트 유리를 사용하여 제1 희생층을 형성하고, 제1 희생층의 상부에 수분의 흡수성이 낮은 인을 함유하지 않은 실리케이트 유리를 사용하여 제2 희생층을 형성한다. 따라서, 후속하는 공정 동안 제2 희생층의 표면에 수분이 흡착되는 것을 방지하여, 제1 희생층 및 제2 희생층의 제거 시 그 식각율에 영향을 미치지 않으면서 제1 희생층 및 제2 희생층을 정확하게 패터닝할 수 있으므로 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100265951B1

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019980016545

申请日：1998-05-08

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A thin film actuated mirror array and a method for fabricating the same are to improve the quality of the picture projected onto the screen by increasing the light efficiency of the incidence light. CONSTITUTION: An active matrix(100) has a MOS transistor installed therein and the first metal layer(135) having a drain pad extended from a drain of a MOS transistor. A supporting line is formed on the active matrix. A supporting layer(170) is integrated with the supporting line, and has a square loop shape. A supporting member(175) includes the first anchor(171) and the second anchors(172a,172b) connected to the active matrix adjacent to the supporting line and for supporting the supporting layer. The first actuating unit(210) is formed on one side of the part perpendicular to the supporting line, and has the first lower electrode(180), the first deformation layer(190), and the first upper electrode(200). The second actuating unit(211) is formed on another side of the part perpendicular to the supporting line, and has the second lower electrode(181), the second deformation layer(191), and the second upper electrode(201).

Abstract translation: 目的：薄膜致动反射镜阵列及其制造方法是通过提高入射光的光效率来提高投影到屏幕上的图像的质量。 构成：有源矩阵（100）具有安装在其中的MOS晶体管，并且第一金属层（135）具有从MOS晶体管的漏极延伸的漏极焊盘。 在有源矩阵上形成支撑线。 支撑层（170）与支撑线一体化，并且具有方形环形。 支撑构件（175）包括连接到与支撑线相邻的有源矩阵并用于支撑支撑层的第一锚（171）和第二锚（172a，172b）。 第一致动单元（210）形成在与支撑线垂直的部分的一侧上，并且具有第一下电极（180），第一变形层（190）和第一上电极（200）。 第二驱动单元211形成在垂直于支撑线的部分的另一侧，并具有第二下电极181和第二变形层191和第二上电极201。

公开(公告)号：KR100258110B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970057138

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a thin film actuated mirror arrays is to prevent the damage of an upper electrode and a deformation layer by forming a sacrificial layer into a polysilicon and then removing it by a BrF3 gas. CONSTITUTION: An active substrate(510) includes a drain pad(520) on one side thereof and an MxN transistor provided in the formed of matrix therein. A passivation layer(530) is formed on the active substrate. A sacrificial layer consisting of a polysilicon is formed on the passivation layer. The passivation layer is partially exposed by removing the sacrificial layer with the drain pad formed on the lower layer thereof. A membrane material layer is formed on the exposed passivation layer and the sacrificial layer. A lower electrode material layer is formed on the membrane material layer. A deformation material layer is formed on the lower electrode material layer. An upper electrode material layer is formed on the deformation material layer. An upper electrode(590) is formed by patterning the upper electrode material layer by a pixel. A deformation layer(580), a lower electrode(570), and a membrane(560) are formed by patterning the deformation material layer, the lower electrode material layer, and the membrane material layer by a pixel. An air gap(550) is formed by removing the sacrificial layer by BrF3 gas.

Abstract translation: 目的：制造薄膜致动反射镜阵列的方法是通过在多晶硅中形成牺牲层，然后用BrF 3气体除去上述电极和变形层来防止损伤。 构成：有源衬底（510）在其一侧上包括漏极焊盘（520），以及由矩阵形成的MxN晶体管。 钝化层（530）形成在有源衬底上。 在钝化层上形成由多晶硅构成的牺牲层。 通过在其下层上形成有漏极焊盘去除牺牲层来部分地暴露钝化层。 在暴露的钝化层和牺牲层上形成膜材料层。 在膜材料层上形成下电极材料层。 在下电极材料层上形成变形材料层。 上部电极材料层形成在变形材料层上。 上部电极（590）通过将上部电极材料层图案化而形成像素。 通过像素对图案化变形材料层，下电极材料层和膜材料层形成变形层（580），下电极（570）和膜（560）。 通过用BrF 3气体去除牺牲层形成气隙（550）。

公开(公告)号：KR1019990058702A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970078850

申请日：1997-12-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 의하면, 기판의 상부에 액티브 영역과 필드 영역을 구분하기 위한 소자 분리막을 형성한 후 그 상부를 평탄화시키고, 액티브 영역의 상부에 트랜지스터를 형성하고 그 상부에 산화물로 이루어진 절연막을 형성하며, 절연막의 표면을 평탄화시킨 후, 절연막의 상부에 제1 금속층을 증착하고 패터닝하여 드레인 패드를 갖는 액티브 매트릭스를 형성하고, 액티브 매트릭스의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 포함하는 액츄에이터를 형성하고, 상부 전극의 상부에 거울을 형성한다. 액티브 매트릭스의 형성 단계에서 평탄화 공정을 여러 번 수행하여 액티브 매트릭스로부터 비롯되는 단차를 보상함으로써, 그 상부에 형성되는 액츄에이터 및 거울의 평탄화율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990058700A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970078848

申请日：1997-12-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 액츄에이터의 초기 기울어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치는, 액티브 매트릭스, 액츄에이터, 그리고 거울을 포함하며, 상기 액츄에이터는, 일측의 양측이 각기 액티브 매트릭스에 접촉되어 액츄에이터를 지지하는 제1 및 제2 앵커가 되며 일측의 중앙부가 에어 갭을 개재하여 상부로 돌출되어 타측을 향해 수평하게 형성된 지지층, 하부 전극, 변형층, 그리고 상부 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 앵커의 일측에는 각기 제1 및 제2 보조 지지 부재가 서로 마주보며 형성된다. 액츄에이터의 초기 기울어짐의 원인이 되는 단차 경계면이 없고 보조 지지 부재를 갖는 지지층을 형성함으로써, 액츄에이터가 신호가 인가되지 않은 상태에서도 초기에 기울어지는 것을 방지할 수 있으므로 액츄에이터 상부에 형성된 거울의 반사각을 일정하게 유지하여 광원으로부터 입사되는 광의 광효율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990035342A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970057138

申请日：1997-10-31

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘으로 형성된 희생층을 BrF
3 가스로 제거하여 에어갭을 형성한다. 종래의 박막형 광로조절장치에서 희생층은 인의 농도가 높은 인실리케이트유리로 형성한 후 불산가스로 제거하였으므로, 강산인 불산가스에 의해 구동기판의 하부가 손상되는 것을 방지하기 위하여 별도의 식각 방지층을 형성하였다. 그러나, 식각 방지층은 고온 공정에 의해 형성되므로 구동기판에 내장된 트랜지스터가 고온에 의해 손상되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 박막형 광로조절장치는 희생층을 불산가스가 아닌 BrF
3 가스로 제거하므로 상부전극과 변형층이 손상되지 않으며, 별도의 식각 방지층을 형성할 필요가 없으므로 제조 공정이 단순해진다.

公开(公告)号：KR1019990004773A

公开(公告)日：1999-01-25

申请号：KR1019970028914

申请日：1997-06-30

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, M×N (M, N은 정수)개의 MOS 트랜지스터 및 제1 금속층을 포함하는 액티브 매트릭스를 제공하는 단계; 상기 액티브 매트릭스의 상부에 지지층, 하부 전극, 변형층 및 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액츄에이터를 형성하는 단계; 상기 액츄에이터의 상부에 유동성 물질층을 형성하는 단계; 상기 유동성 물질층을 에치백하는 단계; 그리고 상기 유동성 물질층의 상부에 빛을 반사하는 거울층을 형성하는 단계를 포함한다. 상술한 방법에 따르면, 액츄에이터와 거울층과의 연결 부위의 단차를 상기 유동성 물질층이 완벽히 메울 뿐만 아니라 자기 평탄화를 이룬 후 그 위에 거울층을 장착하기 때문에, 액츄에이터들의 초기 휘어짐이나 비균일성에 관계없이 평탄한 거울층을 얻을 수 있어 반사각을 일정하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980046149A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960064442

申请日：1996-12-11

Applicant: 대우전자주식회사

Inventor： 황규호

IPC: G02F1/015

Abstract: 광학적인 화상 투영 시스템에 사용되는 박막형 광로 조절 장치에서 포토리쏘그래피(photolithography) 공정의 적용이 불필요하며 도전성 재료의 접착성과 두께의 균일성을 향상시킨 개선된 비어 콘택(via contact)의 형성 방법이 개시되어 있다. 광로 조절 장치는, 화상 신호 전압이 인가되는 액티브 매트릭스(active matrix)를 마련한 후, 인가된 화상 신호 전압에 의해서 작동되는 액튜에이터(actuator)를 형성하고, 활성 매트릭스에 인가되는 화상 신호 전압을 액튜에이터로 전달하기 위한 비어 콘택을 형성함으로써 제조된다. 비어 콘택은, 하부 전극을 패터닝한 후, 액튜에이터의 지지부에서 멤브레인(membrane) 층, 식각 방지층 및 보호 층을 순차적으로 식각하여 비어 홀을 형성하고, 전기 도금법(electroplating)이나 무전해 도금법(electroless plating)을 이용하여 비어 홀내에 도전성 재료, 바람직하게는 구리(Cu) 또는 니켈(Ni)을 도금하여 액티브 매트릭스의 금속성 드레인(drain)과 하부 전극을 전기적으로 연결함으로써 형성된다. 비어 콘택을 형성한 후에는, 리프트-오프(lift-off) 방법을 이용하여 변형부와 상부 전극을 순차적으로 증착시킨다.