公开(公告)号：KR100513316B1

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：KR1020030004106

申请日：2003-01-21

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 이정욱 ,  유지범 ,  손철수 ,  성연준

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

Abstract: 고효율 반도체 소자 제조방법이 개시된다. 개시된 고효율 반도체 소자 제조방법은 기판 상에, 제1반도체층, 마스크층 및 금속층을 순서대로 적층하는 제1단계; 상기 금속층을 양극산화하여 나노 크기의 호울이 다수 형성되는 금속 산화물층으로 변화시키는 제2단계; 상기 나노 호울이 상기 제1반도체층의 표면까지 연장되도록 상기 금속 산화물층을 마스크로 하여 상기 마스크층을 식각함으로써 상기 마스크층 내에 다수의 나노 호울을 형성하는 제3단계; 상기 금속 산화물층을 식각하여 제거하는 제4단계; 및 상기 마스크층 및 상기 제1반도체층의 상면에 제2반도체층을 증착하는 제5단계;를 포함한다. 격자 부정합에 의해 발생되는 결함 밀도를 감소시키고 결함 분포를 분산시킬 수 있다.