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公开(公告)号：KR100891810B1
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020070112701
申请日：2007-11-06
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: A white light emitting diode is provided to improve the efficiency of the white luminescence by preventing the resorption of the light generated from the molding unit of the other region of the fluorescent substance. A white light emitting diode(100) comprises a package body(110), two or more LED chips(121,122), and the first and second molding units(141,142), and a mold lens part(150). The package body is made of the printed circuit board. The LED chip is mounted on the space of the package body and radiates the excitation light. The first and second molding units mold each LED chip by including the fluorescent substance in each LED chip region. A reflecting layer(111) is formed along the floor side of the space of the package body. The reflecting layer reflects the excitation light and the wavelength converter light. A reflective film(145) of the highly reflective metal material is built up at the boundary of the first and second molding units.
Abstract translation: 提供白色发光二极管以通过防止从荧光物质的另一区域的成型单元产生的光的吸收来提高白色发光的效率。 白色发光二极管（100）包括封装主体（110），两个或更多个LED芯片（121,122）以及第一和第二模制单元（141,142）和模具透镜部件（150）。 封装体由印刷电路板制成。 LED芯片安装在封装体的空间上并辐射激发光。 第一和第二成型单元通过在每个LED芯片区域中包含荧光物质来模制每个LED芯片。 沿着包装体的空间的地板侧形成反射层（111）。 反射层反射激发光和波长转换器光。 高反射性金属材料的反射膜（145）在第一和第二成型单元的边界处形成。
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公开(公告)号：KR100887067B1
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020060014241
申请日：2006-02-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체층 내부에 나노 패턴을 지닌 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 발광소자에 있어서, 내부에 다수의 나노 패턴을 포함하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성된 활성층;을 포함하는 나노 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자를 제공하여, 광 추출 효율을 향상시키면서 발광 소자의 내부 결함을 감소시키는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100867518B1
公开(公告)日：2008-11-07
申请号：KR1020060085897
申请日：2006-09-06
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/0079
Abstract: 고효율 및 고출력의 특성을 갖는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법은, 기판 상에 습식 식각성이 우수한 특성을 갖는 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층 상에 형성되는 것으로, 결정성장을 위한 반응가스 분위기에서 상기 희생층을 보호하고 그 위에 형성되는 반도체층의 에피성장을 용이하게 하는 보호층을 형성하는 단계, 상기 보호층 상에 금속질화물로 이루어진 다수의 마스킹 도트들(masking dots)을 형성하는 단계, 상기 마스킹 도트들을 마스크로 이용하여 상기 보호층 상에 측면 에피택시(lateral epitaxy) 성장으로 질화물계 반도체층을 형성하는 단계, 상기 질화물계 반도체층 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 반도체 소자를 형성하는 단계 및 상기 희생층을 습식식각하여 상기 기판을 상기 반도체 소자로부터 분리하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070088176A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020060018445
申请日：2006-02-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: A nitride based semiconductor light emitting device and its manufacturing method are provided to improve a light extraction efficiency by forming an N-convexoconcave type contact surface on an N-clad layer. An N-clad layer(20), an active layer(30) and a P-clad layer(40) are sequentially formed on a substrate(10). A plurality of masking dots are formed on the P-clad layer. A P-contact layer(60) with a convexoconcave type structure is formed on the P-clad layer except the masking dots. An N-convexoconcave type contact surface is formed on the N-clad layer by performing a dry etching process on the resultant structure from an upper portion of the P-contact layer to a predetermined portion of the N-clad layer. An N-electrode(100) is formed on the N-convexoconcave type contact surface. A P-electrode(120) is formed on the P-contact layer. The masking dots are made of SixNy.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，用于通过在N覆层上形成N凸凹型接触表面来提高光提取效率。 在衬底（10）上依次形成N包层（20），有源层（30）和P覆层（40）。 在P包覆层上形成多个掩模点。 除了掩模点之外，在P包层上形成具有凹凸型结构的P接触层（60）。 通过对所形成的结构从P接触层的上部到N包覆层的规定部分进行干蚀刻处理，在N包覆层上形成N凸凹型接触面。 在N凸凹型接触面上形成有N电极（100）。 P电极（120）形成在P接触层上。 屏蔽点由SixNy制成。
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公开(公告)号：KR1020070081934A
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060014241
申请日：2006-02-14
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce screw dislocation in the manufacturing process by inserting a nano pattern into a semiconductor layer. A semiconductor light emitting device includes a semiconductor layer having plural nano patterns(23), and an active layer(25) formed on the semiconductor layer. The semiconductor layer has a first semiconductor layer(22) on which the nano patterns are formed, a second semiconductor layer(24) formed on a region of the first semiconductor layer on which the nano patterns are formed, and a third semiconductor layer formed on the active layer.
Abstract translation: 提供半导体发光器件及其制造方法，通过将纳米图案插入到半导体层中来减少制造工艺中的螺钉位错。 半导体发光器件包括具有多个纳米图案（23）的半导体层和形成在半导体层上的有源层（25）。 半导体层具有形成有纳米图案的第一半导体层（22），形成在形成有纳米图案的第一半导体层的区域上的第二半导体层（24），形成有第三半导体层的第三半导体层 活动层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100744941B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100657941B1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020040117960
申请日：2004-12-31
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 발광 소자에 있어서, 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, (가) 기판 상에 제 1반도체층을 형성시키는 단계; (나) 상기 제 1반도체층 상에 물질층을 형성시키고, 열처리하여 상기 물질층의 물질을 상기 제 1반도체층 내에 침투시켜 상기 제 1반도체층을 요철 구조로 형성시키는 단계; 및 (다) 상기 제 1반도체층 상에 제 2반도체층을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020060064306A
公开(公告)日：2006-06-13
申请号：KR1020040103113
申请日：2004-12-08
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/12
Abstract: 본 발명은 기판 표면에 형성된 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 반도체 발광 소자를 제조하는 방법에 있어서, 기판 상에 금속층을 형성시키고, 상기 금속층을 양극 산화하여 홀이 형성된 금속 산화층으로 형성시키고 그 자체로 요철 구조 패턴으로 사용하거나, 상기 금속 산화층의 홀에 대응되도록 상기 금속 산화층 하부의 기판 또는 물질층 내에 홀을 형성시켜 요철 구조 패턴으로 사용하여 그 상부에 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층을 순차적을 형성시킴으로써 요철 구조를 포함하는 반도체 발광 소자를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050068807A
公开(公告)日：2005-07-05
申请号：KR1020030100619
申请日：2003-12-30
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 반도체 발광 소자의 전극 구조, 이를 채용한 반도체 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 반도체 발광소자는 부전도성 기판, 부전도성 기판 상에 형성된 제 1 하부 클래드층, 제 1 하부 클래드층 상에 소정 형상을 갖으며 형성된 도전층, 도전층의 소정 영역 상에 형성된 제 2 하부 클래드층, 제 2 하부 클래드층 상에 형성된 활성영역, 활성영역 상에 형성된 상부 클래드층, 상부 클래드층 상에 형성된 상부 전극 및 도전층과 전기적으로 연결되며 도전층의 나머지 영역 상에 형성되는 하부 전극을 포함한다. 따라서, 종래 반도체 발광소자에 있어서 문제가 되었던 전류 모임 현상을 해결한 수직 구조의 반도체 발광 소자를 구현함으로써 동작전압을 감소시킬 수 있는효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1020040067125A
公开(公告)日：2004-07-30
申请号：KR1020030004106
申请日：2003-01-21
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L21/02458 , B82Y20/00 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a high-efficient semiconductor device is provided to form the high-efficient semiconductor device by restricting a defect of a semiconductor layer due to inconsistency of lattice constants. CONSTITUTION: The first semiconductor layer(33), a mask layer(35), and a metal layer are sequentially laminated on a substrate(31). A metal oxide layer having a plurality of nano-sized holes is formed by anodizing the metal layer. The nano-sized holes are extended to a surface of the first semiconductor layer by performing an etch process using the metal oxide layer. The metal oxide layer is removed by performing the etch process. The second semiconductor layer(38) is formed on the mask layer and the first semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高效半导体器件的方法，以通过限制晶格常数不一致导致的半导体层缺陷来形成高效半导体器件。 构成：将第一半导体层（33），掩模层（35）和金属层依次层叠在基板（31）上。 通过阳极氧化金属层形成具有多个纳米尺寸的孔的金属氧化物层。 通过使用金属氧化物层进行蚀刻工艺，将纳米尺寸的孔延伸到第一半导体层的表面。 通过进行蚀刻工艺去除金属氧化物层。 第二半导体层（38）形成在掩模层和第一半导体层上。
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