公开(公告)号：KR1020060028957A

公开(公告)日：2006-04-04

申请号：KR1020040077884

申请日：2004-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67276 ,  F04B9/14 ,  H01L21/02

Abstract: 진공 펌프 및 이를 구비한 반도체 제조 장치가 제공된다. 본 발명의 일실시예에 따른 진공 펌프는, 오일 탱크에 수용된 오일(oil)량을 센싱하여 센싱된 오일량이 소정 범위의 기준량에 비해 부족하거나 과다할 경우 이에 대한 알람 신호를 생성하는 오일량 센서 및 오일량 센서에 의해 생성된 알람 신호를 사용자에게 전달하기 위한 경보음 발생부 및/또는 디스플레이부를 포함한다.
진공 펌프, 오일량 센서, 하이 리미트(high limit), 윤활, 실링(sealing), 반도체 제조 장치

公开(公告)号：KR1020060006654A

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：KR1020040055765

申请日：2004-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67303

Abstract: 본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 반응로; 상기 반응로 내부로 공정 진행시 진입하여 위치하며 상하부로 다수의 웨이퍼가 적재되는 보트; 상기 보트의 상부 중 적재된 상기 웨이퍼의 상부에 상기 웨이퍼와 함께 적재되며 석영재질로 된 상부 더미; 상기 보트의 하부 중 적재된 상기 웨이퍼의 하부에 상기 웨이퍼와 함께 적재되며 석영재질로 된 하부 더미를 구비한 것으로, 이러한 본 발명에 따른 반도체 제조장치에서 보트의 상하부에 적재되는 더미의 재질을 석영으로 제조하여 사용함으로써 실리콘 웨이퍼의 사용효율을 보다 향상시키고, 또한 더미를 석영재질로 사용함에 따라 보다 긴 주기로 사용가능하며 더욱이 파손이 되지 않은 이상 영구 사용이 가능하도록 함으로써 반도체 제조장치의 사용효율을 보다 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050109135A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020040034170

申请日：2004-05-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명은 고속 열처리 설비용 도어 락에 관한 것으로서, 본 발명은 상단부와 하단부는 상향 또는 하향 개방되는 요크형상으로 형성하여 받침부(71)를 형성하고, 상기 받침부(71)들은 소정의 길이를 갖는 연결 로드(72)에 의해 일체로 연결되도록 하는 구성으로 구비하여 설비 점검을 위해 수동으로 상승시킨 도어(60)와 도어 받침대(61)의 사이로 본 발명의 도어 락(70)이 삽입되게 하여 도어(60)의 하강이 방지되게 함으로서, 안전하고 경제적인 설비 점검이 될 수 있도록 한다.

公开(公告)号：KR1020050028943A

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：KR1020030064318

申请日：2003-09-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/205

Abstract: A system for controlling the pressure of low pressure CVD(chemical vapor deposition) equipment is provided to improve productivity by displaying an output voltage according to a pressure detection signal of a low pressure baratron sensor, and to prevent a process defect by checking a defect of the low pressure baratron sensor and by generating an interlock or alarm message. A low pressure baratron sensor(110) detects the pressure in a chamber. A sensor control part(120) outputs the first output voltage by using a pressure detection signal of the low pressure baratron sensor. An automatic pressure adjustment control part(130) outputs the second output voltage for controlling the pressure in the chamber by using the first output voltage. An automatic pressure control valve(140) receives the second output voltage and controls the pressure in the chamber. A display part displays the pressure in the chamber and the first output voltage according to a control signal of the automatic pressure adjustment control part.

Abstract translation: 提供一种用于控制低压CVD（化学气相沉积）设备的压力的系统，以通过根据低压蒸煮器传感器的压力检测信号显示输出电压来提高生产率，并且通过检查缺陷 低压baratron传感器，并产生联锁或报警信息。 低压捕手传感器（110）检测室内的压力。 传感器控制部（120）通过使用低压操作感应器的压力检测信号来输出第一输出电压。 自动压力调节控制部（130）通过使用第一输出电压输出用于控制室内的压力的第二输出电压。 自动压力控制阀（140）接收第二输出电压并控制腔室中的压力。 显示部根据自动压力调节控制部的控制信号，显示室内的压力和第一输出电压。

公开(公告)号：KR1020070114438A

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：KR1020060047967

申请日：2006-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67028 ,  F04B37/14 ,  H01L21/6719

Abstract: A process chamber structure for eliminating particles for use in semiconductor device fabrication equipment is provided to improve wafer failure caused by particles with respect to wafers located on a level around a vacuum pumping line by using a gas flow dispersion unit for reducing or minimizing particles around the vacuum pumping line. A process chamber(10) for a cylindrical sealing space is prepared. Gas inlet lines supply a process gas to the process chamber. A vacuum pumping line(40) is installed around a center of the process chamber to maintain the inside of the process chamber in a vacuum condition. A gas flow dispersion unit(100) is installed in the process chamber by maintaining a certain space at the front of the vacuum pumping line. The gas flow dispersion unit disperses gas flow in the process chamber to an upper portion and a lower portion of the process chamber to exhaust the gas through the vacuum pumping line.

Abstract translation: 提供了一种用于消除用于半导体器件制造设备中的颗粒的处理室结构，以通过使用气流分散单元来减少或最小化颗粒周围的颗粒，以改善颗粒相对于位于真空泵送管线周围的水平位置的晶片故障 真空泵送管线。 制备用于圆柱形密封空间的处理室（10）。 气体入口管路将工艺气体提供给处理室。 真空泵管线（40）安装在处理室的中心周围，以将处理室的内部维持在真空状态。 气体分散单元（100）通过在真空泵送管线的前方保持一定的空间而安装在处理室中。 气流分散单元将处理室中的气流分散到处理室的上部和下部，以通过真空泵送管排出气体。

公开(公告)号：KR1020070091918A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：KR1020060021693

申请日：2006-03-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/304

Abstract: A cleaning apparatus having a diffusion unit is provided to slide smoothly a cleaning agent along the sidewall of a cone-type protrusion part by disposing the cone-type protrusion part on a diffusion plate in a manner that confronts an introduction hole through which the cleaning agent is introduced. A wafer(42) is loaded into a cleaning chamber(40) into which a cleaning agent is introduced. A cleaning agent diffusion unit is installed in the cleaning chamber. The cleaning agent diffusion unit includes a diffusion plate(50) and a cone-type protrusion part(54). The diffusion plate has through holes(52). The cone-type protrusion part is positioned on the diffusion plate. The cleaning chamber has a cleaning agent introducing hole(46), and the cone-type protrusion part is positioned to confront the cleaning agent introducing hole.

Abstract translation: 具有扩散单元的清洁装置被设置成通过将锥形突起部分设置在扩散板上，使得清洁剂沿着锥形突出部分的侧壁平滑地滑动 被介绍。 将晶片（42）装载到清洁室（40）中，其中引入清洁剂。 清洁剂扩散单元安装在清洁室中。 清洗剂扩散单元包括扩散板（50）和锥形突出部（54）。 扩散板具有通孔（52）。 锥形突起部位于扩散板上。 清洁室具有清洁剂引入孔（46），并且锥形突起部分定位成面对清洁剂引入孔。

公开(公告)号：KR1020070058171A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020050116503

申请日：2005-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/22

Abstract: Semiconductor diffusion equipment with a cooling unit is provided to easily cool an O-ring by controlling the flowrate of coolant supplied for cooling the O-ring. A flange part(250) comes in contact with a process tube(200) wherein a cooling path(251) connected to the outside is formed in the flange part. An airtight member is interposed between the process tube and the flange part. A cooling unit controls the flowrate of the coolant according to the temperature of the coolant supplied to the inside of the flange part so as to cool the airtight member, connected to the flange part. The cooling unit includes a coolant supply part(310) for supplying the coolant to the cooling path, a coolant flow pipe(350) connected to both ends of the coolant supply part and the cooling path, a flowrate control unit(320) installed in the coolant flow pipe, a temperature detecting unit(330) for detecting the temperature of the coolant, and a control part(340) electrically connected to the temperature detecting unit. The control part compares a predetermined temperature of the coolant with a detected temperature of the coolant and transmits an electrical signal to the flowrate control unit so that the detected temperature of the coolant falls within the predetermined temperature range of the coolant.

Abstract translation: 提供具有冷却单元的半导体扩散设备，通过控制用于冷却O形环的冷却剂的流量来容易地冷却O形环。 凸缘部（250）与处理管（200）接触，其中在凸缘部分形成有与外部连接的冷却路径（251）。 在处理管和凸缘部之间插入有气密构件。 冷却单元根据供给到凸缘部的内部的冷却剂的温度来控制冷却液的流量，以冷却与凸缘部连接的气密构件。 冷却单元包括用于将冷却剂供给到冷却路径的冷却剂供给部（310），连接到冷却剂供给部和冷却路的两端的冷却剂流管（350），安装在冷却剂供给部 冷却剂流管，用于检测冷却剂的温度的温度检测单元（330），以及与温度检测单元电连接的控制部（340）。 控制部分将冷却剂的预定温度与冷却剂的检测温度进行比较，并将电信号传输到流量控制单元，使得冷却剂的检测温度落在冷却剂的预定温度范围内。

公开(公告)号：KR1020070043454A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：KR1020050099750

申请日：2005-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/22

Abstract: 본 발명은 종형 확산로에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 로딩하는 보트의 위치가 변경되어 로봇암과 보트가 충돌하는 것을 방지할 수 있는 종형 확산로에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 종형 확산로는 돔 형상의 외측튜브; 상기 외측튜브의 내부에 위치하는 원통형의 내측튜브; 상기 원통형의 내측튜브 내부에서 다수의 웨이퍼가 로딩되는 보트; 상기 보트의 하부에 연결되어 상기 보트를 지지하는 원통형의 캡; 상기 캡의 하부에 설치되어 상기 캡을 지지하는 캡 베이스; 및 상기 캡 및 상기 캡 베이스의 둘레를 일체형으로 감싸는 홀더를 포함한다. 본 발명에 의하여 보트와 보트의 하부를 지지하는 캡 및 캡 베이스를 보트와 일체형으로 형성된 홀더로 감싸서 캡 베이스 상에 지지되는 보트의 위치가 이탈되는 것을 방지하기 때문에 보트의 위치가 미세하게 변경되어 로봇암과 보트가 충돌하는 문제를 방지하였다.
종형 확산로, 보트, 로봇암, 캡, 캡 베이스

公开(公告)号：KR1020070038335A

公开(公告)日：2007-04-10

申请号：KR1020050093549

申请日：2005-10-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68721 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098

Abstract: 열처리 설비를 제공한다. 제공된 열처리 설비는 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 트레이와, 상기 웨이퍼의 에지부분의 열을 보상하도록 상기 웨이퍼 트레이의 상면에 배치되되 링 형상의 링 몸체와 상기 링 몸체를 상기 웨이퍼 트레이에 고정시켜주는 고정부재로 구성된 웨이퍼 에지링을 포함한다. 따라서, 제공된 열처리 설비에 따르면, 제공된 열처리 설비의 웨이퍼 에지링은 링 형상의 링 몸체 하나로만 이루어질 뿐만 아니라 이 링 형상의 링 몸체가 별도의 고정부재에 의하여 웨이퍼 트레이에 끼워지기 때문에 이상과 같은 퍼지가스의 공급에도 불구하고 본 발명에 따른 웨이퍼 에지링은 원래 배치되었던 위치에 계속 고정되어 있게 된다.

公开(公告)号：KR1020070023966A

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020050078363

申请日：2005-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정남

IPC: H01L21/22

Abstract: Semiconductor diffusion equipment having a cooling unit is provided to rapidly replace a tube by a preventive maintenance process by rapidly cooling down a tube having undergone a high-temperature heat treatment to a predetermined cooling temperature. A first cooling unit(300) is disposed to cool down a tube(100). A second cooling unit(400) is mounted on the first cooling unit, surrounding a part of the first cooling unit. The first cooling unit consists of a first coolant supply part(310), an introduction part and a first cooling line(320). The introduction part is connected to the first coolant supply part and the tube wherein coolant is introduced into the tube through the introduction part. The first cooling line is equipped with an exhaust part through which the coolant from the tube is exhausted.

Abstract translation: 提供具有冷却单元的半导体扩散设备，通过将经过高温热处理的管迅速冷却至预定的冷却温度，通过预防性维护过程来快速地更换管。 设置第一冷却单元（300）以冷却管（100）。 第二冷却单元（400）安装在第一冷却单元上，围绕第一冷却单元的一部分。 第一冷却单元包括第一冷却剂供应部分（310），引入部分和第一冷却管线（320）。 引入部分连接到第一冷却剂供应部分和管，其中通过引入部分将冷却剂引入管中。 第一条冷却管线装有一个排气部分，从管子排出的冷却液通过该排气部分排出。