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公开(公告)号：KR1020060081307A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：KR1020050001967
申请日：2005-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04W72/02 , H04W48/16 , H04W74/002 , H04W76/10
Abstract: 본 발명은 광대역 무선 접속 통신 시스템에서, 기지국이 가입자 단말기가 초기 레인징을 수행 가능한 구간인 초기 레인징 구간 정보를 전송하고, 상기 가입자 단말기가 상기 초기 레인징 구간 정보를 수신하고, 상기 초기 레인징 구간에서 상기 초기 레인징의 로드를 나타내는, 상기 가입자 단말기가 상기 초기 레인징 요구에 대한 응답을 수신하기 이전에 상기 초기 레인징을 요구한 횟수 및 상기 초기 레인징 요구에 대한 응답을 수신하는 시점까지 지연된 지연 시간 중 적어도 하나를 포함하는 초기 레인징 로드 정보를 포함하여 상기 기지국으로 초기 레인징을 요구하고, 상기 기지국이 상기 초기 레인징 요구를 수신하고, 상기 초기 레인징 요구에 상응하여 상기 초기 레인징이 성공한 경우 상기 가입자 단말기로 응답을 전송함으로써 초기 레인징 성� � 확률을 증가시키고 자원의 효율성을 증가시킨다.
초기 레인징 로드, Number of initial ranging contention transmissions, 초기 레인징 윈도우, UL-MAP, UCD-
公开(公告)号：KR100594124B1
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：KR1020050037589
申请日：2005-05-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 이동 가입자 단말기와, 상기 이동 가입자 단말기가 통신을 수행하는 서빙 기지국과, 상기 서빙 기지국과 상이한 다수의 인접 기지국들을 가지는 광대역 무선 접속 통신 시스템에 관한 것으로서, 상기 서빙 기지국이 상기 이동 가입자 단말기의 핸드오버와 관련된 동작을 수행하는 방법에 있어서, 상기 이동 가입자 단말기로 인접 기지국들 중 핸드오버 할 수 있는 적어도 하나의 추천 기지국들 정보와, 고속으로 핸드오버를 수행하라는 지시자 정보가 포함된 핸드오버 요구 메시지를 송신하는 과정과, 상기 추천 기지국들로 상기 이동 가입자 단말기가 고속으로 핸드오버 할 것임을 통보하는 핸드오버 확인 메시지를 송신하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
핸드오버, 캐리어 대 간섭잡음비, 네트워크 재진입, 레인징Abstract translation: 宽带无线接入通信系统本发明涉及一种宽带无线接入通信系统，其具有移动用户台，移动用户台执行通信的服务基站以及与服务基站不同的多个相邻基站， 1。一种用于执行与切换有关的操作的方法，所述方法包括：由所述MSS发送切换请求，所述切换请求包括能够在相邻基站之间执行切换的至少一个推荐基站信息， 并且发送切换确认消息，通知推荐的基站MSS将以高速执行切换。
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公开(公告)号：KR1020060038305A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087535
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04W74/004 , H04W74/006
Abstract: 본 발명은 기지국과, 상기 기지국이 서비스하는 서비스 영역내에 존재하는 다수의 가입자 단말기들을 가지는 광대역 무선 접속 통신 시스템에서, 상기 기지국이 상기 가입자 단말기들로 채널 정보를 송신하는 방법에 있어서, 상기 기지국의 K개의 채널 정보들을 미리 설정한 제1 타입,길이,값(TLV: Type, Length, Value) 인코딩 방식으로 인코딩하여 상기 K개의 제1 TLV 인코딩 채널 정보들을 생성하는 과정과, 상기 K개의 제1 TLV 인코딩 채널 정보들을 생성한 후, 해당 TLV 인코딩 채널 정보가 미리 설정한 제2타입 TLV 인코딩 방식으로 인코딩하여 생성된 제2 TLV 인코딩 채널 정보임을 나타내는 Type 정보와, 상기 제2 TLV 인코딩 채널 정보내의 상기 K개의 채널 정보들의 길이를 나타내는 Length 정보와, 상기 제2 TLV 인코딩 채널 정보내의 상기 K개의 채널 정보들 각각을 나� �내는 상기 K개의 Value 정보들을 포함하는 상기 제2 TLV 인코딩 채널 정보를 생성하는 과정과, 상기 제2 TLV 인코딩 채널 정보를 상기 가입자 단말기들로 송신하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
TLV 인코딩, 단일 TLV 인코딩, 업링크 채널 정보, 다운링크 채널 정보, TLV 인덱스 포함 플래그 비트 맵, TLV 인덱스 포함 플래그 비트맵 사이즈-
44.发明公开
公开(公告)号：KR1020050089690A
公开(公告)日：2005-09-08
申请号：KR1020040015213
申请日：2004-03-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
Abstract: 본 발명은 광대역 무선 접속 통신 시스템에서, 이동 가입자 단말기가 서빙 기지국에서 타겟 기지국으로 핸드오버해야함을 검출하면 상기 서빙 기지국에서 상기 타겟 기지국으로 연결 전환한 후 상기 타겟 기지국과 네트워크 재진입 동작을 수행하는 중에 핑퐁 현상이 발생함을 검출하면, 상기 타겟 기지국에서 서빙 기지국으로 연결 전환할 것임을 상기 타겟 기지국에 보고하고; 상기 타겟 기지국은 상기 보고에 상응하여 상기 이동 가입자 단말기가 상기 타겟 기지국에서 서빙 기지국으로 연결 전환할 것임을 상기 서빙 기지국에 통보하며; 상기 서빙 기지국은 상기 통보에 상응하여 상기 이동 가입자 단말기로 비경쟁 기반의 레인징 자원을 할당함으로써 상기 이동 가입자 단말기가 상기 비경쟁 기반의 레인징 자원을 사용하여 상기 서빙 기지국과 통신 서비스를 연결하도록 하여 핑퐁 현상에 따른 서비스 지연을 최소화한다.
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公开(公告)号：KR100142368B1
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019950001144
申请日：1995-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/06
Abstract: [청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야]
불휘발성 반도체 메모리의 자동 프로그램회로
[발명이 해결하려고 하는 기술적 과제]
프로그램되는 메모리 쎌들의 균일한 드레쉬 홀드전압을 유지하고 공정 변화에 관계없이 신뢰성을 향상할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리의 제공
[발명의 해결방법의 요지]
프로그램후 프로그램 검증에 의해 선택된 메모리 쎌들이 성공적으로 프로그램되지 아니하였을 경우 재프로그램을 행하는 불휘발성 반도체 메모리에서 상기 재프로그램이 행해질때마다 선택된 메로리 쎌들과 접속된 워드라인상에 소정 범위내에서 점진적으로 증가하는 프로그램 전압을 제공하고 비선택된 메모리 쎌들과 접속된 워드라인들상에 상기 프로그램 전압과 소정의 전압차를 유지하면서 증가하는 패스전압을 제공함.
[발명의 중요한 용도]
컴퓨터등에 사용되는 영구 메모리.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970029851A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040638
申请日：1995-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야;
다수상태 불휘발성 반도체 메모리
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제;
메모리 셀이 저장용량에 확장할 수 있음은 물론 메모리 셀 어레이 주변의 회로를 보다 간단히 할 수 있는 다수상태 불휘발성 반도체 메모리를 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지;
개선된 메모리는 평행한 비트라인들과; 반도체 기판에 형성되고 메트릭스 형식으로 배열된 다수의 스트링을 가지며, 스트링내의 각 메모리 셀은 다수상태 데이타의 저장을 위하여 콘트롤 게이트와 부유 게이트 및 소오스와 드레인 영역들을 가지도록 구성된 다수상태 메모리 셀 어레이를 가지며, 상기 제1, 2선택 트랜지스터의 게이트 및 상기 워드라인들과 연결되며, 각 동작 모우드에서 하나의 동일군에 속하는 스트링들 및 적어도 하나의 워드라인을 선택하고 상기 선택된 워드라인에 연결된 메모리 셀들의 제어 게이트에 각 동작 모우드에 따른 대응전압을 공통으로 인가하기 위한 제어수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도;
다수상태 반도체 메모리로서 사용된다.-
公开(公告)号：KR100091272B1
公开(公告)日：1995-11-04
申请号：KR1019920009412
申请日：1992-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
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公开(公告)号：KR1019950011965B1
公开(公告)日：1995-10-12
申请号：KR1019920002485
申请日：1992-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/00
CPC classification number: G11C16/12
Abstract: a memory cell array consiting of a number of memory cells; a row decoder responsive to row address signals for selectively activating a selected one of row lines; a data input buffer for receiving program data; a number of column selecting MOS transistors each having a gate electrode, a first electrode connected to a respective one of the bit lines and a second electrode connected to the data line; a column decoder having a number of outputs connected to the gate electrode of respective ones of the column selecting MOS transistors; a number of program voltage generating circuits each of which is selectively operable for generating a program voltage output with a first or second logic level; a number of first selecting MOS transistors having a first electrode connected to the program voltage output of respective ones of the program voltage generating circuits; a number of second selecting MOS transistors having a first electrode connected to the program voltage output of the respective ones of the program voltage generating circuits; and a select circuit having a first output connected to the gate electrode of each of the first selecting MOS transistors and a second output connected to the gate electrode of each of the second selecting MOS transistors.
Abstract translation: 由多个存储单元组成的存储单元阵列; 响应于行地址信号的行解码器，用于选择性地激活所选行的一行行; 用于接收节目数据的数据输入缓冲器; 多个列选择MOS晶体管，每个具有栅电极，连接到相应一个位线的第一电极和连接到数据线的第二电极; 列解码器，其具有连接到列选择MOS晶体管的各个栅极的输出数量; 多个编程电压产生电路，每个程序电压产生电路选择性地可操作地用于产生具有第一或第二逻辑电平的编程电压输出; 多个第一选择MOS晶体管，其具有连接到各个编程电压产生电路的编程电压输出的第一电极; 多个第二选择MOS晶体管，其具有连接到各个编程电压产生电路的编程电压输出的第一电极; 以及选择电路，其具有连接到每个第一选择MOS晶体管的栅极的第一输出和连接到每个第二选择MOS晶体管的栅电极的第二输出。
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公开(公告)号：KR1019940010106A
公开(公告)日：1994-05-24
申请号：KR1019920018437
申请日：1992-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/41
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 스태틱 램의 전류센스앰프를 소정의 액티브동작시 프리세팅(presetting)하는 전류 센스 앰프 회로에 관한 것으로, 전류센스앰프의 프리세팅을 위하여 전류센스앰프의 양단을 등화시키고 또한 전류센스앰프의 프리세팅을 위하여 전류센스앰프에 연결된 비트라인 또는 데이타 라인을 소정의 정전압레벨로 프리차아지하므로서, 신뢰성 높고 라이트 리커버리 특성이 우사한 전류센스앰프를 제공할 수 있어서, 전류센싱회로가 특히 라이트 리커버리에 민감하게 반응하는 것을 개설할 뿐만 아니라 쎌 데이타의 액세스를 고속화시키는 효과가 있다.
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