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公开(公告)号：KR1020100071700A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130506
申请日：2008-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/025 , C09K11/70 , H01L33/502 , H01L51/502 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
Abstract: PURPOSE: A semiconductor nano crystal and a method for manufacturing the same are provided to control reaction speed of group V and III atoms. CONSTITUTION: A semiconductor nano crystal contains group III-V semiconductor core and a transition metal which is alloyed to group III-V semiconductor core. The mole ratio of group III atom of a core and transition metal is 10:1-100:1. The mole ratio of group III atom and group V atom of core is 1:1-3:1. A method for manufacturing the semiconductor nano crystal comprises: a step of mixing organic solvent, surfactant, group III atom precursor and transition metal precursor to produce a first mixture; a step of heating the first mixture; and a step of injecting group V atom precursor.
Abstract translation: 目的：提供半导体纳米晶体及其制造方法，以控制V族和III族原子的反应速度。 构成：半导体纳米晶体含有III-V族半导体芯和与III-V族III族半导体芯合金的过渡金属。 核心和过渡金属的III族原子的摩尔比为10：1-100：1。 核心的III族原子和V族原子的摩尔比为1：1-3：1。 制造半导体纳米晶体的方法包括：混合有机溶剂，表面活性剂，III族原子前体和过渡金属前体以产生第一混合物的步骤; 加热第一混合物的步骤; 和注入V族原子前体的步骤。
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公开(公告)号：KR1020100071515A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130255
申请日：2008-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , Y10T428/2991 , Y10T428/31678
Abstract: PURPOSE: A semiconductor nanocrystal composite is provided to prevent degradation of nanocrystal by radical and to improve stability and lifetime. CONSTITUTION: A semiconductor nanocrystal composite contains semiconductor nanocrystal(1), matrix material(3), and radical scavenger(2). The radical scavenger exists between the semiconductor nanocrystal and matrix material. The radical scavenger surrounds the semiconductor nanocrystal and is coated partial or entire surface of semiconductor nanocrystal. The radical scavenger is selected from the group consisting piperidine compounds, hydroxyl amine compounds, lactone compounds, benzophenone compounds, and benzotriazole compounds.
Abstract translation: 目的：提供半导体纳米晶体复合材料，以防止自由基对纳米晶体的退化，并提高稳定性和寿命。 构成：半导体纳米晶体复合材料含有半导体纳米晶体（1），基质材料（3）和自由基清除剂（2）。 自由基清除剂存在于半导体纳米晶体和基质材料之间。 自由基清除剂围绕半导体纳米晶体并且被涂覆半导体纳米晶体的部分或全部表面。 自由基清除剂选自哌啶化合物，羟胺化合物，内酯化合物，二苯甲酮化合物和苯并三唑化合物。
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公开(公告)号：KR101771175B1
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020110056483
申请日：2011-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , Y10T428/254 , Y10T428/31663 , Y10T428/31678 , Y10T428/31931 , H01L2924/00014
Abstract: 티올(SH)기를적어도 2개가지는제1 모노머및 말단에탄소-탄소불포화결합을적어도 2개가지는제2 모노머가중합된고분자를포함하는고분자필름을포함하는광전자소자및 적층구조를제공한다.
Abstract translation: 一种聚合物膜，其包含具有至少两个巯基（SH）基团的第一单体和在其末端具有至少两个碳 - 碳不饱和键的第二单体。
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44.发明公开
公开(公告)号：KR1020170012542A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020170012003
申请日：2017-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/10 , C01B17/20 , C01B19/00 , C09K11/02 , C09K11/56 , C09K11/88 , H01L33/50
CPC classification number: B82B3/0076 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01B32/05 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/883 , H01L33/501
Abstract: 반도체나노결정, 상기반도체나노결정의표면과결합가능한카르복실레이트음이온기(carboxylate anion group, -COO)를가지는고분자및 상기카르복실레이트음이온기와결합가능한금속양이온을포함하는반도체나노결정-고분자복합입자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160140564A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020160162277
申请日：2016-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133609 , G02F1/133514 , G02F1/133603 , G02F2202/36
Abstract: 백색발광다이오드를포함하는액정디스플레이장치를제공한다. 상기백색발광다이오드는청색광을방출하는 LED 광원및 상기 LED 광원으로부터입사된광을백색광으로전환시키는광전환층을포함하고, 상기광전환층은녹색발광반도체나노결정및 적색발광반도체나노결정을포함한다. 상기녹색발광반도체나노결정의발광피크파장은약 530nm 이상이고, 상기적색반도체나노결정의발광피크파장은약 615nm 이상이고, 상기녹색및 적색발광반도체나노결정의발광피크의반치폭(Full width at half maximum, FWHM)이약 45nm 이하이다. 또한상기녹색발광반도체나노결정의발광스펙트럼이녹색컬러필터를투과하는비율은녹색컬러필터의최대투과율의 95% 이상이고, 적색컬러필터를투과하는비율은적색컬러필터최대투과율의약 10% 미만이며, 상기적색발광반도체나노결정의발광스펙트럼이적색컬러필터를투과하는비율은적색컬러필터의최대투과율의약 95% 이상이고, 녹색컬러필터를투과하는비율은녹색컬러필터의최대투과율의약 10% 미만이다.
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Patent Agency Ranking46.发明授权발광체-고분자 복합체용 조성물, 발광체-고분자 복합체 및 상기 발광체-고분자 복합체를 포함하는 발광 소자 有权- - - 用于发光体聚合物复合发光体聚合物复合材料和包括其的发光装置的组合物
公开(公告)号：KR101644047B1
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：KR1020090062752
申请日：2009-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C09K11/06
CPC classification number: H05B33/10 , H01L51/5253
Abstract: 발광체및 화학식 1로표현되는모노머를포함하는가교형화합물을포함하는발광체-고분자복합체용조성물, 상기조성물을가교하여제조된발광체-고분자복합체및 상기발광체-고분자복합체를포함하는발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR101621820B1
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140192265
申请日：2014-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F21S2/00 , F21V9/00 , G02F1/13357
CPC classification number: F21V9/16 , F21V9/30 , G02B6/0026 , G02B6/0046 , G02B6/0051 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/1336 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , F21S2/00 , F21V9/00 , Y10S362/80
Abstract: 발광소자와수지에혼합되어있는양자점재료를포함하고, 상기발광소자가방출하는광을백색광으로변환하여방출하는광변환층을포함하고, 상기광변환층이발하는백색광의색좌표상의적색꼭지점은 0.65
Abstract translation: 光源包括与树脂混合的发光元件和量子点材料，包括将从发光器件发射的光转换成白光并发射的光转换层。 发射光转换层的白光的颜色坐标上的红色顶点位于0.65
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公开(公告)号：KR1020150084754A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020150097231
申请日：2015-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335 , C08G75/10
CPC classification number: G02F1/133524 , B32B2457/202 , C08K9/08 , C09D123/0869 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/70 , C09K11/883 , G02F1/133615 , G02F2001/133614 , G02F2202/022 , G02F2202/10 , G02F2202/106 , G02F2202/107 , Y02B20/181
Abstract: 액정디스플레이장치용백라이트유닛과이를포함하는액정디스플레이장치가개시된다. 상기백라이트유닛은 LED 광원; 상기 LED 광원에이격되게설치되어상기 LED 광원으로부터입사된광을백색광으로전환시켜액정패널쪽으로출사시키는광전환층; 및상기 LED 광원과광전환층사이에위치하는도광판(light guide panel)을포함하고, 상기광전환층은반도체나노결정및 매트릭스고분자를포함하고, 상기매트릭스고분자는말단에티올(SH)기를적어도 2개가지는제1 모노머및 말단에탄소-탄소불포화결합을적어도 2개가지는제2 모노머가중합된고분자를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种用于液晶显示器的背光单元和包括其的液晶显示器。 背光单元包括LED光源; 与LED光源分离的光转换层将来自LED光源的入射光转换成白光，并将其发射到液晶面板; 以及位于LED光源和光电转换层之间的导光板。 光电转换层包括半导体纳米晶体和基质聚合物。 基质聚合物包括通过在末端聚合具有至少两个硫醇（SH）的第一单体和在末端具有至少两个碳 - 碳不饱和键的第二单体形成的聚合物。
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公开(公告)号：KR101525525B1
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020150016823
申请日：2015-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/70 , Y02E10/52 , Y10S977/773 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , B82B1/00 , B82B3/00 , C09K11/08
Abstract: 1종이상의반도체물질을포함하고, 붕소또는붕소및 불소를포함하는나노결정입자및 그제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及具有改善的发光性能，如高量子效率和较低半宽度（FWHM）的纳米晶体颗粒。 在本发明中，提供了包括至少一种半导体材料和硼或硼和氟的纳米晶体颗粒及其制造方法。
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