전력공급장치
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019990001761A

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR1019970025199

    申请日:1997-06-17

    Inventor: 정기훈

    Abstract: 본 발명은 소자 측정 장치에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 전력 공급 장치에 관한 것으로서, n 개의 전력 공급 라인들과; 전력 공급 라인들을 통해 전력을 공급받아 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하는 작업 보드와; 상기 작업 보드에 병렬 연결되어 반도체 소자의 전기적 특성을 측정하기 위한 전력을 공급하는 n 개의 전력 공급 수단들과; 전력 공급을 제어하기 위한 제어 신호를 출력하는 레지스터와; 한 쌍의 전력 공급 라인 사이에 접속되고, 상기 제어 신호에 응답하여 전력 공급 수단의 전력 용량을 제어하는 n-1 개의 스위치들을 포함하는 전력 공급 제어 수단을 포함한다. 이와 같은 장치에 의해서 전력 공급 용량을 쉽게 증가시킬 수 있다.

    저에너지 이온 주입 방법을 이용한 실리콘 기판상에 다층의 금속 배선층을 형성하는 방법
    42.
    发明公开
    저에너지 이온 주입 방법을 이용한 실리콘 기판상에 다층의 금속 배선층을 형성하는 방법 无效
    使用低能量离子注入方法在硅衬底上形成多层金属布线层的方法

    公开(公告)号:KR1019970072324A

    公开(公告)日:1997-11-07

    申请号:KR1019960013708

    申请日:1996-04-30

    Inventor: 정기훈

    Abstract: 본 발명은 반도체의 실리콘 기판에 다층의 금속 배선층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 금속 배선층 사이를 전기적으로 연결하는 상호 접속 구멍이 형성될 부분의 절연막에 저에너지의 이온을 주입하는 방법을 사용하여 의도적으로 약화시킴으로써, 식각 작업에 의해 균일한 상호 접속 구멍을 갖는 다층의 금속 배선층을 형성할 수 있는 장점이 있다.

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