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公开(公告)号：KR100690960B1
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020040047594
申请日：2004-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/92147 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 칩 부착을 위한 접착제를 스크린 프린팅에 의해 형성하는 스크린 프린팅 공정을 갖는 반도체 칩 패키지 제조 방법에 관한 것으로서, ⒜스크린 프린팅 마스크를 사용하여 기판에 접착제를 스퀴징(squeezing)하는 스크린 프린팅 단계, ⒝접착제에 소정 온도로 열을 가하는 예비 경화(pre-cure) 단계, ⒞기판의 접착제에 반도체 칩을 부착하는 다이 어태치 단계, 및 ⒟접착제를 완전 경화시키는 주 경화 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 반도체 칩 패키지 제조 방법에 따르면, 스크린 프린팅 전후의 물성 변경을 통하여 작업성과 품질이 모두 양호하게 된다. 또한, 주 경화 공정이 진행되는 경화 오븐에서의 패키지 반제품 수량 및 위치별 온도 차이 및 주 경화 단계 수행 전까지 소요되는 시간에 따른 품질 불량을 방지할 수 있으며 경화 시간이 감소될 수 있다. 따라서, 반도체 칩 패키지에 대한 신뢰성과 생산성이 향상될 수 있다.
경화, 큐어, 접착제, 스크린 프린팅, 스퀴징, 다이 어태치-
公开(公告)号：KR1020070019048A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050072885
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L21/67121 , H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 도팅 수단을 갖는 플럭스 도포 장치에 관한 것으로서, 반도체 패키지의 외부 접속 단자에 플럭스를 효과적으로 도포하기 위한 것이다. 본 발명은 플럭스가 채워진 배스와, 배스의 상부를 이동하며 플럭스를 평탄하게 하는 나이프, 그리고 배스를 관통하여 설치되는 도팅부를 상하로 이동시키며 반도체 패키지의 외부 접속 단자와 접촉시켜 플럭스를 도포하는 도팅 수단을 갖는 플럭스 도포 장치를 제공한다.
따라서, 반도체 칩이 외부 접속 단자와 기판의 동일한 면에 실장되는 반도체 패키지에 플럭스를 도포하는 경우에도, 플럭스를 외부 접속 단자에 균일하게 도포할 수 있으며, 반도체 칩에 플럭스가 도포되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
플럭스, 도팅, 접합, 솔더, 적층 패키지-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060041007A
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：KR1020040090355
申请日：2004-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/13 , H01L23/49827 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48465 , H01L2224/73215 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2224/83 , H01L2224/78 , H01L2924/00
Abstract: A semiconductor package may include a substrate having a first major surface supporting a substrate pad and a bump pad electrically connected to the substrate pad. The substrate may have a second major surface with a concave part. A substrate window may extend through the substrate and open at the concave part. A semiconductor chip may be mounted on the substrate. The semiconductor chip may have a chip pad exposed through the substrate windows. Additionally, a method may involve forming a concave part in the substrate.
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公开(公告)号：KR100193732B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960059036
申请日：1996-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정용진
IPC: H03M7/00
Abstract: 여기에 개시되는 병렬 듀얼 베이시스 유한 필드 곱셈기는 제 1의 입력 원소의 계수 신호들이 각각 인가되는 복수 개의 제 1의 신호 라인들과; 제 2 입력 원소의 계수들이 각각 인가되는 복수 개의 제 2의 신호 라인들과; 상기 제 2 신호 라인들과 교호적으로 신장하고 모듈로 함수값 신호들이 각각 인가되는 복수 개의 제 3의 신호 라인들 및; 행들과 열들로 배열되는 동일한 구조의 복수 개의 프로덕트 셀들의 매트릭스를 포함한다. 동일한 셀들과 완전 인접 배선 기술을 이용한 본 발명의 병렬 유한 곱셈기 구조는 고속 곱셈의 실행과 곱셈 능력 확장의 용이성 및 칩 면적의 축소를 가져온다.
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公开(公告)号：KR100160382B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019950049329
申请日：1995-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정용진
IPC: H01L21/223
Abstract: 본 발명은 공정을 수행하기 위하여 공급되는 가스량 또는 고주파전력량에 이상이 발생했을 때 이를 감지하여 경보동작을 수행하는 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치는, 가스공급원 및 고주파전원으로부터 공정챔버로 공정수행을 위한 반응가스 및 고주파전력을 공급하도록 구성된 반도체 제조시스템에서, 상기 공정챔버로 반응가스를 공급하는 공급라인의 가스흐름량 및 고주파전력 공급량을 검출하는 검출수단, 상기 검출수단에서 검출된 반응가스 및 고주파전력의 공급량을 미리 기준설정된 상한 및 하한레벨과 비교한 후 초과 또는 미만으로 판단되면 그에 따른 판단신호를 출력하는 비교판단수단 및 상기 비교판단수단으로부터 출력되는 판단신호에 따라 경보동작을 하는 경보수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 제조시스템의 작업성 및 생산성을 극대화시킬 수 있으며, 불량에 따른 자재의 낭비를 막을 수 있어서 그에 해당하는 만큼의 경비절감을 기대할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980017399A
公开(公告)日：1998-06-05
申请号：KR1019960037176
申请日：1996-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정용진
IPC: H01L21/50
Abstract: 본 발명은 애싱 설비의 가스 공급부와 잔류 가스 배기구의 배치 위치를 상이하게 하여 반응 가스와 웨이퍼의 접촉 면적을 증가시켜 웨이퍼의 식각율을 높인 애싱 설비에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 반응 챔버내의 웨이퍼와 반응가스의 접촉 시간을 길게 하여 식각율을 높인 애싱 설비를 제공함에 있다.
본 발명의 효과는 챔버 내로 반응 가스를 공급하는 분사구와 폐가스 및 반응 가스를 배기 하는 잔류 가스 배기구의 위치를 엇갈리게 배치하여 반응 가스의 흐름이 수직 상태의 웨이퍼와 일치하지 않게 하여 웨이퍼와 반응 가스의 접촉 시간을 증가시키는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970052112A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049329
申请日：1995-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정용진
IPC: H01L21/223
Abstract: 본 발명은 공정을 수행하기 위하여 공급되는 가스량 또는 고주파전력량에 이상이 발생했을 때 이를 감지하여 경보동작을 수행하는 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조시스템의 가스 및 전력 이상공급 경보장치는, 가스공급원 및 고주파전원으로부터 공정챔버로 공정수행을 위한 반응가스 및 고주파전력을 공급하도록 구성된 반도체 제조시스템에서, 상기 공정챔버로 반응가스를 공급하는 공급라인의 가스흐름량 및 고주파전력 공급량을 검출하는 검출수단, 상기 검출수단에서 검출된 반응가스 및 고주파전력의 공급량을 미리 기준설정된 상한 및 하한레벨과 비교한 후 초과 또는 미만으로 판단되면 그에 따른 판단신호를 출력하는 비교판단수단 및 상기 비교판단수단으로부터 출력되는 판단신호에 따라 경보동작을 하는 경보수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 제조시스템의 작업성 및 생산성을 극대화시킬 수 있으며, 불량에 따른 자재의 낭비를 막을 수 있어서 그에 해당하는 만큼의 경비절감을 기대할 수 있는 효과가 있다.
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