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公开(公告)号：KR100753191B1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：KR1020070047689
申请日：2007-05-16
Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템의 스크램블링 코드 할당 방법에 관한 것이다. 본 발명의 데이터 통신에 사용할 수 있는 모든 스크램블링 코드들을 소정 개수씩 그룹화시킨 다수개의 코드 그룹들을 구비하는, 다수의 영역 비분할된 셀들로 구성된 이동통신 시스템의 스크램블링 코드 할당 방법은, 상기 셀들중 임의의 셀에 상기 스크램블링 코드를 할당할 때 상기 임의의 셀에 인접해있는 인접 셀들에 할당되어 있는 스크램블링 코드를 검사하는 과정과, 상기 검사 결과 상기 인접 셀들에 할당되어 있는 스크램블링 코드가 속하는 코드 그룹들을 검출하고, 상기 검출한 코드그룹들이 아닌 다른 코드 그룹의 스크램블링 코드들중 하나를 선택하여 스크램블링 코드로 할당하는 과정을 포함한다.
하향 링크 공용 물리 채널, 이동국 위치 측정, 안테나 빔 패턴, 지향성, 무지향성-
公开(公告)号：KR1020070055481A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020070047692
申请日：2007-05-16
Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템에서 이동 통신 시스템에서 이동국의 위치 측정 방법에 관한 것으로서, 다수의 섹터들을 가지는 영역 분할된 셀로 구성된 이동통신시스템에서 이동국 위치 측정 방법은, 상기 이동국에 대한 위치 측정 요구를 수신하는 과정과, 상기 이동국에 대한 위치 측정 요구를 수신함에 따라 상기 영역 분할된 셀을 구성하는 상기 다수의 섹터들 각각에 대해 동일 시점에서 하향 링크 파일롯 채널 신호 전송을 소정 기간 동안 중지하도록 하는 과정을 포함한다.
하향 링크 공용 물리 채널, 이동국 위치 측정, 안테나 빔 패턴, 지향성, 무지향성-
公开(公告)号：KR100717385B1
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020060012528
申请日：2006-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 입력 음성 신호로부터 검출한 음소열에 매칭되는 최적한 개수의 인식 후보를 추출하고, 추출된 인식 후보간의 사전적 거리(Lexical Distance) 추정에 따른 음성 신호에 대한 등록 어휘 여부를 정확하게 수행할 수 있는 인식 신뢰도 측정 방법 및 인식 신뢰도 측정 시스템을 개시한다. 인식 신뢰도 측정 방법은, 입력 음성 신호의 특징 벡터로부터 음소열을 추출하는 단계와, 추출된 음소열과 소정의 단어집합(dictionary)에 등록된 어휘의 음소열을 매칭하여 인식 후보를 추출하는 단계와, 추출된 인식 후보간의 사전적 거리(lexical distance)를 추정하는 단계 및 상기 사전적 거리에 기초하여 등록 어휘 여부를 결정하는 단계를 포함한다.
음성 인식, 신뢰도, 인식 후보, 사전적 거리, 음소열Abstract translation: 提取的最佳数量的识别候补，它认识到，可以准确地是否根据现有或所提取的识别候选（词汇的距离）之间的距离为一语音信号中的登记单词来执行估计可靠性输入从语音信号匹配的一列音素检测 公开了一种测量方法和识别可靠性测量系统。 和一个识别置信测量方法，包括在相和将提取的音素热用于从所述语音信号的输入特征向量提取音素热提取识别候选中登记的预定的一组单词（字典）中的词汇的音素列的匹配的步骤; 估计所提取的识别候选之间的词汇距离并基于词典距离确定是否注册词汇。
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公开(公告)号：KR1020070044282A
公开(公告)日：2007-04-27
申请号：KR1020050100398
申请日：2005-10-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재훈
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0004 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/56
Abstract: 본 발명은 표시장치의 제조방법에 관한 것으로서, 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결되어 있는 화소전극을 포함하는 기판을 마련하는 단계와; 상기 기판 상에 상기 화소전극의 적어도 일부와 대응하는 매쉬 패턴이 형성되어 있는 스크린 마스크를 배치하는 단계와; 상기 스크린 마스크 상에서 스퀴즈를 이동하면서 상기 매쉬 패턴을 통해 유기물을 상기 화소전극 상에 토출하여 유기층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 유기층을 정확하고 빠르게 패터닝 할 수 있는 표시장치의 제조방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR100704660B1
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050115884
申请日：2005-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 절연기판과; 상기 절연기판의 일면에 형성되어 있으며, 자성체로 이루어진 금속막과; 상기 절연기판의 타면에 형성되어 있는 복수의 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터 상에 형성되어 있는 보호막과; 상기 보호막 상에 형성되어 있으며, 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있으며, 화소영역을 형성하는 복수의 화소전극과; 상기 화소전극 상에 형성되어 있는 유기층과; 상기 유기층 상에 형성되어 있는 공통전극을 포함한다. 이에 의해 제조과정에서 절연기판의 휨 현상을 효과적으로 감소시킬 수 있는 구조를 가지는 표시장치가 제공된다.
Abstract translation: 显示装置及其制造方法技术领域本发明涉及一种显示装置及其制造方法。 根据本发明的显示装置包括：绝缘基板; 金属膜，形成在绝缘基板的一个表面上并由磁性材料制成; 多个薄膜晶体管，形成在绝缘基板的另一个表面上; 在薄膜晶体管上形成的保护膜; 多个像素电极，形成在所述钝化层上，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管并形成像素区域; 形成在像素电极上的有机层; 并在有机层上形成公共电极。 由此，提供了一种具有能够有效地减少制造过程中的绝缘基板的翘曲的结构的显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070018230A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020050072683
申请日：2005-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/04
CPC classification number: H01L51/529 , H01L21/02631 , H01L21/02689 , H01L51/5259 , H01L2924/12044 , H05K7/20963
Abstract: 본 발명은 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표시장치는 기판소재 상에 형성되어 있는 제1전극과; 상기 제1전극 상에 형성되어 있는 발광층과; 상기 발광층 상에 형성되어 있는 제2전극과; 상기 제2전극 상에 형성되어 있는 흡습막과; 상기 흡습막 상부에 형성되어 있는 열전도층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해 발광층이 습기로부터 적절히 보호되면서 방열성능이 우수한 표시장치가 제공된다.
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47.发明授权
公开(公告)号：KR100654361B1
公开(公告)日：2006-12-08
申请号：KR1020050086530
申请日：2005-09-15
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
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公开(公告)号：KR100643628B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050105280
申请日：2005-11-04
IPC: C09K3/14
Abstract: Provided are a CMP slurry composition for polishing polycrystalline silicon which is improved in polishing uniformity and selectivity by reducing the surface defect of a wafer, and its preparation method. The CMP slurry composition comprises a metal oxide; a quaternary ammonium base compound; and 0.001-1 wt% of a fluorine-based surfactant represented by CF3(CF2)nSO2X, wherein n is 1-20; X is COOR, RO, (OCH2CH2)n' or (OCH2CH(OH)CH2)n'; R is a C1-C20 alkyl group; and n' is 1-100. Preferably the metal oxide is at least one selected from the group consisting of SiO2, Al2O3, CeO2, ZrO2 and TiO2 and has a primary particle size of 10-200 nm and a specific surface area of 10-300 m^2/g; and the quaternary ammonium base compound is at least one selected from the group consisting of tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.
Abstract translation: 本发明提供一种用于抛光多晶硅的CMP浆料组合物，其通过减少晶片的表面缺陷而提高抛光均匀性和选择性，及其制备方法。 CMP浆料组合物包含金属氧化物; 季铵碱化合物; 和0.001-1重量％的由CF 3（CF 2）n SO 2 X表示的氟基表面活性剂，其中n为1-20; X是COOR，RO，（OCH 2 CH 2）n'或（OCH 2 CH（OH）CH 2）n'; R是C1-C20烷基; 和n'是1-100。 优选金属氧化物为选自SiO 2，Al 2 O 3，CeO 2，ZrO 2和TiO 2中的至少一种，其一次粒径为10-200nm，比表面积为10-300平方公尺/ g; 并且季铵碱化合物是选自氢氧化四甲基铵，氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵和氢氧化四丁基铵中的至少一种。
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49.发明公开
公开(公告)号：KR1020060108088A
公开(公告)日：2006-10-17
申请号：KR1020050030219
申请日：2005-04-12
Applicant: 한양대학교 산학협력단 , 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66825 , H01L21/02112 , H01L27/11543 , H01L29/788
Abstract: 터널링 절연층 위에 고분자 박막 내에 자발형성된 Ni
1-x Fe
x (0 1-x Fe
x 를 스퍼터링하는 단계, 상기 스퍼터링된 Ni
1-x Fe
x 층 상에 절연체 고분자 단량체를 포함하는 산성 전구체를 용매에 녹여 스핀 코팅하고 잔여 용매를 제거하는 단계 및 상기 코팅된 고분자 물질 내부에서 Ni
1-x Fe
x 나노결정체가 형성되도록 상기 고분자 물질에 열을 가하는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 소자의 제조방법에 따르면 Ni
1-x Fe
x 나노결정체의 크기와 밀도의 조절이 용이하며 이를 통하여 나노 플로팅 게이트의 성능을 향상시킬 수 있다.
플래시 메모리, 나노결정체, 플로팅 게이트, 고분자 박막, 터널링 절연층-
公开(公告)号：KR1020060063439A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040102615
申请日：2004-12-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10855
Abstract: 디램의 커패시터들을 제공한다. 상기 캐패시터들은 반도체 기판 상에 반도체 제조 공정을 통해서 하부전극들이 쓰러지지 않도록 하는 방안을 제시해준다. 이를 위해서, 활성 영역의 반도체 기판 상에 두 개의 도전막 패턴들이 배치된다. 상기 도전막 패턴들의 상면들의 소정 영역들과 각각 접촉하는 하부전극들이 배치된다. 상기 도전막 패턴들의 상면들의 다른 영역들 상에 지지 패턴들이 각각 배치된다. 그리고, 상기 지지 패턴들, 도전막 패턴들 및 반도체 기판 상에 반도체 막이 덮인다.
커패시터, 하부전극, 반도체 기판.
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