-
公开(公告)号:KR20210029363A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:KR1020190110473A
申请日:2019-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01Q9/04 , H01Q1/24 , H01Q1/38 , H04B1/3827 , H04M1/02
CPC classification number: H01Q9/0485 , H01Q1/243 , H01Q1/38 , H01Q3/22 , H01Q9/0407 , H04B1/3827 , H04M1/0266
Abstract: 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치는, 전면 커버, 상기 전면 커버와 반대 방향으로 향하고, 제1유전율을 갖는 후면 커버 및 상기 전면 커버와 상기 후면 커버 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함하는 하우징 구조와, 상기 공간에 배치되는 안테나 구조체로서, 상기 공간에 배치되는 인쇄 회로 기판과, 상기 인쇄 회로 기판에서 일정 방향으로 빔 패턴이 형성되도록 배치되는 적어도 하나의 도전성 패턴과, 상기 빔 패턴이 형성되는 방사 경로 중에서, 상기 인쇄 회로 기판과 일체로 형성되거나, 결합 또는 접촉하도록 배치되고, 상기 제1유전율과 동일하거나 다른 제2유전율을 갖는 제1유전체 구조물 및 상기 제1유전체 구조물과 상기 후면 커버 사이에서, 상기 방사 경로 중에 배치되고, 상기 제1유전율 및 상기 제2유전율보다 높은 제3유전율을 갖는 제2유전체 구조물을 포함하는 안테나 구조체 및 상기 적어도 하나의 도전성 패턴을 통해 약 3GHz ~ 100GHz 범위의 무선 신호를 송신 및/또는 수신하도록 설정된 무선 통신 회로를 포함할 수 있다. 그 밖에 다양한 실시예들이 가능할 수 있다.
-
公开(公告)号:KR102214193B1
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:KR1020140034828
申请日:2014-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 3D 파노라마영상과같은다양한화각및/또는다양한해상도를가지는 3D 영상을촬영할수 있는깊이카메라장치, 그것을구비한 3D영상디스플레이시스템및 그제어방법이개시된다. 깊이카메라장치는 IR을이용하여피사체의깊이영상을촬영하는깊이카메라와; 외부에서입력되는광을영상신호로변환하여피사체의칼라영상을촬영하는칼라카메라와; 깊이카메라및 칼라카메라와피사체에대해회전하여깊이카메라와칼라카메라가피사체를촬영할수 있는화각의위치를일정각도로변화시키는화각확장부와; 화각확장부에의해화각위치가일정각도로변화되는동안깊이카메라에의해촬영되는깊이영상프레임들과칼라카메라에의해촬영되는칼라영상프레임들을각각합성하여단일깊이영상과단일칼라영상을형성하는제어부를포함하는것을특징으로한다.
-
-
-
公开(公告)号:KR101975251B1
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:KR1020120074629
申请日:2012-07-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor: 정재훈 , 슈와르쯔,안드리아스 , 켈러만,발트
IPC: H04R3/02
-
-
公开(公告)号:KR101852569B1
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:KR1020110000580
申请日:2011-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04N7/14 , H04N7/147 , H04R3/005 , H04R2410/01 , H04R2430/03 , H04R2499/11
Abstract: 은닉마이크로폰배치구조를가진마이크로폰어레이장치및 그마이크로폰어레이장치를가지는음향신호처리장치가제공된다. 마이크로폰어레이장치는, 목적음방향에서가려지도록배치되며음향신호가통과가능한덮개로둘러싸인복수의제1 타입마이크로폰과, 복수의제1 타입마이크로폰의양 옆에배치되는복수의제2 타입마이크로폰을포함한다.
-
8.다중-입력 쉬프트 레지스터 기능을 지원하는 입출력 회로 및 이를 포함하는 메모리 장치 审中-实审
Title translation: 支持多输入移位寄存器功能的I / O电路和包括它的存储器件公开(公告)号:KR1020170116918A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:KR1020160078585
申请日:2016-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/4093 , G11C11/406 , G06F13/16 , G06F5/01
Abstract: 메모리장치의입출력회로는수신회로및 레지스터회로를포함한다. 상기수신회로는노말기입모드및 테스트기입모드에서동일한노말기입프로토콜에따라서동작하고, 복수의입력신호들을수신하여복수의래치신호들을발생한다. 상기레지스터회로는상기테스트기입모드에서상기래치신호들에기초하여복수의테스트결과신호들을발생한다. 메모리장치의입출력회로는노말기입경로및 노말기입프로토콜에따라서다중-입력쉬프트레지스터기능을수행할수 있다. 다중-입력쉬프트레지스터기능이노말기입동작과동일한타이밍조건에의해수행되기때문에, 테스트기입동작을위한추가적인타이밍의고려가불필요하여다중-입력쉬프트레지스터기능이효율적으로수행될수 있다.
Abstract translation: 存储器件的输入/输出电路包括接收电路和寄存器电路。 在正常写入模式和测试写入模式下,接收电路按照相同的正常写入协议工作,并接收多个输入信号以产生多个锁存信号。 寄存器电路在测试写入模式下基于锁存信号生成多个测试结果信号。 存储器件的输入/输出电路可以根据正常写入路径和正常写入协议来执行多输入移位寄存器功能。 多输入移位寄存器功能由相同的,因为定时状态与正常写入操作中执行,可以有效地进行由多输入移位寄存器功能的测试写入操作所需的附加定时的考虑。
-
公开(公告)号:KR1020170088108A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:KR1020160008022
申请日:2016-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/02164 , H01L21/02238 , H01L21/28282 , H01L28/00 , H01L29/0649 , H01L29/1037
Abstract: 본발명의실시예에의한반도체메모리장치는, 기판; 상기기판상에교대로반복적층된절연패턴들및 게이트전극들을포함하는적층구조체; 상기적층구조체를관통하며, 정보저장패턴을포함하는수직채널구조체; 및상기수직채널구조체내에위치하는전압고정층을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体存储器件包括:衬底; 一种堆叠结构,包括交替重复层叠的绝缘图案和栅电极在衬底上; 垂直通道结构,其穿过层压结构并且包括信息存储图案; 并且位于垂直沟道结构中的电压钳位层。
-
公开(公告)号:KR101650374B1
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:KR1020100039216
申请日:2010-04-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G10L21/0208 , G10L21/028 , G11B20/24
Abstract: 잡음을제거하고목적신호의품질을향상시키기위한신호처리장치가제공된다. 제공된신호처리장치는목적신호및 잡음을포함하는입력신호로부터잡음을제거하고목적신호를획득하는잡음제거부및 목적신호로부터추출된제 1 하모닉스성분및 입력신호로부터추출된제 2 하모닉스성분에기초하여계산된하모닉스신호대 잡음비(harmonics signal to noise ratio, harmonics SNR)를이용하여목적신호를복원하는목적신호복원부를포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-