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公开(公告)号：KR1019950021800A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019940038881
申请日：1994-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/94
Abstract: 본 발명은 전력 스위치용 모스 트랜지스터에 관한 것으로, 첫째 종래 이중확산을 이용하여 P-바디를 형성했던 것과는 달리 매우 얇은 P-층을 소자의 게이트 단자 하단에 형성시켜 채널 영역을 담당하도록 하고, 둘째 채널의 드레인 방향에 N
+ 영역을 형성함으로써, JEET영역의 저항을 감소시키도록 채널을 구성하고, 셋째 게이트 전극의 면적을 줄임으로써 입력 정전용량 및 역정전용량을 감소시킬 수 있게 되어 스위칭특성 향상에 따른 소자의 고속동작을 가능하게 할 뿐만 아니라 순방향 도통시 제2도전형 반도체 영역 간 거리에 의하여 결정되는 제1도전형 반도체 영역의 저항을 감소시킬 수 있게 되어 순방향 전압 강하를 줄일수 있는 고신뢰성의 모스 게이트형 트랜지스터를 실현할 수 있게 된다.
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