Abstract:
본 발명에 따른 표시 장치용 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 단계, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막, 수소화 비정질 규소막 및 N+도핑된 비정질 규소막을 불활성 기체 분위기로 300℃이하의 온도에서 적층하는 단계, 사진 식각 공정으로 비정질 규소막, 수소화 비정질 규소막을 패터닝하여 각각 저항성 접촉 패턴 및 반도체층을 형성하는 단계, 저항성 접촉 패턴 위에 데이터선을 형성하는 단계, 데이터 배선을 마스크로 저항성 접촉 패턴을 식각하여 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 데이터 배선을 덮으며 복수개의 접촉구를 가지는 보호막을 형성하는 단계, 보호막 위에 접촉구를 통해 데이터 배선과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 비정질, 유기발광, 박막트랜지스터
Abstract:
본 발명은 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 이 표시 장치는, 발광 소자, 주사 신호에 따라 데이터 신호를 전달하는 제1 스위칭 트랜지스터, 스위칭 신호에 따라 역바이어스 전압을 전달하는 제2 스위칭 트랜지스터, 데이터 신호에 기초한 전압을 충전하고 역바이어스 전압에 의하여 방전하는 축전기, 그리고 구동 전압에 연결되어 있으며 축전기에 충전된 전압에 응답하여 턴 온 또는 턴 오프되어 구동 전압에서 발광 소자에 이르는 신호 경로를 도통 또는 차단하는 구동 트랜지스터를 각각 포함하는 복수의 화소를 포함한다. 본 발명에 의하면 구동 트랜지스터의 임계 전압의 천이량을 저감할 수 있다.
Abstract:
플라스틱 기판의 변형이 발생하지 않는 유연한 디스플레이 장치의 제조방법이 개시된다. 상술한 방법은 플라스틱 기판의 표면에 화상 표시소자를 형성하는 공정시 상기 플라스틱 기판의 변형을 방지하기 위한 플라스틱 기판의 적층 방법으로서, 제1 크기를 갖는 캐리어 기판을 마련 후 캐리어 기판 상에 제2 크기를 갖는 플라스틱 기판을 적어도 두 개 이상 적층하는데 있다. 이러한 방법은 유연한 기판인 플라스틱 기판과 캐리어 기판간에 열 팽창계수의 차이에 의해 발생되는 변화를 효과적으로 방지할 수 있을 뿐만 아니라 공정의 효율을 증가시킬 수 있는 특성을 갖는다.
Abstract:
접착물질의 제거가 용이한 캐리어 기판 및 이를 이용한 유연한 디스플레이 장치의 제조방법이 개시되어있다. 캐리어 기판은 연성 기판과 분리되기 위해 접착물질을 제거하는 공정시, 연성 기판과 캐리어 기판 사이에 존재하는 접착물질에 유기용매의 침투 및 유기용매에 용해된 접착물질을 배출이 용이하도록 접착물질의 노출을 증가시키기 위해 하나 이상의 관통공을 포함한다. 상술한 구조를 갖는 캐리어 기판은 연성기판으로부터 보다 쉽게 제거될 수 있어 공정의 스루풋을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 현재 액정 표시 장치를 양산하는 설비의 변형 없이 유연한 디스플레이를 형성하는 공정에 적용 가능하다.
Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor in an electro-luminescent device, an electro-luminescent device using the same, and a manufacturing method of the thin film transistor are provided to prevent a degradation of image quality due to change and distortion of a driving current by stabilizing an amount of current flowing through a semiconductor layer. CONSTITUTION: A thin film transistor of an electro-luminescent device includes a first electrode(110), an insulating film(120), a second semiconductor pattern(130), an etch stop layer(140), a second electrode(150), and a third electrode(160). The insulating film on the first electrode insulates the first electrode. The second semiconductor pattern on the insulating film has a resistance which is reduced by a voltage applied to the first electrode. The etch stop layer on the first semiconductor pattern prevents a distortion of a current flowing through the first semiconductor pattern. The second electrode is electrically coupled with the first semiconductor pattern to overlap a first portion of the etch stop layer. The third electrode includes a first terminal overlapped with a second portion of the etch stop layer, and a second terminal arranged at one end of an organic electro-luminescent layer.